10. Gen NAND-Flash: Kioxia gibt Gas, Samsung und SK Hynix treten auf die Bremse

Während Kioxia und Sandisk bei der 10. Generation NAND-Flash (BiCS10) Vollgas geben wollen, treten Samsung und SK Hynix auf die Bremse. Kioxia will seinen fortschrittlichen BiCS10-NAND im laufenden Fiskaljahr 2026, also bis spätestens März 2027, auf den Markt bringen und investiert dafür kräftig.

Kioxia hatte bereits zur Bekanntgabe der jüngsten Quartalszahlen mit riesigem Gewinnsprung verkündet, die Entwicklung von BiCS10 beschleunigen zu wollen. Laut einem Bericht von Tech Times haben Branchenquellen inzwischen Pläne bestätigt, dass der „BiCS10 Launch“ im laufenden Geschäftsjahr stattfinden soll. Kioxias Fiskaljahr 2026 begann im April 2026 und endet mit dem März 2027, sodass für den Marktstart sogar noch dieses Kalenderjahr möglich wäre. Digitimes (Paywall) schreibt allerdings zwei Tage später über einen Produktionsstart von BiCS10 im Jahr 2027. Letztlich könnten aber die gleichen Quellen hinter dieser Information stecken.

Kioxia und Sandisk investieren kräftig

Den BiCS10-NAND entwickelt Kioxia wie gewohnt gemeinsam mit dem langjährigen Flash-Partner Sandisk. Beide Unternehmen sollen für dieses Jahr Investitionen von 4,5 Milliarden US-Dollar angekündigt haben. Das sind 41 Prozent mehr als vor einem Jahr, was angesichts der hohen Einnahmen während der Speicherkrise aber auch kein Problem darstellt. Das Geld wollen beide zum einen in den Ausbau der Massenfertigung von BiCS8 stecken, zum anderen soll es aber auch in die Entwicklung von BiCS10 fließen, die zur strategischen Priorität auserkoren wurde.

Samsung und SK Hynix bremsen V10-Ambitionen

Auch bei Samsung und SK Hynix steht die inzwischen 10. Generation 3D-NAND an, die bei beiden unter dem Namen „V10“ firmiert. Doch im Gegensatz zu Kioxia und Sandisk haben es die Südkoreaner augenscheinlich nicht so eilig damit. Ihr Fokus liege mehr auf dem lukrativen High Bandwidth Memory (HBM), den Kioxia und Sandisk nun einmal nicht haben.

Samsung soll laut verschiedenen Quellen die Massenproduktion seines V10-NAND ursprünglich schon für das zweite Halbjahr 2025 vorgesehen haben. Jetzt soll es erst im Laufe 2026 soweit sein. Damit könnte zumindest Samsung aber Kioxia und Sandisk noch zuvorkommen. Bei SK Hynix wird der Beginn der echten Serienfertigung des V10 erst für Anfang 2027 erwartet.

Während Kioxia laut im vergangenen Sommer enthüllten Plänen innerhalb von 5 Jahren seine NAND-Produktion verdoppeln will, fuhren die Konkurrenten ihren Output zugunsten von HBM zurück.

Bei der Speicherdichte ist BiCS10 ein großer Schritt

Die schiere Anzahl der Speicherebenen (Layer) sagt nicht mehr viel über den technologischen Fortschritt bei 3D-NAND aus. So konnten Kioxia und Sandisk mit ihrem BiCS8 trotz nur 218 Layern erfolgreich gegen die Konkurrenz mit mehr Layern bestehen und bieten eine ähnliche Speicherdichte bei sehr hoher Leistung.

Auch wenn Samsung bei der Generation V10 schon auf rund 430 Layer setzen will, könnte der BiCS10 trotz „nur“ 332 Layer sogar eine vergleichbare, wenn nicht sogar etwas höhere Speicherdichte bieten. Einen massiven Sprung gibt es auch beim Interface, das von derzeit 3,6 Gbit/s auf 4,8 Gbit/s beschleunigt werden soll.

Und was ist mit Micron?

Während die Pläne zur 10. NAND-Generation der genannten Wettbewerber allmählich auch öffentlich Formen annehmen, bleibt ein Konkurrent außen vor: Micron. Nach der Generation G9 mit 276 Layern soll bei Micron die G10 folgen, zu der es allerdings so gut wie keine öffentlichen Informationen zu finden gibt.

Es wird der Einsatz der sogenannten „Confined SN“-Technologie erwartet, die Inferenzen zwischen den Zellen verringern soll. Davon soll unter anderem die Lebensdauer der Speicherzellen profitieren, während eine um 10 Prozent reduzierte Dauer zum Beschreiben einer Zelle erwartet wird. So heißt es zumindest in einem Artikel von EE World.