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AMD EXPO ULL: AMDs RAM-OC-Standard bekommt Ultra-Low-Latency-Mode
Moderner Arbeitsspeicher und dann auch noch besonders schneller ist aktuell kein beliebtes Thema. Zur Computex hat AMD nichtsdestoweniger neue, besonders schnelle Module mit AMD EXPO angekündigt. Schon „bald“ sollen DDR-Speicherriegel mit EXPO Ultra Low Latency (ULL) für noch niedrigere Latenzen sorgen.
„Bis zu 4 Prozent mehr FPS“ im Vergleich zu Modulen, die nur EXPO bieten, sollen mit den EXPO-ULL-Modulen möglich sein.
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RAM mit AMD EXPO Ultra Low Latency (ULL) soll Module mit besonders scharfen Timings umfassen (Bild: AMD)
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Der Zugewinn durch die für besonders niedrige Latenzen ausgelegten Module wird, auch mit Blick auf die Speicherunabhängigkeit der X3D-Prozessoren, kein Thema für den Ottonormalnutzer sein – erst recht nicht in Zeiten, in denen DDR5 ohnehin sehr teuer und sehr schneller DDR5 quasi unbezahlbar ist. Umso besser, dass AMD Ryzen mit 3D V-Cache (X3D) für eine extrem hohe Gaming-Leistung auch gar nicht auf besonders schnellen RAM angewiesen sind.
ComputerBase hat Informationen zu diesem Artikel von AMD unter NDA erhalten. Die einzige Vorgabe war der frühestmögliche Veröffentlichungszeitpunkt.