Neue Bestimmungen der US-Regierung würden SK Hynix‘ und Samsungs Fabriken in China treffen. Aufgerüstet werden dürfen diese dann nämlich nicht mehr, könnten nur mit dem aktuellen Stand weiterbetrieben werden. Die Folgen treffen DRAM, aber vor allem NAND – hier hätte insbesondere SK Hynix nun einen großen Klotz am Bein.

Bisherige Ausnahmen fallen weg

In 120 Tagen soll eine neue Richtlinie der US-Regierung in Kraft treten, die das Aufrüsten von Fabriken der beiden Hersteller in China effektiv unterbinden würde. Denn beide Hersteller müssen sich dann erneut für Lizenzen bewerben. Deren Vergabe soll jedoch strenger gehandhabt werden und bisherige Vereinbarungen klar übertreffen. Gemäß US-Medien werden bisherige Dauer-Ausnahmen für Samsung und SK Hynix dabei sogar zurückgenommen.

Die neuen US-Auflagen bedeuten, dass jegliche Technologie zur Erweiterung und Modernisierung der Fabriken in China genehmigt werden muss. Effektiv bedeutet es laut Analysten, dass die Fabriken auf dem jetzigen Technologiestand eingefroren werden, was die Speicherhersteller entsprechend belastet. Auf lange Sicht könnten in China letztlich nur ältere Produkte produziert werden und für jegliche Erweiterungen und Neuheiten müssten Fabriken in anderen Ländern genutzt werden. Dies könnte vor allem in der kurzfristigen Planung für Probleme sorgen, aber auch langfristig einige Pläne über den Haufen werfen.

Die Anordnung trifft auch Intel, da die Fabs aber verkauft wurden, ist dies wohl nur eine Formalie.

Intels China-Fab erst seit März final bei SK Hynix

SK Hynix hat erst im März dieses Jahres die SSD-Sparte von Intel final übernommen. Die ausgegliederte Abteilung trägt nun den Namen Solidigm. Die wichtigste Fabrik ist die ehemalige Intel-Fab 68 in der Hafenstadt Dalian, China, die 2010 eröffnet und 2015 erweitert wurde.

Dass nun ausgerechnet diese Fabrik stärkere US-Sanktionen treffen könnte, würde SK Hynix gleich doppelt belasten. Der Kauf von Intels SSD-Sparte hat 9 Milliarden US-Dollar gekostet und bereits heute bezieht SK Hynix bis zu 45 Prozent seines NANDs aus China, schreibt passend dazu TrendForce. Die Speicherfabrik in Wuxi ist zudem für riesige Mengen klassischen DRAM ausgelegt. In den südkoreanischen Fabriken konzentriert sich SK Hynix inzwischen auf HBM und teuren High-End-Speicher.

Auch Samsung als zweiter südkoreanischer Speicherriese wäre von der Maßnahme betroffen. In Xi’an in der chinesischen Provinz Shaanxi werden ebenfalls riesige Mengen NAND produziert. Gemäß Korea Economic Daily könnten es bis zu 40 Prozent des gesamten NAND-Ausstoßes sein.

Wie reagieren die Betroffenen?

Wie SK Hynix und Samsung auf die neuen Hürden reagieren, wird sich in den kommenden Monaten zeigen. Vor drei Jahren spielte SK Hynix schon einmal mit dem Gedanken die Speicherfabrik in Wuxi aufzugeben, falls die Umstände extremer würden.

Zur Computex 2025 hatte Asus neue weiße Grafikkarten vorgestellt, sie alle setzten auf GeForce. Doch jetzt hat der Hersteller sein Portfolio um eine weiße Radeon RX 9070 XT erweitert und schließt damit zu Konkurrenten wie ASRock, PowerColor, Sapphire und XFX auf.

Asus zieht bei Weiß nach

Die Wettbewerber bieten teilweise schon seit dem Start Anfang März Radeon RX 9070 XT und Radeon RX 9070 (Test) im weißen Design an, Asus tat das bisher allerdings nicht – eine Radeon RX 9060 XT Dual White Edition gab es hingegen schon.

Jetzt folgt ein RDNA-4-Topmodell in Weiß: Die Asus Radeon RX 9070 XT Prime White Edition wird auf der US-Webseite des Herstellers geführt. Die deutsche Webseite listet das Modell noch nicht.

Der Kühlkörper und das PCB der weißen Grafikkarte sind in Schwarz gehalten. Eine weiße Radeon RX 9070 führt Asus USA zur Stunde noch nicht.

Laut neuen Gerüchten kommt Rapidus auf dem Papier bei der Metrik der Transistordichte an TSMCs modernen N2-Prozess heran. Doch allein sagt dieser Wert nicht viel aus, zumal das japanische Fab-Startup erst einmal beweisen muss, dass es überhaupt echte Produkte fertigen kann. Bisher gibt es primär Powerpoint und keine Investoren.

Gerüchte zeigen die angebliche Transistordichte von Rapidus‘ 2HP-Prozess im Vergleich zu TSMC und auch Intel. Dass Rapidus dabei letztlich sogar TSMC überholen soll, ist vermutlich genau so beabsichtigt, wenngleich der Wert bei TSMC zuletzt gemäß dieser Darstellung stagnierte.

Allein das „auf der Stelle stehen“ von TSMC sollte jedoch bereits klarmachen, dass der Wert allein wenig über die Produktion sagt. TSMCs erster N3-Prozess war fehlerhaft, es folgte N3B zum Ausbügeln der Probleme. N3E wiederum verfolgte einen anderen Ansatz, es sollte einfacher und günstiger werden, darauf basiert dann auch N2. Auf dem Papier übertrifft dies Rapidus, da das Unternehmen aber keine Erfahrung mit echten Produkten hat, bleibt abzuwarten, wie der Zahlenwert dann dort aussieht. Traditionell werden die theoretischen Werte bei echten Produkten nicht erreicht.

Auch zu beachten ist, dass andere Quellen besagen, dass TSMCs Prozesse sehr wohl besser skalieren. TechInsights analysierte im Januar dieses Jahres, dass N2 eher in Richtung 313 MTr/mm² gehen dürfte, selbst Intel 18A mit passender Metrik auf 238 MTr/mm² kommt – also fast exakt dem Wert, der nun Rapidus zugesprochen wird. Diese Werte sind unter anderem bei Wikipedia als Referenz verlinkt.

Rapidus braucht Kundschaft und Geld

Rapidus wird zuletzt medial offensiver. Das ist auch nötig, vor allem sollen gute Nachrichten nicht nur Kunden, sondern auch Investoren anlocken. Denn diese sind bisher noch nicht so recht überzeugt von dem Projekt, das bis zu 37 Milliarden US-Dollar kostet und bisher primär von dem japanischen Staat gestemmt wird. Einen Plan B, falls Rapidus scheitert, gibt es bisher nicht.

Zur Fachkonferenz Hot Chips 2025 erklärte Rapidus in der letzten Woche öffentlich, dass es durch sehr schnelle Produktionsmethoden punkten will. Auf dem Papier präsentierte das Unternehmen dabei die „World’s Shortest Turn-Around Time“, in einem Testlauf waren Wafer bereits nach 13 Tagen fertiggestellt – auf dem Papier nennt Rapidus 15 Tage.

Um für mehr Geschwindigkeit zwischen den Schritten zu sorgen nutzt Rapidus ein Gittersystem beziehungsweise Raster zum Transport der Wafer an der Decke, statt klassischer „Schienen“ Auch werden Wafer nicht mehr erst zu Batches gesammelt und dann in einer Transportbox weitergeschickt, sondern nun auch ganz allein über das komplette Gittersystem. So soll letztlich die Standardfertigung auch nur 50 Tage dauern – bei einer normalen Foundry sind es bis zu 120 Tage.

Inwiefern das alles bei hohem Volumen und hoher Auslastung mit hochkomplexen Produkten funktioniert, bleibt abzuwarten. TSMC & Co. haben ihre Systeme seit Jahren in diese Richtung optimiert, Rapidus versucht hier nun etwas anderes. Ob das gelingt und wie effektiv es ist, soll sich ab 2027 zeigen, dann sollen erste Serienprodukte gefertigt werden. Ein Kunde ist bisher aber nicht bekannt.