Heat Path Block: Bei HBM5 setzt auch Samsung auf einen Kühlkanal

Nachdem SK Hynix kürzlich seinen iHBM mit integrierten Kühlelementen (ICE) vorgestellt hat, zeigt Samsung zur Computex ein ganz ähnliches Konzept. Das Modell des kommenden HBM5 besitzt einen sogenannten Heat Path Block (HPB), der wie bei einem Kamin die Wärme von den unteren Schichten nach oben führt.

Mit immer mehr übereinander gestapelten DRAM-Schichten und höheren Geschwindigkeiten wird die Kühlung von HBM problematisch. Damit die Abwärme von den untersten Schichten schneller nach oben abgeführt werden kann, setzen die Hersteller künftig auf Kühlelemente, die direkt in das Package integriert werden.

SK Hynix nennt diese Integrated Cooling Elements (ICE) und will sie in kommenden Generationen (inklusive HBM5) einsetzen.

Für das gleiche oder zumindest ein ähnliches Prinzip hat Samsung zur Computex den Namen Heat Path Block (HPB) auserkoren. Ein Mockup des für die Zukunft geplanten HBM5 von Samsung mit HPB veranschaulicht das Konzept.

Dieses ist übrigens gar nicht mehr so neu, denn die HPB-Technik hatte Samsung bereits im Januar vorgestellt. Seinerzeit allerdings für den Einsatz auf dem Mobile-Prozessor Exynos 2600. Beim Aufbau und Material dürfte es aber größere Unterschiede für den Einsatz im HBM5 geben.

Samsung habe die Funktion der HPB-Technik bereits in HBM4E-Chips integriert und erfolgreich erprobt, berichtet Korea Herald. Bei The Elec heißt es wiederum, dass HBP erst bei HBM5 erstmals eingesetzt wird. Hier gehen die Berichte also auseinander.

Bei HBM5 kommt der Base-Die in 2 nm

Während Samsung bei den neuen HBM4E-Chips erneut einen Base-Die aus der 4-nm-Fertigung einsetzt, wolle der Hersteller bei HBM5 auf das modernere 2-nm-Verfahren zurückgreifen.

Einen Zeitrahmen für den Marktstart von HBM5 nennt Samsung bisher nicht. Roadmaps von SK Hynix und von KAIST lassen HBM5 ab dem Jahr 2029 erwarten. Allerdings sorgt der KI-Boom hier und dort durchaus für Beschleunigung, sodass es auch etwas früher werden könnte.

Für HBM5 wird ein nochmals verdoppelter Durchsatz von 4 TB/s pro Stapel erwartet, der bei 16 Lagen eine Speicherkapazität von 80 GB bei 100 Watt Leistungsaufnahme erreichen soll, so die Prognose von KAIST von vor einem Jahr.