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High Bandwidth Flash: Arbeiten am HBF-Standard starten im März


High Bandwidth Flash: Arbeiten am HBF-Standard starten im März

Bild: SanDisk

Gemeinsam wollen SK Hynix und Sandisk den vor einem Jahr vorgestellten High Bandwidth Flash (HBF) zu einem neuen Speicherstandard erheben. Jetzt wurde der nächste Schritt verkündet. Die Arbeiten am HBF-Standard sollen im Rahmen des Open Compute Project (OCP) im März begonnen werden.

Indem wir HBF gemeinsam mit Sandisk zu einem Industriestandard machen, legen wir den Grundstein für das gemeinsame Wachstum des gesamten KI-Ökosystems. Ein eigener Arbeitsbereich im Rahmen von OCP wird zusammen mit Sandisk eingerichtet, um mit der Standardisierungsarbeit zu beginnen“, heißt es in der Pressemitteilung von SK Hynix.

Neue technische Informationen oder Spezifikationen gibt es an dieser Stelle allerdings nicht. Ebenso bleibt unklar, wann die Serienfertigung beginnt. Zumindest wird eingegrenzt, dass der Bedarf an Speicherlösungen wie HBF ab dem Jahr 2030 zunehmen soll. Somit dürften die Partner in etwa für diesen Zeitraum mit dem Marktstart planen.

Dass die Branche überhaupt einen Speicher wie HBF benötigen soll, wird mit den wachsenden Ansprüchen im Bereich der Künstlichen Intelligenz begründet.

Allmählich verlagere sich der Fokus vom Training der KI-Modelle hin zur Inferenz, also der Anwendung des „Erlernten“ in Echtzeit. Dafür sei nun insbesondere schneller, aber auch energieeffizienter Speicher nötig. Bisher fehle es an einer Lösung zwischen dem sehr schnellen High Bandwidth Memory (HBM) und dem Massenspeicher SSD. Genau diese Lücke soll HBF füllen, und zwar als Ergänzung der bestehenden Speicherlösungen und nicht als Ersatz, wird betont: „Während HBM die hohe Bandbreite verarbeitet, dient die HBF-Technologie als unterstützende Schicht in der Architektur“.

Das ist bisher zur Technik bekannt

Bei der ersten Ankündigung von HBF im Februar 2025 hatte Sandisk eine 8- bis 16-fache Speicherkapazität gegenüber HBM in Aussicht gestellt. Der Aufbau ist dabei dem von HBM sehr ähnlich, nur dass eben statt DRAM-Dies mehrere NAND-Flash-Dies übereinandergestapelt und mittels TSV vertikal verbunden werden. Bis zu 16 Schichten (16H Stacking) sind dabei angedacht.

SanDisk High Bandwidth Flash (HBF) (Bild: SanDisk)
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Im vergangenen Sommer wurde bekannt, dass Raja Koduri, der seinerzeit Pionierarbeit bei AMD für HBM geleistet hatte, auch beim High Bandwidth Flash mit Rat zur Seite stehen wird. Neben Koduri wird David Patterson, ein renommierter Professor der Computer Science und Google-Ingenieur, zum technischen Beirat zählen und diesen anführen.



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