Höchste Flächendichte: Kioxia und Sandisk lassen BiCS10-NAND bemustern

Im Tandem verkünden die Flash-Partner Kioxia und Sandisk den Beginn der Auslieferung von Testmustern der neuen Speichergeneration BiCS10. Der Name steht für die zehnte Generation 3D-NAND der beiden Hersteller. Gegenüber BiCS8 steigen Bitdichte und Durchsatz deutlich. Parallel wird BiCS9 ein günstigeres Produkt.

Höchste Flächendichte für TLC-NAND

Nicht weniger als die höchste Flächendichte für den Speichertyp 3D-TLC-NAND verspricht der neue BiCS10-NAND von Kioxia und Sandisk. Mehr als 29 Gbit/mm² werden jetzt konkret von Sandisk genannt. Bei 1 Tbit Speicherkapazität der Muster misst ein Die umgerechnet also rund 35 mm².

Die Redaktion ist aufgrund früherer Hinweise bisher von 29,1 Gbit/mm² ausgegangen, was also ziemlich genau hinkommt. Damit würde BiCS10 Samsungs kommenden V-NAND V10 bei der Flächendichte knapp schlagen, denn dieser kommt nach bisheriger Kenntnis auf 28 Gbit/mm². Das ist vor allem bemerkenswert, da Kioxia und Sandisk auf nur 332 Zellschichten (Layer) setzen, während es bei Samsung über 400 (vermutlich ~430) sind.

Samsungs Interface ist schneller

An anderer Stelle wird Samsungs V10 aber überlegen sein, nämlich beim NAND-Interface: Hier hat Samsung sehr hohe 5,6 Gbit/s in Aussicht gestellt, während es beim BiCS10 „nur“ 4,8 Gbit/s sind. Gegenüber dem BiCS8 bedeutet das aber dennoch eine Steigerung um 33 Prozent. Bei der Flächendichte ist BiCS10 dem BiCS8 sogar um 59 Prozent überlegen. Die Zahl der Layer steigt allerdings auch von 218 auf 332 und somit bereits um 52 Prozent.

Der BiCS10 TLC soll beim Lesen eine um 30 Prozent höhere Energieeffizienz aufweisen als BiCS8 TLC. Beim Schreibvorgang wird eine Verbesserung in diese Richtung um 18 Prozent versprochen.

Bei Sandisk klingen die Angaben zum BiCS10 wie folgt:

• Up to 4.8Gb/s** NAND interface speed, a 33 percent improvement.*
• 332 memory layers with optimized floor plan efficiency, improving bit density by 59 percent.*
• Enhanced data input/output power efficiency, reducing power consumption by 10 percent for input and 34 percent for output.*
• Support for Toggle DDR6.0, SCA protocol1 and PI-LTT technology2 to enable high-speed, low-power operation.

*Compared with 8th-generation 3D flash memory currently in mass production (BiCS8).

BiCS10 überholt offenbar BiCS9

Dass an dieser Stelle stets Generation 8 (BiCS8) mit Generation 10 (BiCS10) verglichen wird, liegt daran, dass die Generation 9 (BiCS9) ein Abzweigung von der eigentlich Roadmap nimmt. Das sorgte im vergangenen Jahr bereits für viel Verwirrung (auch beim Autor dieser Zeilen), sodass erst später klar wurde, dass BiCS9 ein Hybrid aus alter und neuer Technik werden wird.

• NAND-Flash von Kioxia/SanDisk: BiCS9 ist ein Hybrid aus alter und neuer Technik

Jetzt deutet sich sogar an, dass BiCS10 der 9. Generation zuvorkommen wird. Zumindest haben Sandisk und Kioxia noch keine Bemusterung für BiCS9 verkündet. Mit BiCS10 samt höchster Speicherdichte und Performance soll primär der Enterprise-Markt (Data-Center-SSDs) bedient werden. BiCS9 TLC soll dank älterer Prozesse günstiger zu fertigen sein, dürfte aber auch langsamer arbeiten und bietet mit 512 Gbit nur halb so viel Speicherkapazität pro Chip.

Wann kommt die Massenfertigung?

Am Ende stellt sich bei solchen Ankündigungen immer die Frage nach der Verfügbarkeit der neuen Speicherchips im Handel. Das kann an dieser Stelle aber nicht beantwortet werden, da weder Kioxia noch Sandisk den Termin für den Start der Massenfertigung in der Kitakami Fab2 (Japan) nennen. Branchenquellen gehen zumindest von einem Start im laufenden Geschäftsjahr von Kioxia aus, das mit dem April 2026 begann und mit dem März 2027 endet.