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Panther Lake & Snapdragon X2: HP greift mit OmniBook Ultra 14 das MacBook Air und XPS an


Das HP OmniBook Ultra 14 richtet sich an Tech-Enthusiasten aus dem Privatkunden- und Business-Umfeld, die ein dünnes, leichtes und leistungsfähiges Notebook suchen. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, setzt HP auf Intel Panther Lake und Qualcomm Snapdragon X2. Der 14-Zoll-Bildschirm nutzt ein sehr helles OLED-Panel.

HP stell Intel und Qualcomm zur Auswahl

Die Konkurrenz des OmniBook Ultra 14 sind Notebooks wie das Dell XPS 14 mit Windows oder das MacBook Air mit macOS. Beim Unterbau vertraut HP auf Intel und Qualcomm, aber nicht auf AMD, was – so viel sei bereits verraten – jedoch an anderer Stelle mit neuen CPUs der Fall sein wird, wofür derzeit noch ein Embargo besteht. Da aber auch Intel die SKUs des Panther-Lake-Aufgebots noch nicht offiziell angekündigt hat, muss man sich noch mit dem Platzhalter „Intel Next Gen AI Processor“ im Datenblatt begnügen – einen Deep Dive zu Panther Lake gab es jedoch bereits.

Während bei Intel noch geschwiegen werden muss, stehen bei Qualcomm drei Prozessoren zur Auswahl, darunter zwei Snapdragon X2 Elite (X2E-84-100 und X2E-90-100), die auf den ersten Blick seit der Ankündigung im letzten Herbst offiziell sind.

HP OmniBook Ultra 14 im Hands-on

Neue Snapdragon X2 Elite mit 85 TOPS für HP

Die exakten SKUs (84 und 90) sind allerdings neu, da Qualcomm bislang nur den 80 und 88 (beide Elite) und 96 (Elite Extreme) angekündigt hat. HP bewirbt die SoCs zudem mit 85 TOPS starker NPU, während Qualcomm bislang stets 80 TOPS nennt. Es könnte sich erneut um HP-exklusive Modelle handeln, so wie es vor anderthalb Jahren im OmniBook Ultra mit AMD der Fall war. Hinzu kommt beim Qualcomm-Modell der soeben parallel vorgestellte Snapdragon X2 Plus mit 10 statt 12 oder 18 Kernen (X2P-64-100).

Beide Varianten des Notebooks lassen sich mit 16, 32 oder 64 GB RAM auf dem Board konfigurieren, wobei die zwei kleineren Kapazitäten bei Intel mit 8533 MT/s laufen und die größte auf 9600 MT/s kommt. Bei Qualcomm wird hingegen durchweg LPDDR5X-9522 verbaut. Identisch fallen auch die SSD-Größen mit 512 GB, 1 TB oder 2 TB an einem PCIe-5.0-Interface aus.

Aluminiumgehäuse mit schlanker Silhouette

HP bringt die Hardware in einem matten Aluminiumgehäuse unter, das in „Eclipse Gray“, „Silk Sand“ und „Stone Blue“ angeboten wird, und das durch seine Oberflächenbeschaffenheit Fingerabdrücke unterbinden soll. Das Chassis wiegt 1,275 kg und kommt mit Abmessungen von 311,15 × 215,65 × 7,37-10,67 mm, wobei die dickste Stelle an der Rückseite mit Standfüßen 13,97 mm aufweist. Die schlanke Silhouette führt zu geringer Anschlussvielfalt auf dem Niveau der genannten Konkurrenz: Bei Intel gibt es dreimal Thunderbolt 4, bei Qualcomm dreimal USB4, und jeweils einen Kopfhöreranschluss.

HP OmniBook Ultra 14 (2026)

HP OmniBook Ultra 14 (2026) (Bild: HP)

OLED-Display strahlt mit bis zu 1.100 nits

Highlight des Notebooks ist das sehr helle OLED-Panel mit 14 Zoll. HP bietet das OmniBook Ultra 14 ausschließlich in einer Konfiguration mit 2.880 × 1.800 Pixeln, 120 Hz mit VRR, 500 nits im SDR- und 1.100 nits im HDR-Betrieb an. Das Panel erfüllt DisplayHDR True Black 600, 100 Prozent DCI-P3 und bietet eine Farbgenauigkeit von Delta E < 1. Der Touch-Bildschirm wird durch Gorilla Glass 3 geschützt und im oberen Rahmen mit einer 5-MP-HDR-Webcam kombiniert, die sich verschließen lässt.

70-Wh-Akku soll den ganzen Tag durchhalten

HP verspricht „all-day battery life“ für das OmniBook Ultra 14, macht dabei aber keine Angabe in Stunden. Angesichts des 70-Wh-Akkus und unter Berücksichtigung der verbauten Prozessoren klingt das aber nach einer realistischen Angabe. Die Notebooks werden mit einem 65-Watt-GaN-Netzteil ausgeliefert, das das Schnellladen in 45 Minuten auf 50 Prozent unterstützt.

Das OmniBook Ultra 14 wird ausschließlich mit Windows 11 Home angeboten und soll im Frühjahr auf den Markt kommen. Preise auch für den deutschen Markt liegen noch nicht vor.

Technische Daten des HP OmniBook Ultra 14

ComputerBase hat Informationen zu diesem Artikel von HP unter NDA im Rahmen einer Veranstaltung des Herstellers in New York erhalten. Eine Einflussnahme des Herstellers oder eine Verpflichtung zur Berichterstattung bestand nicht. Die einzige Vorgabe aus dem NDA war der frühestmögliche Veröffentlichungszeitpunkt.



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Speicherforschung: SK Hynix über 5-Bit-NAND, 3D FeNAND und die fertige CTI-Technologie


Im Dezember hat SK Hynix auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) über Forschungsprojekte im Bereich NAND-Flash referiert. Dazu zählt die Multi-Site-Cell-Technik mit Potenzial für 5 Bit pro Zelle sowie der effiziente 3D FeNAND, der möglichst viele TOPS/Watt liefern soll. Schon nahezu marktreif ist die CTI-Technik.

Forschung an 5-Bit-NAND (PLC) geht weiter

Auch wenn Solidigm schon vor Jahren eine erste Vorserien-SSD mit 5 Bit pro Speicherzelle (Penta-Level Cell, kurz PLC) gezeigt hatte, ist die Branche offensichtlich noch weit davon entfernt, daraus ein Massenprodukt zu machen.

Kioxia (früher Toshiba Memory) forscht ebenfalls daran und hatte bereits 2019 das Konzept der halbierten Speicherzellen als „Twin BiCS Flash“ vorgestellt. Damit sollen sich 5 Bit pro Zelle besser realisieren lassen. Genau das verfolgt auch SK Hynix mit seinen 2022 vorgestellten „Multi-Site Cells“ (MSC). Auch hier wird des herkömmliche Design aufgespalten, sodass aus einer Zelle effektiv zwei entstehen und so aus 3 Bit pro Zelle sogar 6 Bit pro Zelle möglich werden – Stichwort Hexa-Level Cell, kurz HLC.

NAND mit 6 Bit pro Zelle (Hexa-Level Cell, HLC) bei herkömmlichem Zelldesign benötigt 64 individuelle Spannungszustände
NAND mit 6 Bit pro Zelle (Hexa-Level Cell, HLC) bei herkömmlichem Zelldesign benötigt 64 individuelle Spannungszustände (Bild: SK Hynix)
Die Multi-Site Cell von SK Hynix würde für 6 Bit nur 8 individuelle Zustände brauchen
Die Multi-Site Cell von SK Hynix würde für 6 Bit nur 8 individuelle Zustände brauchen (Bild: SK Hynix)

Zunächst will aber auch SK Hynix über ein solches Zellendesign NAND-Flash mit 5 Bit pro Zelle realisieren. Statt der normal dafür nötigen insgesamt 32 unterschiedlichen Spannungszustände werden laut der jüngsten Präsentation zur IEDM 2025 lediglich 6 verschiedene Spannungszustände benötigt. Diese werden durch das MSC-Design auf 36 multipliziert, sodass am Ende sogar einige ungenutzt übrig bleiben.

Das Multi-Site Cell genannte Zellendesign von SK Hynix reduziert die Zahl der nötigen Spannungsschwellen drastisch
Das Multi-Site Cell genannte Zellendesign von SK Hynix reduziert die Zahl der nötigen Spannungsschwellen drastisch (Bild: SK Hynix via Semianalysis)

Die Website Blocks and Files berichtet, dass SK Hynix bereits funktionsfähige Chips gefertigt hat. Allerdings müsse noch ergründet werden, wie sich dieser PLC-NAND kosteneffizient in Serie produzieren lässt.

3D FeNAND für viel mehr TOPS/Watt

Ein weiteres Forschungsfeld ist der sogenannte Ferroelektrische NAND (FeNAND). Dieser ist laut einer Publikation von SK Hynix von Ende Dezember vor allem für In-Memory-Computing interessant und soll hohen Durchsatz mit geringem Energiebedarf kombinieren. Mit dem 3D FeNAND sollen die TOPS/Watt massiv steigen.

TOPS pro Watt sollen mit 3D FeNAND massiv steigen
TOPS pro Watt sollen mit 3D FeNAND massiv steigen (Bild: SK Hynix)

Auch in diesem Forschungsbereich ist SK Hynix nicht allein unterwegs. Samsung hatte erst Ende November eine Arbeit veröffentlicht, in der es um ferroelektrische Transistoren für NAND-Flash-Speicher mit geringer Leistungsaufnahme geht.

Bei Samsung geht dies aber auch in Richtung der 5 Bit pro Zelle, die mit den sparsamen FeFETs ebenfalls möglich wären.

Schon einsatzbereit: CTI-Technik für stabilere Zellen

Während die oben genannten Techniken noch Zukunftsmusik sind, ist SK Hynix bei einer anderen schon viel weiter, die aber auch kein radikal neues Zellendesign erfordert. Gemeint ist die sogenannte Charge-Trap-Nitrid-Isolation (CTI)-Technologie. Damit soll die Verteilung der Schwellenspannungen innerhalb der NAND-Zelle verbessert werden. Das wiederum sorge für besseren Datenerhalt und schnellere Lesezugriffe. Nach eigenen Angaben des Herstellers könne man bereits voll funktionsfähige Chips mit CTI-Technologie herstellen. Umgesetzt wurde dies zunächst in den Prozess zur Herstellung von 176-Layer-NAND.



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Amazon-Deal mit Haken: 4K-Fernseher unter 200 Euro


Smart-TVs müssen nicht immer teuer sein. Bei Amazon könnt Ihr Euch gerade einen 4K-Fernseher der hauseigenen Fire TV-4-Serie für unter 200 Euro sichern. Allerdings hat dieser Deal einen Haken. Welchen, erfahrt Ihr in diesem Artikel.

Amazon bietet immer wieder echte Knaller-Angebote. Obwohl das Versandhaus es teilweise etwas zu gut meint mit den Prozenten, sind viele Deals doch Bestpreise. Das gilt nun auch für die Fire TV-4-Reihe. Die Smart-TVs bieten eine 4K-UHD-Auflösung und sind in drei verschiedenen Größen jetzt ab 199,99 Euro erhältlich. Doch für diesen Top-Deal gibt es einen Grund.

Fire TV-4-Serie stark reduziert: Aktion mit einem Haken

Die Fernseher bieten nicht nur 4K, sondern haben mit HDR10, HLG und Dolby Digital Plus auch einige Technologien zur Bildverbesserung auf Lager. Wie Ihr es Euch sicherlich denken könnt, basieren die Geräte auf Amazons Fire TV-Software. Dadurch habt Ihr Zugriff auf unzählige Streaming-Apps, wie etwa Netflix, Disney+ oder Crunchyroll. Gesteuert wird der Fire TV über eine Alexa-Sprachfernbedienung. Dadurch könnt Ihr auch verschiedene Alexa-Skills nutzen, um Euren Fernseher noch smarter zu machen. Insgesamt drei HDMI-Anschlüsse auf der Rückseite ermöglichen zudem den Anschluss von Soundbars oder Konsolen.

Preislich können sich die Flimmerkisten allemal sehen lassen. Satte 56 Prozent reduziert Amazon die 43-Zoll-Variante. Dabei geht der Versandriese von der unverbindlichen Preisempfehlung aus, die bei 449,99 Euro liegt. Somit kostet der Amazon Fire TV 4 nur noch 199,99 Euro, wenn Ihr Euch für die kleinste Variante entscheidet. Das 50-Zoll-Gerät bekommt Ihr für 249,99 Euro (statt 539,99), während die 55-Zoll-Variante bereits ausverkauft ist. Der Grund dafür liegt im bereits erwähnten Haken. Denn bei den Angebotsgeräten handelt es sich um zertifizierte und generalüberholte Fernseher, die eine zusätzliche einjährige Herstellergarantie erhalten. Diese weisen keine technischen Mängel auf, sind jedoch nur in geringer Stückzahl verfügbar.

Für wen lohnt sich das?

Benötigt Ihr nicht unbedingt die neuesten Technologien und möchtet Euch nach einem anstrengenden Arbeitstag einfach gemütlich vor den Fernseher setzen, während Stranger Things Euch langsam in den Schlaf wiegt? Dann sind diese Angebote mehr als ausreichend. Muss es zwingend OLED sein oder eine KI, die selbstständig das Programm wechselt, müsst Ihr deutlich mehr Geld in die Hand nehmen und werdet mit dem Amazon-Deal nicht zufrieden sein.

Was haltet Ihr von den Angeboten? Kauft Ihr generalüberholte Geräte? Wir sind gespannt auf Eure Kommentare!





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Produktion von mehr DRAM: Micron will PSMC-Fabrik in Taiwan für 1,8 Mrd. USD kaufen


Produktion von mehr DRAM: Micron will PSMC-Fabrik in Taiwan für 1,8 Mrd. USD kaufen

Bild: Micron

Parallel zum ersten Spatenstich der Megafabrik in den USA hat Micron die Absicht erklärt, PSMCs P5-Fabrik in Taiwan zu kaufen. Diese würde ab Ende dieses Jahres, sofern alle Auflagen erfüllt sind, 300.000 Square Feet zusätzliche Reinraumfläche bieten, die ab 2027 für Microns Produktion genutzt werden könnte.

Für PSMC geht es dabei um mehr als nur den Verkauf der Fabrik. Denn so richtig Anschluss an die größeren Chiphersteller hatte PSMC zuletzt nicht, nun eröffnet sich jedoch dafür die Chance. Dafür wird PSMC die Ausrüstung aus der Fabrik P5 mitnehmen und die Fabrik P3, ebenfalls in Taiwan, aufrüsten und weiter ausbauen. In dieser Fabrik soll zusammen mit Micron dann der DRAM vorangebracht werden. Für PSMC heißt dies auch erstmals, mehr in das Thema Packaging zu investieren. Die Anlage soll den Stand erreichen, um auch Microns Chips dort zu Ende packen zu können. Der Fokus liegt dabei nun zu 100 Prozent auf Produkten für das AI-Umfeld:

PSMC intends to gradually phase out non-AI-related business to optimize its product portfolio and enhance long-term profitability.

PSMC

Micron kauft in dem Fall aber letztlich eine leere Fabrik. Immerhin könnte das, sofern die Pläne wie geplant umgesetzt werden, schon im zweiten Quartal dieses Jahres soweit sein. Eh der Reinraum dann aber auf den Stand von Microns Fertigungstechnologien gehievt wird, wird noch über ein Jahr vergehen. Vor dem zweiten Halbjahr 2027 wird Micron dort deshalb nicht mit der Produktion starten können.

Am Ende bleibt auch die Frage, wie viel Kapazität dann zur Verfügung steht. 300.000 Square Feet sind knapp 28.000 Quadratmeter Reinraumfläche, das reicht nach Schätzungen und ersten Analysten vielleicht für 40.000 bis 50.000 Wafer im Monat. Es kommt jedoch darauf an, was Micron hier explizit fertigen wird.

Erster Spatenstich für 4 neue Fabriken in den USA

In den USA hat Micron parallel, wie in der letzten Woche bereits berichtet, den Grundstein für die neue Fabrik im Bundesstaat New York gelegt. Insgesamt wird dies ein Projekt mit einem Volumen von rund 100 Milliarden US-Dollar, vier Fabriken sollen auf dem Gelände entstehen. Die Laufzeit dafür beträgt aber über 20 Jahre.





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