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Planarer Flash-Speicher: 2D-NAND-Produktion bald vollständig eingestellt


Planarer Flash-Speicher: 2D-NAND-Produktion bald vollständig eingestellt

Bald hat die Herstellung von NAND-Flash-Speicher mit nur einer Zellebene ein Ende. Nach Micron und SK Hynix werden auch Samsung und Kioxia die Fertigung von 2D-NAND komplett einstellen. Dieser ist ohnehin nur noch ein Nischenprodukt, denn schon vor Jahren hat 3D-NAND die Oberhand erlangt.

Nachdem schon Ende Februar darüber berichtet wurde, dass Samsung seine letzte Produktionslinie für 2D-NAND in diesem Jahr auf Eis legen wird, deutet sich jetzt das Aus der 2D-NAND-Ära auch beim japanischen Konkurrenten Kioxia (ehemals Toshiba Memory) an. Darüber berichtet die taiwanische Website Technews und beruft sich auf eine Mitteilung des Herstellers an Geschäftspartner. Dieser „Discontinuation Notice“ ist zu entnehmen, dass Kioxia bestimmte Produkte der 2D-NAND-Fertigung mit nominellen Strukturbreiten von 32 nm, 24 nm und 15 nm sowie der dritten 3D-NAND-Generation (BiCS 3) einstellen wird.

Entsprechende NAND-Flash-Produkte (SLC, MLC und TLC) sollen nur noch bis zum 30. September 2026 bestellbar sein. Der letzte Liefertermin wird auf den 31. Dezember 2028 datiert. Sofern nicht irgendwo noch andere 2D-NAND-Produkte in Kleinserie hergestellt werden, endet die Ära der 2D-NAND-Fertigung von Kioxia also bis zum Jahr 2029. Bei Samsung soll die Einstellung der Produktion bereits im März erfolgt sein, doch liegt dafür noch keine Bestätigung vor. Micron und SK Hynix sollen bereits zuvor vollständig auf 3D-NAND umgestiegen sein.

3D-NAND gibt es schon seit fast 13 Jahren

Dass heute überhaupt noch 2D-NAND hergestellt wird, ist fast schon verblüffend, schließlich gibt es den Nachfolger 3D-NAND bereits seit dem Jahr 2013. Samsung hatte im August 2013 als erster Hersteller die Serienfertigung von 3D-NAND gestartet und war lange technischer Vorreiter, bis die Konkurrenten immer mehr aufgeholt hatten und inzwischen sogar fortschrittlicheren 3D-NAND anbieten können.

Während es bei 2D-NAND nur eine Ebene mit Speicherzellen gibt, werden beim 3D-NAND mehrere Ebenen (Layer) übereinander geschichtet. Das bedeutet zwar prinzipiell mehr Arbeitsschritte und damit höhere Kosten, die aber wieder durch eine deutlich höhere Speicherdichte kompensiert werden.



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