MicroATX tischtauglich, schlicht und luftig verpackt verspricht das Phanteks XT M3. Der Preis dafür ist niedrig, aber groß. Das Gehäuse kostet zwar relativ wenige Euro, gönnt sich dafür aber beim Volumen und dem Platzbedarf.

Mit dieser Konzeption tritt das XT M3 in Konkurrenz zum Lian Li A4-mATX (Test), das allerdings rund 30 Prozent weniger Volumen benötigt als das 40 Liter fassende Phanteks-Gehäuse, das sich bereits in Bereichen ausgewachsener ATX-Gehäuse bewegt.

Das Platzangebot ermöglicht es, wie bei normalen Midi-Towern beim Blick auf das Layout und die Komponentenwahl auf Kompromisse oder besondere Anordnungen zu verzichten. Kühler und Grafikkarten mit einer Breite von 175 Millimeter passen ohne Einschränkungen in der Höhe beziehungsweise Länge in das Gehäuse. Lediglich das Netzteil darf höchstens 150 Millimeter lang sein, was seiner Position geschuldet ist: es sitzt direkt hinter der Front und kollidiert ansonsten mit der Erweiterungskarte.

Luft für die Grafikkarte

Durch dieses Layout können mehr Lüfter am Boden des Gehäuses montiert werden. Beim XT M3 dürfen dort drei 120-mm-Modelle verwendet werden. Weitere Lüfter der gleichen Größe passen ins Heck, an Front und Deckel. Mitgeliefert werden Lüfter allerdings nicht, Staubfilter gibt es nur am Boden, an der Front dafür USB 3.0 mit A-Stecker und USB 3.1 mit C-Anschluss.

Die Oberseite des Towers hat zudem genug Abstand zum Mainboard, um einen normalen 360-mm-Radiator mitsamt Lüftern unterbringen zu können. Die maximale Größe für das Paket liegt bei 410 × 122 × 60 mm. Festplatten verstaut Phanteks in zwei Halterungen für ein 3,5″- und zwei 2,5″-Laufwerke hinter dem Mainboard.

Preislich bewegt sich das Phanteks XT M3 dank seines simplen Aufbaus im Entry-Level-Bereich für DIY-Systeme. Im Handel wird es bereits ab knapp 60 Euro in den Farben Schwarz und Weiß geführt, womit das Lian-Li-Modell um 10 Euro unterboten wird. Von der bei Phanteks ebenfalls gelisteten Variante mit drei RGB-Lüftern, die für einen Mehrpreis in Höhe von 10 Euro verkauft werden soll, ist dort aktuell noch nichts zu sehen.

Neben Intels macht auch Samsungs fortschrittliche Fertigung weiter Schwierigkeiten. Der SF1.4-Prozess wurde auf 2029 verschoben, ein weiterer SF2-Prozess, SF2P+ getauft, soll bis dahin überbrücken. Dieser könnte bereits im kommenden Jahr verfügbar werden, Samsungs Zeitangaben haben zuletzt aber eine geringe Halbwertszeit.

1,4 nm verspäten sich

Bereits in der vergangen Woche gab es die ersten Gerüchte, dass sich SF1.4 auf mindestens 2028 verschieben würde. Vom Samsung-SAFE-Forum, der Foundry-Veranstaltung der Südkoreaner, die gestern in Seoul abgehalten wurde, kommt nun die Meldung, dass es sogar das Jahr 2029 werden wird. Geplant war sie ursprünglich einmal für das Jahr 2027. Verspätungen sind bei Samsung aber auch die Regel, insbesondere in den letzten Jahren, wo die Fertigungssparte stets mit Problemen bei der Ausbeute zu kämpfen hat.

Um die Lücke zu füllen, legt Samsung einen weiteren Prozess auf Basis der 2-nm-Fertigung auf. SF2P+ ist auf dem Papier ein noch etwas besserer Prozess für die High-End-Produkte, gemäß südkoreanischen Medien wird dabei ein optischer Shrink gegenüber SF2P zum Einsatz kommen. Die Leistung kann um 20 bis 30 Prozent ansteigen, heißt es. Weil die Basis von SF2P+ und SF2P die gleiche ist, soll der Prozess schnell umsetzbar sein. Die Hoffnung klammert sich an einen Termin zum Ende des nächsten Jahres oder Anfang 2027, realistisch dürfte letzteres sein.

Samsung hat allem Anschein nach zumindest in Ansätzen die Probleme der letzten Jahre erkannt. Schon bei der US-Ausgabe dieses Forums rückte der Hersteller in den Fokus, dass es wichtiger sei erst einmal die Yield (Ausbeute) zu stabilisieren und Kunden zu gewinnen, statt Luftschlösser mit neuen Fertigungen zu bauen. Kunden für die eigene Fertigung verlor Samsung zuletzt stets und ständig, selbst die Chips für die eigenen Smartphone mussten zuletzt von Qualcomm zugekauft werden, da Samsungs Chip-Sparte kein konkurrenzfähiges Produkt produzieren konnte.

Und so war auch SF4U, quasi ein 4-nm-Ultra-Prozess, zum neuen Foundry-Event wieder ein Thema. Dieser Prozess ist Samsungs letzter auf Basis von FinFET, die darüber liegenden basieren alle auf Gate all around (GAA). Doch FinFET ist noch lange nicht tot, weiß auch Samsung. Für viele Chips ist diese Technologiestufe mehr als ausreichend. Auch hier hofft Samsung, durch eine solide Umsetzung wieder Kundschaft gewinnen zu können.