Zeiss eröffnet Standort in Yongin: Zusätzliche Unterstützung für koreanische Speicherhersteller

Nach einer Ansiedlung in Pyeongtaek eröffnet die Zeiss Semiconductor Manufacturing Technology (SMT) einen Standort in Yongin. Die Gemeinsamkeiten: Hier haben die großen Speicherhersteller ihre Standorte, in Pyeongtaek Samsung, während in Yongin aktuell SK Hynix im großen Stil Fabs baut. Zeiss will so die Branche unterstützen.

Im neuen Innovation Center bündelt Zeiss ausgewählte Systeme und Lösungen aus den Bereichen der Semiconductor Mask Solutions und Semiconductor Fab Solutions. Das Center ist darauf ausgelegt, Innovationen in der Hochvolumen-Waferproduktion und im Advanced Packaging mit hochpräzisen Metrologie-, Inspektions- und Maskenreparaturtechnologien zu unterstützen. Das Center ermöglicht lokalen Kunden Zugang zu modernsten Zeiss-Lösungen für zukünftiges Wafer-Level-Packaging und Photomaskenfertigung und trägt zu höheren Ausbeuten sowie einer schnelleren Evaluierung und Qualifizierung in den Produktionsumgebungen der Kunden bei, erklärt das Unternehmen.

Zu den in Yongin verbauten Geräten gehören unter anderem NLX-100, eine 3D-Röntgenmetrologie- und Inspektionslösung, die DUNE 100 zur aktiven Kontrolle der Waferform mit integrierter hochpräziser Messtechnik sowie MeRiT AE, die nächste Generation der Maskenreparaturtechnologie.

Zeiss ist in der Branche weit vertreten

Technologien von Zeiss stecken heute in nahezu jedem modernen technischen Gerät. Die Sparte Semiconductor Manufacturing Technology deckt mit ihrem Produktportfolio und weltweit führendem und mitunter gar einzigartigem Know-how verschiedene Schlüsselprozesse bei der Herstellung von Mikrochips ab. Zu den Produkten des Bereichs zählen Halbleiterfertigungs-Optiken – darunter Lithographie-Optiken –, Photomaskensysteme sowie Prozesskontroll-Lösungen für die Halbleiterindustrie.

Zu den bekanntesten Produkten von Zeiss gehören die Spiegel in modernen Lithografiesystemen von ASML, die Zeiss zuliefert. Was bei EUV bereits ein Erfolg war, geht mit High-NA-EUV in die nächste Generation – und benötigt dafür noch feinere Lösungen. Die auf atomarer Präzision gefertigten und aus mehr als hundert Schichten bestehenden Spiegel sind das Herzstück der Maschine für die High-NA-EUV-Lithographie. Im Vergleich zu den bisherigen EUV-Lithographie-Spiegeln sind sie etwa doppelt so groß und zehnmal so schwer – und benötigen rund ein Jahr, um gefertigt zu werden. Die ersten High-NA-Systeme mit den riesigen Zeiss-Spiegeln dürften ab 2027/2028 bei Intel in den Serieneinsatz gehen.