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Zenbook S14 und S16: Ryzen AI 400 und Core Ultra 300 in Ceraluminum verpackt


Zenbook S14 und S16: Ryzen AI 400 und Core Ultra 300 in Ceraluminum verpackt

Asus‘ Zenbook-S-Serie mit Ceraluminum-Chassis wird 2026 auf die neuesten Chips von AMD und Intel aufgewertet: Ryzen AI 400 und Core Ultra 300 halten Einzug. Und Asus verspricht vor allem beim S16 mit AMD-Chip noch deutlichere Änderungen, als sie AMD bezüglich des Chips bisher selbst kommuniziert hat.

Ryzen AI 400 senkt den Verbrauch

Ein Problem bei AMDs mobilen Chips ist der nach wie vor vergleichsweise hohe Verbrauch in gewissen Szenarien. Das ist wahrlich kein Vergleich mehr mit früheren Zeiten und viel besser geworden. Dennoch lässt aufhorchen, dass Asus erklärt, dass AMD Gorgon Point in bestimmten Anwendungen nun noch einmal bis zu 25 Prozent weniger Strom verbraucht. Dass Gorgon Point durch gesteigerten Takt mitunter auch etwas schneller wird, ist da letztlich schnell nebensächlich, denn die großen Strix Point lieferten ohnehin schon eine sehr hohe Leistung.

Asus Zenbooks zur CES 2026

Das Asus Zenbook S16 soll letztlich die volle Leistung von AMDs neuen Ryzen AI 400 abrufen. Im 11 cm schmalen und 1,5 Kilogramm schweren 16-Zoll-Modell kommt ein 3K-OLED HDR zum Einsatz, welches bis zu 1.100 Nits, 120 Hz und Touch-Funktionalität bietet. Das S16 bietet eine 83-Whr-Akku, auch Anschlüsse wie zweimal USB Typ-C, USB-A, HDMI, Kopfhörer und SD-Kartenleser sind mit dabei. Wi-Fi 7 sorgt für die kabellose Verbindung.

Core Ultra 300 im Zenbook S14

Im Zenbook S14 für das Jahr 2026 favorisiert Asus Intel Panther Lake. Zuvor bot es allerdings auch Intel Lunar Lake (Core Ultra 200V). Das 14-Zoll-Notebook nutzt ebenfalls ein 3K-OLED HDR mit bis zu 1.100 nits, 120 Hz und Touch-Funktionalität. Der integrierte Akku ist hier 77 Wh groß, bei den Anschlüssen steht es dem S16 nur beim Kartenleser nach.

Asus Zenbooks zur CES 2026

In Las Vegas erklärte Asus auch, dass es keinen Wechsel der jeweiligen Konfigurationen geben soll: Also kein Panther Lake im S16 oder andersherum Gorgon Point im S14. Die neuen Modelle sollen „bald“ verfügbar werden, Preise gibt es aber noch nicht.

ComputerBase hat Informationen zu diesem Artikel von Asus vor dem eigentlichen Messestart unter NDA erhalten. Eine Einflussnahme des Herstellers oder eine Verpflichtung zur Berichterstattung bestand nicht. Die einzige Vorgabe aus dem NDA war der frühestmögliche Veröffentlichungszeitpunkt.



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Speicherforschung: SK Hynix über 5-Bit-NAND, 3D FeNAND und die fertige CTI-Technologie


Im Dezember hat SK Hynix auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) über Forschungsprojekte im Bereich NAND-Flash referiert. Dazu zählt die Multi-Site-Cell-Technik mit Potenzial für 5 Bit pro Zelle sowie der effiziente 3D FeNAND, der möglichst viele TOPS/Watt liefern soll. Schon nahezu marktreif ist die CTI-Technik.

Forschung an 5-Bit-NAND (PLC) geht weiter

Auch wenn Solidigm schon vor Jahren eine erste Vorserien-SSD mit 5 Bit pro Speicherzelle (Penta-Level Cell, kurz PLC) gezeigt hatte, ist die Branche offensichtlich noch weit davon entfernt, daraus ein Massenprodukt zu machen.

Kioxia (früher Toshiba Memory) forscht ebenfalls daran und hatte bereits 2019 das Konzept der halbierten Speicherzellen als „Twin BiCS Flash“ vorgestellt. Damit sollen sich 5 Bit pro Zelle besser realisieren lassen. Genau das verfolgt auch SK Hynix mit seinen 2022 vorgestellten „Multi-Site Cells“ (MSC). Auch hier wird des herkömmliche Design aufgespalten, sodass aus einer Zelle effektiv zwei entstehen und so aus 3 Bit pro Zelle sogar 6 Bit pro Zelle möglich werden – Stichwort Hexa-Level Cell, kurz HLC.

NAND mit 6 Bit pro Zelle (Hexa-Level Cell, HLC) bei herkömmlichem Zelldesign benötigt 64 individuelle Spannungszustände
NAND mit 6 Bit pro Zelle (Hexa-Level Cell, HLC) bei herkömmlichem Zelldesign benötigt 64 individuelle Spannungszustände (Bild: SK Hynix)
Die Multi-Site Cell von SK Hynix würde für 6 Bit nur 8 individuelle Zustände brauchen
Die Multi-Site Cell von SK Hynix würde für 6 Bit nur 8 individuelle Zustände brauchen (Bild: SK Hynix)

Zunächst will aber auch SK Hynix über ein solches Zellendesign NAND-Flash mit 5 Bit pro Zelle realisieren. Statt der normal dafür nötigen insgesamt 32 unterschiedlichen Spannungszustände werden laut der jüngsten Präsentation zur IEDM 2025 lediglich 6 verschiedene Spannungszustände benötigt. Diese werden durch das MSC-Design auf 36 multipliziert, sodass am Ende sogar einige ungenutzt übrig bleiben.

Das Multi-Site Cell genannte Zellendesign von SK Hynix reduziert die Zahl der nötigen Spannungsschwellen drastisch
Das Multi-Site Cell genannte Zellendesign von SK Hynix reduziert die Zahl der nötigen Spannungsschwellen drastisch (Bild: SK Hynix via Semianalysis)

Die Website Blocks and Files berichtet, dass SK Hynix bereits funktionsfähige Chips gefertigt hat. Allerdings müsse noch ergründet werden, wie sich dieser PLC-NAND kosteneffizient in Serie produzieren lässt.

3D FeNAND für viel mehr TOPS/Watt

Ein weiteres Forschungsfeld ist der sogenannte Ferroelektrische NAND (FeNAND). Dieser ist laut einer Publikation von SK Hynix von Ende Dezember vor allem für In-Memory-Computing interessant und soll hohen Durchsatz mit geringem Energiebedarf kombinieren. Mit dem 3D FeNAND sollen die TOPS/Watt massiv steigen.

TOPS pro Watt sollen mit 3D FeNAND massiv steigen
TOPS pro Watt sollen mit 3D FeNAND massiv steigen (Bild: SK Hynix)

Auch in diesem Forschungsbereich ist SK Hynix nicht allein unterwegs. Samsung hatte erst Ende November eine Arbeit veröffentlicht, in der es um ferroelektrische Transistoren für NAND-Flash-Speicher mit geringer Leistungsaufnahme geht.

Bei Samsung geht dies aber auch in Richtung der 5 Bit pro Zelle, die mit den sparsamen FeFETs ebenfalls möglich wären.

Schon einsatzbereit: CTI-Technik für stabilere Zellen

Während die oben genannten Techniken noch Zukunftsmusik sind, ist SK Hynix bei einer anderen schon viel weiter, die aber auch kein radikal neues Zellendesign erfordert. Gemeint ist die sogenannte Charge-Trap-Nitrid-Isolation (CTI)-Technologie. Damit soll die Verteilung der Schwellenspannungen innerhalb der NAND-Zelle verbessert werden. Das wiederum sorge für besseren Datenerhalt und schnellere Lesezugriffe. Nach eigenen Angaben des Herstellers könne man bereits voll funktionsfähige Chips mit CTI-Technologie herstellen. Umgesetzt wurde dies zunächst in den Prozess zur Herstellung von 176-Layer-NAND.



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Amazon-Deal mit Haken: 4K-Fernseher unter 200 Euro


Smart-TVs müssen nicht immer teuer sein. Bei Amazon könnt Ihr Euch gerade einen 4K-Fernseher der hauseigenen Fire TV-4-Serie für unter 200 Euro sichern. Allerdings hat dieser Deal einen Haken. Welchen, erfahrt Ihr in diesem Artikel.

Amazon bietet immer wieder echte Knaller-Angebote. Obwohl das Versandhaus es teilweise etwas zu gut meint mit den Prozenten, sind viele Deals doch Bestpreise. Das gilt nun auch für die Fire TV-4-Reihe. Die Smart-TVs bieten eine 4K-UHD-Auflösung und sind in drei verschiedenen Größen jetzt ab 199,99 Euro erhältlich. Doch für diesen Top-Deal gibt es einen Grund.

Fire TV-4-Serie stark reduziert: Aktion mit einem Haken

Die Fernseher bieten nicht nur 4K, sondern haben mit HDR10, HLG und Dolby Digital Plus auch einige Technologien zur Bildverbesserung auf Lager. Wie Ihr es Euch sicherlich denken könnt, basieren die Geräte auf Amazons Fire TV-Software. Dadurch habt Ihr Zugriff auf unzählige Streaming-Apps, wie etwa Netflix, Disney+ oder Crunchyroll. Gesteuert wird der Fire TV über eine Alexa-Sprachfernbedienung. Dadurch könnt Ihr auch verschiedene Alexa-Skills nutzen, um Euren Fernseher noch smarter zu machen. Insgesamt drei HDMI-Anschlüsse auf der Rückseite ermöglichen zudem den Anschluss von Soundbars oder Konsolen.

Preislich können sich die Flimmerkisten allemal sehen lassen. Satte 56 Prozent reduziert Amazon die 43-Zoll-Variante. Dabei geht der Versandriese von der unverbindlichen Preisempfehlung aus, die bei 449,99 Euro liegt. Somit kostet der Amazon Fire TV 4 nur noch 199,99 Euro, wenn Ihr Euch für die kleinste Variante entscheidet. Das 50-Zoll-Gerät bekommt Ihr für 249,99 Euro (statt 539,99), während die 55-Zoll-Variante bereits ausverkauft ist. Der Grund dafür liegt im bereits erwähnten Haken. Denn bei den Angebotsgeräten handelt es sich um zertifizierte und generalüberholte Fernseher, die eine zusätzliche einjährige Herstellergarantie erhalten. Diese weisen keine technischen Mängel auf, sind jedoch nur in geringer Stückzahl verfügbar.

Für wen lohnt sich das?

Benötigt Ihr nicht unbedingt die neuesten Technologien und möchtet Euch nach einem anstrengenden Arbeitstag einfach gemütlich vor den Fernseher setzen, während Stranger Things Euch langsam in den Schlaf wiegt? Dann sind diese Angebote mehr als ausreichend. Muss es zwingend OLED sein oder eine KI, die selbstständig das Programm wechselt, müsst Ihr deutlich mehr Geld in die Hand nehmen und werdet mit dem Amazon-Deal nicht zufrieden sein.

Was haltet Ihr von den Angeboten? Kauft Ihr generalüberholte Geräte? Wir sind gespannt auf Eure Kommentare!





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Produktion von mehr DRAM: Micron will PSMC-Fabrik in Taiwan für 1,8 Mrd. USD kaufen


Produktion von mehr DRAM: Micron will PSMC-Fabrik in Taiwan für 1,8 Mrd. USD kaufen

Bild: Micron

Parallel zum ersten Spatenstich der Megafabrik in den USA hat Micron die Absicht erklärt, PSMCs P5-Fabrik in Taiwan zu kaufen. Diese würde ab Ende dieses Jahres, sofern alle Auflagen erfüllt sind, 300.000 Square Feet zusätzliche Reinraumfläche bieten, die ab 2027 für Microns Produktion genutzt werden könnte.

Für PSMC geht es dabei um mehr als nur den Verkauf der Fabrik. Denn so richtig Anschluss an die größeren Chiphersteller hatte PSMC zuletzt nicht, nun eröffnet sich jedoch dafür die Chance. Dafür wird PSMC die Ausrüstung aus der Fabrik P5 mitnehmen und die Fabrik P3, ebenfalls in Taiwan, aufrüsten und weiter ausbauen. In dieser Fabrik soll zusammen mit Micron dann der DRAM vorangebracht werden. Für PSMC heißt dies auch erstmals, mehr in das Thema Packaging zu investieren. Die Anlage soll den Stand erreichen, um auch Microns Chips dort zu Ende packen zu können. Der Fokus liegt dabei nun zu 100 Prozent auf Produkten für das AI-Umfeld:

PSMC intends to gradually phase out non-AI-related business to optimize its product portfolio and enhance long-term profitability.

PSMC

Micron kauft in dem Fall aber letztlich eine leere Fabrik. Immerhin könnte das, sofern die Pläne wie geplant umgesetzt werden, schon im zweiten Quartal dieses Jahres soweit sein. Eh der Reinraum dann aber auf den Stand von Microns Fertigungstechnologien gehievt wird, wird noch über ein Jahr vergehen. Vor dem zweiten Halbjahr 2027 wird Micron dort deshalb nicht mit der Produktion starten können.

Am Ende bleibt auch die Frage, wie viel Kapazität dann zur Verfügung steht. 300.000 Square Feet sind knapp 28.000 Quadratmeter Reinraumfläche, das reicht nach Schätzungen und ersten Analysten vielleicht für 40.000 bis 50.000 Wafer im Monat. Es kommt jedoch darauf an, was Micron hier explizit fertigen wird.

Erster Spatenstich für 4 neue Fabriken in den USA

In den USA hat Micron parallel, wie in der letzten Woche bereits berichtet, den Grundstein für die neue Fabrik im Bundesstaat New York gelegt. Insgesamt wird dies ein Projekt mit einem Volumen von rund 100 Milliarden US-Dollar, vier Fabriken sollen auf dem Gelände entstehen. Die Laufzeit dafür beträgt aber über 20 Jahre.





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