Das CBA-Herstellungsverfahren mit Logik und Speicherzellen auf verschiedenen Wafern eröffnet Kioxia und SanDisk neue Möglichkeiten. Und so gibt es zwischen den Generationen BiCS8 und BiCS10 den Zwischenschritt BiCS9, der aber sogar bis auf BiCS5 zurückgeht. Verwirrend? Hier kommt die Aufklärung.

Kioxia stellt BiCS9-TLC-Flash vor

Zunächst einmal zur heutigen Vorstellung von Kioxia, dem japanischen NAND-Flash-Hersteller, der gemeinsam mit SanDisk 3D-NAND entwickelt und produziert: Kioxia lässt verlauten, dass die ersten TLC-Speicherchips der 9. Generation (BiCS9) bemustert werden. Die Serienfertigung soll noch im Laufe des Geschäftsjahres 2025 erfolgen, das allerdings erst am 31. März 2026 endet. Somit kann es also noch bis zum nächsten Kalenderjahr dauern.

Die TLC-Speicherchips mit 3 Bit pro Zelle besitzen eine Speicherkapazität von 512 Gbit pro Die. Das ist nur halb so viel wie inzwischen für TLC-NAND üblich und nur ein Viertel dessen, was die BiCS8-Generation als QLC-Variante liefert.

Kioxia verspricht eine gegenüber TLC-Flash mit 512 Gbit aus der sechsten Generation (BiCS6) um 61 Prozent verbesserte Schreibleistung und ein 12 Prozent schnelleres Lesen. Außerdem soll die Energieeffizienz beim Schreiben um 36 Prozent und beim Lesen um 27 Prozent besser ausfallen.

• Write performance: 61% improvement
• Read performance: 12% improvement
• Power efficiency: enhanced by 36% during write operations and 27% during read operations
• Data transfer speed: the Toggle DDR6.0 interface enables high-speed 3.6Gb/s(5) NAND interface performance
• Bit density: increased by 8% through advancements in planar scaling

Kioxia

Verwirrend wird es dann bei den weiteren Angaben, denn der BiCS9-Flash soll einerseits in einem 112-Layer-Verfahren auf Basis des älteren BiCS5 entwickelt worden sein, andererseits verfüge er über eine moderne Toggle-DDR6.0-Schnittstelle mit 3.600 MT/s und könne sogar unter Idealbedingungen 4.800 MT/s erreichen.

Des Rätsels Lösung: CBA

Die Auflösung dieser Diskrepanz liegt in dem seit BiCS8 eingeführten Herstellungsprinzip „CMOS directly Bonded to Array“ (CBA). Wie es zuerst beim chinesischen Hersteller YMTC geschah, werden Logik und Zellen jeweils auf eigenen Wafern gefertigt und anschließend verbunden. Das grundlegende Verfahren nennt sich Waferbonden. In diesem Fall werden Chip-Logik (I/O) und Speicherbereich zunächst getrennt voneinander auf separaten Wafern gefertigt und erst später zu einem Speicherchip vereint. Obwohl somit zwei Wafer benötigt werden, sollen die Kosten insgesamt nicht steigen, da sich auf diesem Weg die Speicherdichte so weit optimieren lasse, dass sich der zusätzliche Wafer lohne, hieß es bei YMTC.

Kioxia und SanDisk nutzen das Prinzip jetzt, um ein älteres, aber kostengünstiges Speicher-Design (BiCS5, 112 Layer) mit einem modernen I/O-Paket samt hoher Leistung zu kombinieren. Daraus entsteht BiCS9 als Abzweig der traditionellen Roadmap. Es handelt sich praktisch um ein Hybrid-Design aus alter und neuer Architektur.

Während beim kommenden BiCS10 primär die Erhöhung der Flächendichte im Fokus steht, die durch die (teure) Anhebung auf 332 Layer erreicht wird, soll BiCS9 primär die Herstellungskosten senken, dank eines neuen I/O-Bereichs aber auch mehr Leistung bieten.

Verwirrung komplett: BiCS9 kann auch BiCS8 enthalten

Eine Fußnote sorgt dann aber erneut für Verwirrung: Kioxia schreibt dort, dass BiCS9 je nach „Modell“ entweder 112-Layer-Technik (BiCS5) oder 218-Layer-Technik (BiCS8) enthalten kann.

• 9th generation BiCS FLASH™ products: these achieve high performance at reduced production cost by leveraging CBA (CMOS directly Bonded to Array) technology(2), which integrates existing memory cell technologies(3) with the latest CMOS technology.
• 10th generation BiCS FLASH™ products: these incorporate an expansion in the number of memory layers to meet the expected future demand for larger-capacity, high-performance solutions.

(2) Technology wherein each CMOS wafer and cell array wafer are manufactured separately in their optimized condition and then bonded together.

(3) A 112-layer 5th generation BiCS FLASH™ and a 218-layer 8th generation BiCS FLASH™ technologies. The new lineup of 9th generation BiCS FLASH™ products will incorporate one of these, depending on the model.

Kioxia

Mit der DS225+ komplettiert Synology die neue Plus-Serie und bringt nach der DS725+, DS925+ (Test) und DS425+ das neue 2-Bay-Modell auf den Markt. Im Handel ist es bei ersten Händlern auch bereits zur unverbindlichen Preisempfehlung von 355,81 Euro verfügbar.

Die DS225+ für bis zu zwei HDDs setzt auf die gleiche Hardware wie die für bis zu vier HDDs ausgelegte DS425+ und ist unterhalb der DS725+ mit Ryzen-CPU angesiedelt.

Jetzt mit 2,5 Gigabit im LAN

Die wichtigste Veränderung im Vergleich zum Vorgänger, der DS224+ (Test), liegt bei den Netzwerkanschlüssen. Denn anstelle von zwei 1-Gigabit-LAN-Anschlüssen setzt die DS225+ nun auf einen LAN-Anschluss mit 2,5 Gigabit/s und einen LAN-Anschluss mit 1 Gigabit/s. In Netzwerken, die diese LAN-Geschwindigkeit unterstützen, kann die Übertragungsrate allein dadurch und auch ohne veränderte Hardware enorm erhöht werden. Synology selbst spricht von 280/210 MB/s beim Lesen bzw. Schreiben.

Unveränderter Prozessor und Arbeitsspeicher

Denn beim Prozessor und Arbeitsspeicher gibt es mit der DS225+ im Vergleich zur DS224+ keine Veränderungen. Beim Prozessor nutzt Synology weiterhin den Intel Celeron J4125. Er entstammt der Gemini-Lake-Refresh-Serie, die schon Ende 2019 veröffentlicht wurde. Der Celeron J4125 bietet vier CPU-Kerne bei insgesamt vier Threads. Der Basistakt beträgt 2,0 GHz, im Turbo können die Kerne aber auf bis zu 2,7 GHz takten. Die TDP liegt bei 10 Watt und der Cache ist 4 MB groß. Der J4125 verfügt über eine integrierte Intel UHD Graphics 600, so dass Videos über diese schneller transkodiert werden können.

Der Arbeitsspeicher ist ab Werk nur 2 GB groß, bietet keine Fehlerkorrektur (ECC) und ist auf der Platine verlötet. Über die Vorderseite des NAS kann jedoch ein weiteres DDR4-SODIMM-Modul mit offiziell maximal 4 GB eingesetzt werden.

Keine M.2-SSDs

Auch die restliche Ausstattung des neuen NAS bleibt unverändert. So verfügt auch die DS225+ insbesondere nicht über M.2-Steckplätze für einen SSD-Cache oder ein SSD-Volume. Möchte man SSDs mit kurzen Zugriffszeiten in der DS225+ nutzen, kann nur auf 2,5-Zoll-SATA-SSDs in den normalen Laufwerksrahmen anstelle von HDDs zurückgegriffen werden.

Nur zertifizierte HDDs auch für die DS225+

Wie bei den anderen NAS ab der neuen Plus-Serie können auch in der DS225+ nur noch Synologys eigene oder zertifizierte HDDs von anderen Herstellern eingesetzt werden. Die Kompatibilitätsliste der DS225+ listet aktuell nur Synologys eigene HDDs auf. Eine Zertifizierung von Laufwerken anderer Hersteller ist bislang nicht erfolgt.

Ein Schlupfloch stellt für Besitzer eines Synology-NAS noch die Migration dar. Laufwerke aus einem älteren Synology-NAS können in die neue DS225+ umgezogen und dann weiterhin genutzt werden.

ComputerBase erläutert in einem gesonderten Bericht, was die neue HDD-Richtlinie genau bedeutet, was derzeit noch möglich ist, was nicht mehr funktioniert und wie sich die Laufwerkssperre derzeit noch umgehen lässt.

Preis und Verfügbarkeit

Die Synology DS225+ ist ab sofort im Handel erhältlich. Ein Händler listet die DS225+ aktuell bereits als lieferbar. Synology nennt eine unverbindliche Preisempfehlung von 299 Euro zuzüglich Mehrwertsteuer, was in 355,81 Euro resultiert. Der Vorgänger, die DS224+, war im August 2023 für ebenfalls rund 356 Euro (UVP) auf den Markt gekommen. Die DS224+ ist derzeit im Handel ab 327 Euro verfügbar.