Apps & Mobile Entwicklung

Bis zu 10 GB/s: Samsungs stellt neuen UFS-5.0-Speicher vor


Samsung hat nach eigenen Angaben den ersten UFS-5.0-Speicher der Branche entwickelt. Die Lösung soll deutlich höhere Übertragungsraten als UFS 4.1 liefern und richtet sich laut Samsung vor allem an künftige Geräte, auf denen KI-Funktionen lokal ausgeführt werden.

Bis zu 10,8 GB/s beim Lesen

Der neue Speicher basiert auf dem aktuellen UFS-5.0-Standard der JEDEC und erreicht laut Samsung eine sequenzielle Leserate von bis zu 10,8 GB/s. Beim Schreiben nennt der Hersteller bis zu 9,5 GB/s. Damit soll der Speicher mehr als doppelt so schnell arbeiten wie Lösungen nach UFS 4.1.

Samsung positioniert UFS 5.0 vor allem mit Blick auf lokale KI-Anwendungen. Große Sprachmodelle und andere generative KI-Funktionen werden zukünftig vermehrt direkt auf Endgeräten ausgeführt, statt ausschließlich in der Cloud. Dadurch steigen auch die Anforderungen an Speicherbandbreite und Reaktionszeiten.

Geringere Abmessung, höhere Effizienz

Neben der Geschwindigkeit nennt Samsung auch eine verbesserte Energieeffizienz. Der neue Speicher soll mehr als 40 Prozent effizienter arbeiten als Samsungs bisherige UFS-4.1-Lösung. Erreicht werde das unter anderem durch Techniken wie Clock Gating und unterschiedliche Spannungsbereiche.

Auch beim Platzbedarf gibt es Änderungen. Der UFS-5.0-Speicherbaustein misst 7,5 × 13 × 0,9 Millimeter und fällt damit 16,7 Prozent kleiner aus als beim Vorgänger. Das soll Herstellern mehr Spielraum beim internen Aufbau mobiler Geräte geben.

Serienproduktion ab Ende 2026

Die Massenproduktion von UFS 5.0 soll im vierten Quartal 2026 beginnen. Samsung plant Varianten mit Kapazitäten von bis zu 1 TB. Als Zielgeräte werden unter anderem Flaggschiff-Smartphones, XR-Headsets und KI-Wearables genannt. Konkrete Endgeräte mit UFS 5.0 nennt Samsung bisher aber noch nicht. Entsprechend bleibt offen, wann der neue Speicher erstmals in Smartphones oder anderen Geräten für Endkunden auftauchen wird.



Source link

Beliebt

Die mobile Version verlassen