DRAM-Ausbaupläne im Detail: Viel zusätzliche Kapazität bis 2030 ist dennoch nicht genug

Die DRAM-Hersteller rüsten massiv auf. Geplant sind umfangreiche Kapazitäts­erweiterungen bis 2030, aber selbst diese werden wohl nicht ausreichen. Laut Aussagen von SK Hynix frage die Kundschaft aktuell effektiv nach der fünffachen Menge des heutigen Stands, aber bis 2030 wird man sie maximal verdoppeln können. Die Details.

Zusätzliche DRAM-Kapazität kommt nicht über Nacht

Kaum ein Thema ist aktuell so präsent wie Speicher. Überall wird er benötigt, aber wenn man ihn denn überhaupt bekommen kann, ist er teuer. Das Angebot ist viel zu gering für die Nachfrage, entsprechend hoch sind die Preise. Und das wird sich auch auf absehbare Zeit nicht ändern, sodass einige Analysten aktuell raten, lieber jetzt noch zuzugreifen, statt zu warten, denn im kommenden Jahr und vermutlich auch noch Anfang 2028 wird die Situation wohl noch schlimmer sein als jetzt. Erste zusätzliche Kapazität wird frühestens 2028 online gehen. Ehe diese jedoch im Markt spürbar ankommt, vergeht noch einmal viel Zeit. Ohnehin hängt vieles davon ab, wie viele zehntausend Wafer pro Monat es werden, um nicht nur den sprichwörtlichen Tropfen auf den heißen Stein darzustellen.

Genau so, gefühlt kleckerweise, wird der Ausbau vonstatten gehen. Kein Speicherhersteller verdoppelt seine Kapazität innerhalb von ein bis zwei Jahren, dafür braucht es eher vier bis fünf Jahre. Genau diese Marschrichtung hatten Samsung und SK Hynix als Marktführer zuletzt noch einmal klargestellt. Ein Analyst von Citrini hat versucht, die Entwicklung zusammenzufassen.

Gemäß den vorliegenden Daten haben die großen Speicherhersteller Samsung, SK Hynix, Micron und CXMT zum Ende dieses Jahres eine Kapazität von insgesamt rund 2 Millionen Wafern im Monat für die DRAM-Fertigung. Bis Ende 2030 könnte diese Zahl auf 4,8 Millionen Wafer im Monat anwachsen. Diese Zahl inkludiert alle Fertigungsstufen von D1a, D1b, D1c bis D1d und stellt nur die theoretische maximale Kapazität vor Yield und Zuweisung dar. Gerade durch diese Faktoren kann das, was letztlich als Chip mit einer gewissen Kapazität im Markt ankommt, als Menge deutlich abweichen.

CXMT hat viel Kapazität, aber …

Dass CXMT bereits fast zu Micron aufgeholt hat, ist auf den ersten Blick überraschend, doch das eine Unternehmen (CXMT) fertigt nur DRAM, während Micron auch alle anderen Speicherarten produziert. Mit einer auf den ersten Blick vergleichsweise geringen DRAM-Kapazität sowie den anderen Bereichen hat Micron zuletzt eine Quartalsgewinn von 26 Milliarden US-Dollar erzielt.

CXMT wiederum steht laut aktuellem Bericht der Financial Times bei bestenfalls 4,8 Milliarden US-Dollar, Module mit CXMT-Chips sind dabei im Handel aber kaum günstiger*.

Zwischen theoretischen Kapazitäten, Technologien, Ausbeute und letztlich Verkäufen mit Gewinn klafft im Vergleich zu den westlichen Herstellern noch eine große Lücke. Ein Börsengang von CXMT könnte laut Reuters aber bereits am 15. Juli erfolgen und zusätzliches Geld in die Kasse spülen.

Massiver Ausbau in den kommenden fünf Jahren

Samsung und SK Hynix fführen bei den westlichen Herstellern den Ausbau an. In China übernimmt die kombinierte Kraft von CXMT, YMTC, Swaysure, JHICC und eventuell noch weiteren Unternehmen. Der Staat zwingt CXMT und seine Partner dazu, die Grundlagen auch anderen Herstellern zur Verfügung zu stellen, damit schnell Speicher primär für die eigenen Bedürfnisse gebaut werden kann. Im besten Fall könnte diese kombinierte Kraftanstrengung die Menge Speicher hervorbringen, die Samsung Ende 2030 produziert. Bei Samsungs Ausbauplänen spielt wiederum mit hinein, dass vermutlich rund ein Drittel für NAND genutzt wird.

Viele Fragezeichen bei China bleiben – aber sie kommen

Ein großes Fragezeichen steht in China zudem über der verwendeten Technologie. Bisher wurden primär westliche Tools genutzt, nun müssen lokal gefertigte Maschinen übernehmen und sollen dies ab 2027 und 2028 auch verstärkt tun. Dies wiederum hat jedoch große Auswirkungen auf den tatsächlichen Durchsatz und die Ausbeute und lässt dementsprechend sehr viel Spielraum für die am Ende tatsächlich gelieferten Bits in den Markt. Da Geld bei derart wichtigen Projekten für das Land aber quasi keine Rolle spielt, dürften zusätzliche Anlagen dies ausgleichen.

HBM braucht eine viel größere Wafermenge

Viel hängt auch davon ab, wie sich der Markt für HBM entwickelt. HBM3 benötigt aufgrund größerer Dies, TSVs und eines breiteren Interfaces bereits dreimal so viel Silizium für die gleiche Menge an Bits wie DDR5. Bei HBM4E steigt das Verhältnis schon auf 4:1, erklärte Micron vor über einem Jahr. Mit HBM5 dürfte es noch weiter ansteigen, ein Teil der neuen Kapazität wird am Ende also bereits dafür gebraucht, um die gleiche Menge Bits nur für schnelleren HBM zu produzieren. Mehr Chips kommen so effektiv nicht in den Markt.

HBM3E consumes three times the amount of silicon compared to D5 to produce the same number of bits. Looking ahead, we expect the trade ratio to increase with HBM4, and then again with HBM4E when we expect it to exceed 4 to 1. This sustained and significant increase in silicon intensity for the foreseeable future contributes to tightness for industry leading edge node supply and constrains capacity for non-HBM products.

Micron

Selbst 2030 fehlt noch viel Kapazität

Am Ende sieht die Prognose für das Jahr 2030 nicht rosig aus. Denn selbst mit allen Ausbauten könnten nach bisherigen Daten nur 76 Prozent des prognostizierten Bedarfs gedeckt werden. Da zuletzt die Prognosen zudem eher noch schlechter wurden, könnte die Lücke noch größer werden. Ohnehin bleibt abzuwarten, ob all diese Prognosen zutreffen werden und wie sich der Markt tatsächlich entwickeln wird.

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