Drei Wochen nach Samsung: Jetzt liefert auch SK Hynix erste HBM4E-Musterchips aus

Knapp drei Wochen nach Samsung verkündet auch SK Hynix die Auslieferung der ersten Musterchips des Speicherstandards HBM4E. Die Eckdaten lesen sich identisch: Auf 12 DRAM-Schichten können 48 GB gespeichert werden. Der Durchsatz pro Pin liegt bei bis zu 16 Gbit/s.

SK Hynix liefert HBM4E als Muster aus

Auch wenn SK Hynix noch als Marktführer bei High Bandwidth Memory (HBM) gilt, war der Konkurrent Samsung diesem zuvorgekommen und hatte bereits Ende Mai die Auslieferung von HBM4E-Mustern verkündet. Somit schrieb sich Samsung das „Industry First“ auf die Fahne.

Keine drei Wochen später folgt nun SK Hynix und könnte Samsungs Mitteilung eigentlich fast 1:1 übernehmen, denn letztlich ist das Endprodukt vergleichbar. Bei beiden Herstellern startet die HBM4E-Generation mit einem 12-Layer-Stapel (12-Hi) für insgesamt 48 GB Speicherkapazität. Jede der zwölf DRAM-Schichten liefert demnach 4 GB oder 32 Gbit. Gleichzeitig steigt der Durchsatz pro Pin auf bis zu 16 Gbit/s. Für den gesamten Speicherbaustein (Stack) bedeutet das einen Bruttodurchsatz von satten 4 TB/s, denn HBM4E besitzt wie HBM4 2.048 Pins. HBM4 ist am Ende aber kaum langsamer, denn Samsung fertigt bereits Chips mit knapp 12 Gbit/s in Serie und hat 13 Gbit/s in Aussicht gestellt.

Allerdings hat Samsung zunächst von einer stabilen Geschwindigkeit von 14 Gbit/s pro Pin (3,6 TB/s pro Stack) gesprochen und eine mögliche Erhöhung auf bis zu 16 Gbit/s in Aussicht gestellt. Da HBM4 inzwischen bei rund 12 Gbit/s angekommen ist und sogar noch 13 Gbit/s erreichen soll, ist der Sprung gar nicht so groß. Abzuwarten bleibt jedoch, wie es im stabilen Dauerbetrieb aussieht, hier klang es zuletzt danach, als würde bei HBM4 etwas Geschwindigkeit geopfert werden.

SK Hynix spricht in der Pressemitteilung zu den HBM4E-Mustern lediglich von 16 Gbit/s als Maximum. Wie schnell die Muster bei beiden letztlich wirklich arbeiten, ist nicht bekannt. Traditionell starten Speicherchips zunächst mit geringeren Geschwindigkeiten und erst im Laufe der Optimierung des Herstellungsprozesses steigt der Anteil der Chips, die den maximalen Durchsatz auch schaffen.

SK Hynix wirbt damit, dass der eigene HBM4E nicht nur schneller ist, sondern auch 20 Prozent effizienter (Leistung/Watt) arbeiten soll als der bisherige HBM4.

Der neue Ansatz mit Kühlelementen direkt im Package, den SK Hynix iHBM nennt, kommt hier aber noch nicht zum Einsatz. Dennoch will der Hersteller den Wärmewiderstand gegenüber HBM4 um 17 Prozent verringert haben. Dabei habe die „Advanced-MR-MUF“-Technik geholfen. MR-MUF steht für Mass Reflow Molded Underfill und meint den Einsatz einer flüssigen Schutzschicht zwischen den DRAM-Dies.