Fast 5 GB pro mm²: Sandisk und Kioxia kommen mit höchster Bitdichte zum ISSCC

Das Programm für die International Solid State Circuits Conference (ISSCC) 2026 steht. Im Bereich NAND-Flash-Speicher wollen die Partner Kioxia und Sandisk die Messlatte bei der Flächendichte noch einmal deutlich höher legen. Satte 37,6 Gbit/mm² oder umgerechnet 4,7 GByte pro mm² soll der kommende QLC-NAND erreichen.

Kioxia und Sandisk legen Messlatte für QLC-NAND höher

Die Session 15.1 im Programm für die ISSCC 2026 (PDF) trägt den Titel „A 2Tb 4b/Cell 6-Plane 3D-Flash Memory with 37.6Gb/mm² Bit
Density and >85MB/s Write Throughput“ und wird von Vertretern von Kioxia aus Japan und Sandisk abgehalten. Daraus lässt sich ein neuer QLC-NAND mit 4 Bit pro Zelle ableiten, der satte 37,6 Gbit/mm² speichern kann. Dass es sich dabei um den BiCS10 QLC mit einem 332-Layer-Design handeln wird, ist eine sehr naheliegende Vermutung. Dazu passt auch die Steigerung von rund 30 Prozent bei der Bitdichte gegenüber der TLC-Variante von BiCS10, die bei 3 Bit pro Zelle auf geschätzte 29,1 Gbit/mm² kommt. Der Schritt von 3 Bit auf 4 Bit bedeutet eine Steigerung von 33 Prozent, was die Rechnung also fast exakt aufgehen lässt.

Wie schon der BiCS8-QLC-NAND, BiCS9 wird übrigens ein Querläufer in der Roadmap, bietet auch der BiCS10 in der QLC-Version eine Speicherkapazität von 2 Tbit (256 GB) pro Die. Damit sind inzwischen 8 TB in einem einzigen Chipgehäuse (Package) möglich. Das schafft inzwischen auch SK Hynix mit seinem V9 QLC mit 321 Layern, zu dem aber noch keine verlässlichen Angaben zur Speicherdichte vorliegen.

Mit 2 Tbit Speichervolumen bei 37,6 Gbit pro mm² lässt sich beim BiCS10 QLC wiederum sogar die Chipfläche ausrechnen, die also bei etwa 55 mm² liegen muss.

Erneut mehr Schreibdurchsatz für QLC

Auch in puncto Leistung dürfte es erneut einen Schritt nach vorn geben, denn BiCS10 soll zumindest in der TLC-Version ein NAND-Interface mit 4,8 Gbit/s erhalten, während BiCS8 auf aktuell bereits sehr schnelle 3,6 Gbit/s kommt. Unter anderem soll ein 6-Plane-Aufbau dem BiCS10 QLC zudem zu einer Schreibrate von über 85 MB/s verhelfen. Das ist zwar immer noch deutlich weniger als bei TLC-NAND, doch zum Beispiel noch ein Stück schneller als die 75 MB/s beim V9 QLC von SK Hynix.

Mehr Bit pro Layer als Samsung

In der aktuellen Generation BiCS8 können sich Kioxia und Sandisk damit rühmen, trotz vergleichsweise geringer Anzahl von 218 Zellschichten (Layer) bei der Flächendichte der Konkurrenz Paroli zu bieten. Zudem gelten die BiCS8-TLC-Chips derzeit als die schnellsten im Markt, sodass die schnellsten SSD-Flaggschiffe wie die WD_Black SN8100 (Test) oder die Corsair MP700 Pro XT (Test) damit bestückt sind.

Mit dem großen Schritt auf 332 Layer wollen Kioxia und Sandisk dann auch Samsungs V10 mit voraussichtlich mehr als 400 Layern bei der Flächendichte in Schach halten. Beim Interface könnte Samsung aber die Nase vorn haben, denn der südkoreanische Hersteller hat für seinen V10 TLC bereits 5,6 Gbit/s in Aussicht gestellt.

Die ISSCC 2026 startet am 15. Februar 2026.