Speicherproduktion fährt hoch: SK Hynix und Samsung entdecken DRAM neu und setzen nicht alles auf HBM

SK Hynix ist aktuell Marktführer bei HBM, doch die Konkurrenz holt auf. Eine gute Zeit, die DRAM-Produktion wieder hochzufahren, die bei den explodierenden Preisen mitunter sogar eine höhere Marge verspricht. Koreanische Medien berichten von einer Anpassung in der Strategie des Unternehmens.

Ursprünglich wollte SK Hynix klassischen DRAM noch weiter zugunsten von HBM zurückfahren. Letzte Kapazitätserweiterungen gingen fast ausschließlich in diese Richtung, da es kaum Konkurrenz gab, rechnete sich das auch. Doch nun sind Samsung und auch Micron erwacht und liefern nicht nur HBM3E, sondern bald auch HBM4. Ein Durchmarsch wie bei HBM3E wird SK Hynix deshalb vermutlich nicht mehr erleben.

SK Hynix treibt Umrüstung für mehr speicher-Output voran

Die stark gestiegene Nachfrage nach klassischem DRAM und die explodierenden Preise lassen jedoch eine Neujustierung zu. SK Hynix plante bereits, im Jahr 2026 die Nutzung der Speicherfertigung im 1c-Prozess voranzutreiben, der in erster Linie für DDR5, LPDDR5X und auch GDDR7 gedacht ist. Aktuell fertigt SK Hynix in modernen „1cnm“ nur etwa 20.000 Wafer im Monat. Laut südkoreanischen Medien soll die Zahl bis Ende 2026 auf 190.000 Wafer im Monat anwachsen können.

SK Hynix‘ M14-Fabrik spielt dabei die wichtigste Rolle. Bisher war sie für Flash und älteren Speicher im Einsatz, soll sie nun und nach der Umrüstung ausschließlich DRAM fertigen. Mit bis zu 130.000 Wafern im Monat wird sie die wichtigste Fabrik für klassischen Speicher, während der Fab-Neubau M15X 90.000 Wafer im Monat für HBM belichtet – 60.000 davon aber noch in „1bnm“ für HBM3E.

Sollte SK Hynix die Produktion wirklich so schnell hochfahren können, dürfte sich das rechnen. Analysten gehen nicht davon aus, dass sich die Speichernachfrage in den kommenden Monaten beruhigt, es dürfte eher länger dauern. Das wiederum wird der Marge des Unternehmens zu Gute kommen: Zwar ist DRAM immer noch deutlich günstiger als HBM pro Gigabyte, aber der Waferverbrauch ist auch viel geringer – bei zukünftigen HBM4(E) spricht man vom vierfachen Verbrauch pro Bit, schon der dreifache Verbrauch für HBM3 hat auch zur aktuellen DRAM-Krise beigetragen. Margen jenseits der 70 Prozent sind deshalb aber sowohl für HBM als auch DRAM möglich.

HBM3E consumes three times the amount of silicon compared to D5 to produce the same number of bits. Looking ahead, we expect the trade ratio to increase with HBM4, and then again with HBM4E when we expect it to exceed 4 to 1. This sustained and significant increase in silicon intensity for the foreseeable future contributes to tightness for industry leading edge node supply and constrains capacity for non-HBM products.

Micron

Samsung plant wohl Ähnliches

Auch bei Samsung könnte sich etwas in der Richtung tun, schreiben südkoreanische Medien. Hier sollen schnellstmöglich Produktionslinien von älteren „1anm“ auf „1bnm“ umgerüstet werden, sodass sie für schnellen LPDDR5X, DDR5 und auch GDDR7 geeignet sind. Aktuell wird Samsungs 1a-Prozess auch für HBM3E genutzt, HBM4 wiederum soll direkt auf „1c“ setzen. HBM3 wird jedoch ab nächstem Jahr weniger gefragt sein, HBM4 bekommt den vollen Fokus. Der HBM3-Zug war für Samsung ohnehin bereits fast abgefahren, Samsung erzielte deshalb mit DRAM bereits höhere Margen als mit HBM.