Unberechenbare Speicherpreise: Samsung schließt selbst intern keine Jahresverträge mehr ab

Samsungs Chipsparte hat angeblich einen geplanten Jahresvertrag der eigenen Smartphone-Sparte mit Anfrage nach Speicher abgelehnt. Statt zwölf Monate als Langzeitvertrag zugesichert zu bekommen, sollen sie höchstens Verträge für je ein Quartal erhalten.

Langzeitverträge, im Englischen Long Term Agreements (LTA), sind in der Halbleiterproduktion wie auch in vielen anderen Industriezweigen die Regel. Stehen Neuverhandlungen aber in Zeiten von Ungewissheit über die Entwicklung an, wird das Thema kompliziert. Dies scheint nun Samsungs MX-Division, die die Smartphones, Tablets und Co. auf den Markt bringt, im eigenen Haus erfahren zu müssen. Denn Samsungs DS-Sparte, wie die Abteilung für die Produktion von Chips, RAM, NAND-Flash und mehr heißt, soll einen geplanten Vertrag abgelehnt haben.

Der Blick auf die Speicherpreise zeigt, warum es zu dieser Entscheidung kam. Kosteten 12 GByte LPDDR5X bis zur Mitte des Jahres nur knapp über 30 US-Dollar, waren es Ende November bereits 70 US-Dollar. Aktuell ist bei der Preisentwicklung nach oben kein Ende abzusehen, sodass Langzeitverträge für die DS-Sparte schnell ein Minusgeschäft werden könnten, wenn die Preise im freien Markt weiterhin deutlich steigen. In diese Falle soll kürzlich laut Gerüchten Kioxia mit Kunde Apple gelaufen sein. Apple konnte sich angeblich Speicher zum Schnäppchenpreis für 2026 sichern.

Das Problem selbst für klassischen DRAM und NAND ist aktuell, dass der AI-Markt jedweden Speicher aufsaugt. Die Umrüstung bei den großen Speicherherstellern von DRAM auf HBM brachte die ersten Kapazitätsengpässe hervor, da aber weder ausreichend HBM verfügbar ist und nun auch noch DRAM und Flash mit anziehen, ist das Dilemma perfekt. Unterm Strich steht so nämlich ein viel zu hoher Waferverbrauch, die Produktion kommt bei der hohen Nachfrage nicht hinterher.

HBM3E consumes three times the amount of silicon compared to D5 to produce the same number of bits. Looking ahead, we expect the trade ratio to increase with HBM4, and then again with HBM4E when we expect it to exceed 4 to 1. This sustained and significant increase in silicon intensity for the foreseeable future contributes to tightness for industry leading edge node supply and constrains capacity for non-HBM products.

Micron

LPDDR nun auch vermehrt für AI-Lösungen

Vor allem LPDDR wird hierbei ein großes Problem nachgesagt, denn diese Lösungen sollen in Zukunft vermehrt als günstigerer Speicher für AI-Produkte – also zumindest günstiger als HBM – eingesetzt werden. So haben Intel und Qualcomm bereits erste AI-Beschleuniger mit LPDDR angekündigt, auch Nvidia wird diese nutzen. Und SOCAMM ist letztlich auch nur LPDDR, hier jedoch als gesteckte beziehungsweise verschraubte Lösung.

Und dem gegenüber steht der große Smartphone-Markt: In jedem neu startenden Gerät ist LPDDR nötig. Geringe Kapazitäten und Liefermengen, gepaart mit hohen Preisen, dürften auch hier 2026 Auswirkungen zeigen, denkbar etwa in Form eines verspäteten Marktstarts und/oder höherer Preise.