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Snapdragon X2 Elite im Benchmark: Alle drei SoCs im Vergleich mit Apple, AMD und Intel
Nach ersten Benchmarks mit dem größten Snapdragon X2 Elite Extreme alias X2E-96-100 auf einem unbeschränkten Referenzgerät konnte ComputerBase jetzt auch mit den beiden kleineren Ablegern X2E-88-100 mit 18 Kernen und X2E-80-100 mit 12 Kernen erste Benchmarks auf einem alternativen Referenzgerät mit nur 22 Watt TDP ausführen.
Zur Vorstellung des Snapdragon X2 zum Snapdragon Summit hatte Qualcomm Benchmarks auf einem Referenzdesign des Herstellers mit dem größten Snapdragon X2 Elite Extreme alias X2E-96-100 ermöglicht. Das Testsystem war dabei „unconstrained“ ausgelegt, sodass die maximale Leistung abgerufen werden konnte. Die Benchmark-Notebooks liefen mit Qualcomm vorinstallierten Benchmarks, die von den anwesenden Medien eigenständig am Netzteil oder nur mit Batterie ausgeführt werden konnten.
Benchmarks auf Referenzgerät mit 22 Watt TDP
Zum letzte Woche durchgeführten Architecture Day am Firmensitz von Qualcomm in San Diego, Kalifornien waren erstmals auch Benchmarks mit den zwei kleineren Ablegern möglich: mit dem Snapdragon X2 Elite (ohne Extreme und mit weniger Takt, aber ebenfalls mit 18 Kernen) alias X2E-88-100 und mit dem 12-Kern-Modell Snapdragon X2 Elite alias X2E-80-100. Diese Chips waren zudem nicht mehr in einem „unconstrained“ Referenzdesign verbaut, sondern in einem kleineren mit 22 Watt TDP.
Zwischen dem Snapdragon Summit und dem Architecture Day erfolgte zudem der Test des MacBook Pro mit M5, sodass jetzt auch dessen Ergebnisse in den Diagrammen zu finden sind. Bislang waren darin lediglich M4 und M4 Pro vertreten.
Qualcomm verliert Single-Core-Krone wieder
Der M5 ist es dann auch, der Qualcomm sogleich die Single-Core-Krone wieder entzieht und sich mit 6 Prozent Vorsprung an die Spitze setzt – und das mit 4,61 GHz statt 5,0 GHz. Direkt dahinter folgt der X2E‑96‑100, bevor mit weiteren 6 Prozent Abstand die kleineren Modelle X2E‑88‑100 und X2E‑80‑100 folgen. Da sie beide mit maximal 4,7 GHz arbeiten, fallen die Ergebnisse identisch aus.
Anders sieht es beim Multi-Core-Test aus, den Qualcomm vor allen anderen Prozessoren für sich entscheidet. Mit 22 Watt TDP statt „unconstrained“ sowie 4,0 GHz statt 4,4 GHz Multi-Core-Boost (Prime) und 3,4 GHz statt 3,6 GHz Multi-Core-Boost (Performance) fehlen dem kleineren X2E‑88‑100 hier 14 Prozent auf den „Extreme“. Mit 12 Kernen fällt das Ergebnis um weitere 21 Prozent. Damit landet Qualcomm 7 Prozent vor dem Apple M4 und 10 Prozent hinter dem M5. Sehr ähnlich verhalten sich die drei Qualcomm-Prozessoren in Relation zum Wettbewerb im Cinebench 2024 ST und MT.
Konkurrenzlos schnelle NPU
KI-Workloads auf der dedizierten NPU dominiert Qualcomm dank 80 TOPS (INT8), wobei sich in diesem Procyon-Test ein kleiner Vorteil von 4 Prozent für den „unconstrained“ X2E-96-100 zeigt.
Adreno-X2-GPUs mit sehr hoher Leistung
GPU-Benchmarks waren auf der neuen Plattform ebenfalls möglich. Aufgrund der zeitlich stark limitierten Benchmark-Session stammen die 3DMark-Werte des X2E‑88‑100 und X2E‑80‑100 aber direkt von Qualcomm und sind lediglich in FPS statt Punkten im Diagramm zu finden. Das Ergebnis des X2E-96-100 stammt aus einer eigenständigen Messungen vom Snapdragon Summit.
Auch in diesen Diagrammen ist jetzt der M5 vertreten, der in dem anspruchsvollen Raster-Benchmark „Steel Nomad Light“ 7 Prozent hinter dem X2E-96-100 landet. Die kleineren Modelle dürften sich auf M4-Niveau oder teils darüber einsortieren, exakt sagen lässt sich das ohne eigenständige Messungen in Punkten aber noch nicht.
Was aber ersichtlich ist, ist die hohe Raytracing-Leistung des M5 im „Solar Bay“, mit der Apple mit 6 Prozent Vorsprung knapp an Qualcomm vorbeizieht. Der Snapdragon X2 Elite Extreme klettert im Feld aber sehr weit nach oben: 41 Prozent vor Lunar Lake (Core Ultra 9 288V), 37 Prozent vor dem M4 und die doppelte Leistung des Ryzen AI 9 HX 370.
Technische Daten des Snapdragon X2 Elite (Extreme)
ComputerBase hat Informationen zu diesem Artikel von Qualcomm im Rahmen einer Veranstaltung des Herstellers in San Diego unter NDA erhalten. Die Kosten für Anreise, Abreise und drei Hotelübernachtungen wurden von dem Unternehmen getragen. Eine Einflussnahme des Herstellers auf die oder eine Verpflichtung zur Berichterstattung bestand nicht. Die einzige Vorgabe war der frühestmögliche Veröffentlichungszeitpunkt.
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Microns Megafab in New York: Baubeginn der größten US-Chip-Fabrik steht kurz bevor

Micron hat den Baubeginn für die bisher größte Halbleiterfabrik in den USA angekündigt. Am 16. Januar geht es los. Das Projekt „Megafab“ soll insgesamt 100 Milliarden US-Dollar verschlingen. Die ganze Anlage soll bis zu vier Fabriken in sich vereinen. Die Vollendung wird aber noch Jahrzehnte dauern.
Die Umweltaspekte sind geprüft und die Genehmigungen liegen vor, erklärt Micron heute und gibt bekannt, dass der Spatenstich für die Megafabrik in Onondaga County, New York am 16. Januar 2026 erfolgt.
Erste Chips frühestens 2030
Das Projekt wird als „größte private Investition in der Geschichte des Bundesstaates New York“ bezeichnet und soll die „modernste Speicherfertigung der Welt beherbergen“. Vor allem Chips für KI-Rechenzentren sollen dann vom Band laufen, doch das wird noch viele Jahre dauern. Zuletzt hatte sich angedeutet, dass die Produktion der ersten von insgesamt vier geplanten Fabs, erst Ende 2030 beginnt. Die letzte Produktionsstätte könne sogar bis nach 2040 auf sich warten lassen. Diese Termine sind allerdings nicht ganz offiziell und auch heute wagt Micron keine öffentliche Prognose.
Teil einer 200 Mrd. USD schweren Großoffensive
Die Megafab ist Teil eines 200 Milliarden US-Dollar schweren Investitionsplans des Speicherherstellers Micron, der 150 Milliarden US-Dollar in die Speicherfertigung in den USA investieren will. Weitere 50 Milliarden US-Dollar sollen in Forschung und Entwicklung fließen. Dies soll in 90.000 neue Arbeitsplätzen resultieren, in direktem aber vor allem indirekten Umfeld.
Die Summe stemmt Micron aber nicht im Alleingang, denn Subventionen der US-Regierung kommen unter anderem im Rahmen des Chips Act hinzu.
Daher werden zum Spatenstich auch Vertreter der Trump-Administration, des Kongresses und der Regierung des Bundesstaates New York geladen.
„Der Spatenstich für Microns Megafabrik in New York ist ein entscheidender Moment für Micron und die Vereinigten Staaten“, wird Sanjay Mehrotra, Vorstandsvorsitzender und CEO von Micron Technology, in der Ankündigung zitiert. Zudem dankt er Präsident Trump, obgleich ein Großteil der Subventionen schon unter der vorherigen Regierung auf den Weg gebracht wurde.
„Da die Weltwirtschaft in das Zeitalter der künstlichen Intelligenz eintritt, wird die führende Rolle bei fortschrittlichen Halbleitern der Grundstein für Innovation und wirtschaftlichen Wohlstand sein. Unsere Investitionen und Fortschritte festigen unsere Position als einziger US-amerikanischer Speicherhersteller“, mit diesen Worten vom Micron-CEO endet die kurze Mitteilung. Dass das Ganze auch eine geopolitische Entscheidung war, um die USA unabhängiger von Taiwan und Südkorea aufzustellen, ist kein Geheimnis.
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Retro-Handhelds: Ayns Thor Lite ab sofort vorbestellbar

Bereits vor einiger Zeit hatte Retro-Spezialist Ayn eine günstigere Variante seines Thor-Handhelds angekündigt, die ab sofort vorbestellt werden kann. Die Unterschiede zum großen Bruder fallen dabei gering aus, ebenso wie der Preis.
Länger bekannt
Eigentlich sollte der Thor Lite schon vor einigen Monaten in die Vorbestellung gehen, war im hauseigenen Ayn-Shop jedoch stets als nicht lieferbar gekennzeichnet. Nun scheint erneut Bewegung in die Sache zu kommen, denn mit der bevorstehenden zweiten Charge des Thor kann jetzt auch die Lite-Variante geordert werden.
Von Unterschieden und Gemeinsamkeiten
Das Gehäuse entspricht nach wie vor dem des großen Bruders und beherbergt ebenfalls das Dual-Display, bestehend aus einem 6 Zoll und einem 3,92 Zoll großen AMOLED-Panel, die ebenso mit 1.920 × 1.080 beziehungsweise 1.240 × 1.080 Pixeln auflösen. Während das Hauptdisplay Inhalte mit einer Bildwiederholrate von bis zu 120 Hz darstellt, arbeitet das kleinere Panel mit lediglich 60 Hz.
Die größten Unterschiede zeigen sich beim verbauten Prozessor: Statt des leistungsstärkeren Snapdragon 8 Gen 2 von Qualcomm mit der Grafikeinheit Adreno 740 kommt im Thor Lite ein Snapdragon 865 mit Adreno 650 zum Einsatz. Der Arbeitsspeicher und der interne Speicher für eigene Inhalte entsprechen mit 8 GB RAM und 128 GB dem der Basisversion des Thor. Bei den kabellosen Verbindungen müssen Nutzer wiederum leichte Abstriche machen, hier stehen lediglich Wi-Fi 6 und Bluetooth 5.1 statt des moderneren Wi-Fi 7 und Bluetooth 5.3 zur Verfügung. Der Akku bietet mit 6.000 mAh wiederum die gleiche Kapazität.
Geringer Preisunterschied
Die überschaubaren technischen Unterschiede schlagen sich auch im Preis nieder: Während Ayn im eigenen Onlineshop für die Basisversion des Thor aktuell 299 US-Dollar verlangt, kostet die Lite-Variante mit 249 US-Dollar nur geringfügig weniger. Diese kann ab sofort vorbestellt werden. Wann die Auslieferung beginnen soll, hat der chinesische Hersteller bislang jedoch noch nicht bekannt gegeben.
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be quiet! Netzteil-Boost: 1.200 W für Power Zone 2 und Pure Power 13 M

Für die zwei nach dem Preisvergleich beliebtesten Netzteil-Serien (von be quiet!), Pure Power 13 M und Power Zone 2, werden zur CES 2026 eine leistungsstärkere Variante mit 1.200 Watt vorgestellt, die sich jeweils für Grafikkarten der nächsten Generation eignen sollen.
Der Wirkungsgrad bei bis zu 94,3 Prozent des Power Zone 2 soll zu bestehenden Modellen mit einer Zertifizierung nach 80Plus Platinum und Cybenetics Platinum vergleichbar sein, wohingegen sich das Pure-Power-13-M mit 93,5 Prozent auf 80Plus-Gold-Niveau bewegt.
Beide Netzteile verfügen weiterhin über den Semi-Passiv-Modus, eine Kompatibilität zu ATX 3.1 sowie PCIe 5.1 und können so Lastspitzen in Höhe der doppelten Nennleistung puffern. Das Power Zone 2 1200W ist mit gleich zwei 12V-2×6-Anschlüssen mit 600 W ausgestattet, wobei deren Kabel mit 90 Grad an einem Stecker gewinkelt sind. Das Pure Power 13 M kommt jedoch nur mit einem dieser in einer geraden Variante aus – bei beiden Netzteilen gibt es aber auch weiterhin die PCIe-8-Pin-Anschlüsse.
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