Rund anderthalb Jahre nach dem Early-Access-Start ist Hades 2 nicht nur fertig, sondern auch richtig gelungen. Der „rogue-like dungeon crawler“ im antiken Griechenland überzeugt bei den Versuchen, „Zeit totzuschlagen“.

Im Fall von Hades 2 nehmen die Entwickler diese Redewendung tatsächlich auch wörtlich. Ziel ist es, in der Rolle von Melinoë, der Tochter der Dunkelheit, die Unterwelt aus den Klauen von Chronos zu befreien, seines Zeichens Titan der Zeit. Solange er allerdings herrscht, beginnt sie stets und bei jedem Scheitern des Spielers von Neuem.

Wie im ersten Hades müssen Spieler eine Reihe von Räumen voller Feinde durchqueren ohne allzu viel Schaden zu nehmen. Upgrades werden zufällig zugelost, allerdings immer mit Alternativen versehen. Das verleiht den Dungeon-Runs ein strategisches Element. Darüber hinaus werden Spieler mit jedem Durchlauf ein wenig stärker, während zugleich neue Story-Elemente freigeschaltet werden. Scheitern gehört bei Hades zum Gewinnen und ist fest kalkulierter Teil des Spielerlebnisses.

Mit Version 1.0 fügen die Entwickler nun die letzten fehlenden Inhalte ins Spiel ein. Allen voran ist das das „echte“ Ende des Spiels, das nicht mit dem ersten Töten von Chronos endet. Außerdem werden neue Events, Musik, Herausforderungen, Errungenschaften und weitere Dinge zum Freischalten eingefügt. Nicht alles führen die Entwickler in den Patchnotes auf, den Rest müsse man selbst herausfinden, vermerken sie trocken. Die Entwicklung von Hades 2 ist damit im Grunde abgeschlossen. In der Zukunft wird es nur noch Hotfixes und Patches für Probleme und Fehler geben.

Es ist so gut

Das Ergebnis von insgesamt rund viereinhalb Jahre langer Entwicklung ist richtig gut. Auf Metacritic landet das Spiel bei im Schnitt 94 von 100 möglichen Punkten, auf Steam wird es „überwältigend positiv“ bewertet. 96% aller Urteile der letzten 30 Tage und sogar 97 Prozent aller Bewertenden heben den Daumen. Das liegt an sinnvollen Verbesserungen, denn spielerisch wird das Hades-Prinzip noch einmal deutlich weiterentwickelt. Gleichzeitig schaffen die Entwickler eine Menge toller Momente, auch dank einem Blick für Details, etwa in Form von kleinen Bemerkungen der Protagonistin. Das macht es im Wertungsschnitt zu einem heißen Anwärter auf den Spiele-Thron im Jahr 2025.

Bisher ist YMTC Chinas bester NAND-Hersteller, nun will er auch DRAM und HBM fertigen. Bei HBM3 läuft es für CXMT hingegen weiterhin nicht rund. Dies wiederum könnte die ehrgeizigen Vorhaben von Huawei mit neuen AI-Beschleunigern ins Wanken bringen, denn deren „eigene HBM-Lösung“ ist vermutlich ein Kooperationsprodukt mit CXMT.

CXMT hat Probleme bei schnellem HBM

Die Entwicklung von modernem HBM zu einem Serienprodukt ist kein Selbstläufer. Soll dieser dann auch noch stetig schneller und größer werden, wird es ungleich komplizierter, wie die ChangXin Memory Technologies (CXMT) erneut feststellen muss.

Laut Medienberichten, die sich auch auf Analysten beziehen, läuft der Hersteller aktuell in die Probleme, die auch schon bei schnellerem DDR5-Speicher aufkamen: Die Chips werden zu heiß und der Takt lässt sich nicht halten, was auch Fragen zur Haltbarkeit aufwirft.

Ähnliche Probleme musste zuletzt bekanntlich auch Samsung bei HBM3e lösen. Auch der galt ursprünglich als zu heiß, war so nicht tauglich für den dauerhaften Einsatz über Jahre hinweg. Erst mit gut anderthalb Jahren Verspätung soll Samsung diese Probleme nun endgültig gelöst haben.

Auch für CXMT bedeutet dies, dass die zuvor anvisierten Zeitpläne wohl nicht zu halten sind. Frühestens in einem Jahr kann dort mit HBM3 gerechnet werden. Inwiefern das Auswirkungen auf Huaweis Roadmap haben wird, bleibt abzuwarten.

Huawei könnte mit betroffen sein

Offiziell sagt Huawei, der in Zukunft genutzte HBM ist eine Eigenentwicklung, doch es gibt Hinweise, dass es einen Partner gibt. Im vierten Quartal 2026 will Huawei den HPC-Beschleuniger Ascend 950DT mit 144 GByte Speicher und einer Bandbreite von 4 TByte/s anbieten – das klingt auf dem Papier wie das Huawei-Pendant zu schnellem HBM2e oder gar erstem HBM3. Spätestens 2027 mit dem Ascend 960 will Huawei schon auf HBM3e setzen.

Auch YMTC soll HBM bauen

Die Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) will nach ihrem Erfolg bei NAND ins Speichergeschäft einsteigen. Vor allem der Ruf nach HBM wird in China lauter, hier sind seit Jahresanfang stärkere US-Sanktionen in Kraft getreten, die den Export von HBM nach China de facto verbieten. Laut Quellen von Reuters entwickelt YMTC nun einen passenden Stacking-Prozess mittels through-silicon via (TSV) um HBM fertigen zu können.

YMTC baut aktuell eine neue Fabrik in Wuhan, diese neue Fabrik könnte für DRAM genutzt werden, heißt es im Bericht weiter. Die beiden bestehenden Fabriken werden indes weiter ausgebaut, dabei liegt der Fokus weiterhin auf Flash-Speicher.

Qualcomm hat gegenüber ComputerBase bestätigt, bei dem bis 5 GHz taktenden High-End-Notebook-Chip Snapdragon X2 Elite Extreme zwei Fertigungsstufen aus der N3-Familie von TSMC innerhalb eines monolithischen Dies zu nutzen: N3X und N3P. TSMC sieht diese Art von Aufbau innerhalb der N3-Familie mit FinFlex auch explizit vor.

Oberhalb des Snapdragon X2 Elite, den Qualcomm mit 12 Kernen (X2E-80-100) oder 18 Kernen (X2E-88-100) anbietet, sitzt der Snapdragon X2 Elite Extreme (X2E-96-100), bei dem bis zu zwei der insgesamt zwölf Oryon-3-Prime-CPU-Kerne mit bis zu 5,0 GHz takten können. Um diese Taktfrequenz zu erreichen, vertraut das Unternehmen für ausgewählte Kerne auf den TSMC-Fertigungsprozess N3X, der als aggressive High-Performance- oder Extreme-Variante von N3P für höhere Taktraten ausgelegt ist.

Das hat Mandar Deshpande, Senior Director of Product Management bei Qualcomm, im Gespräch mit ComputerBase bestätigt. Demnach setzt Qualcomm für die Snapdragon-X2-Elite-Familie primär auf den Fertigungsprozess TSMC N3P, der auch für den Snapdragon 8 Elite Gen 5 zum Einsatz kommt, für einzelne Bereiche des Snapdragon X2 Elite Extreme aber auf N3X.

All the products we announced yesterday are built predominately in N3P, but we have made opportunistic choices using N3X transistors to get benefit of higher speeds wherever applicable.

N3X und N3P innerhalb eines monolithischen Dies

Dieses Vermischen von zwei Fertigungsprozessen innerhalb eines monolithischen Dies, also ohne den Einsatz von Chiplets, sieht TSMC auch explizit innerhalb einer Node-Familie wie in diesem Fall N3 vor. Innerhalb derselben FinFET-Architektur erlaubt TSMC mit der „FinFlex“ genannten Technologie verschiedene Fin-Konfigurationen, sodass N3X selektiv für bestimmte Bereiche des Dies wie die Prime-Cores zum Einsatz kommen kann, die besonders weit getrieben werden sollen, so wie es hier mit bis zu 5,0 GHz der Fall ist.

Design-Trade-Off: Takt vs. Leckstrom und Effizienz

Im Gegenzug erlaubt N3X höhere Spannungen bis 1,2 Volt, der Kompromiss dadurch sind höhere Leckströme und damit einhergehend eine schlechtere Effizienz. Deshalb wird N3X nicht für den gesamten Chip verwendet. Stattdessen kommt primär N3P zum Einsatz, das sparsamer ist, dafür aber etwas langsamer.

Beim Snapdragon X2 Elite Extreme können zwei der insgesamt zwölf Prime-Kerne auf bis zu 5,0 GHz gehen, die anderen sind für maximal 4,4 GHz ausgelegt. Die sechs kleineren Performance-Kerne des Chips spezifiziert Qualcomm mit bis zu 3,6 GHz.

Technische Daten des Snapdragon X2 Elite Extreme im Vergleich