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Speicherriese in den USA: Micron schraubt Investitionsvolumen auf 200 Mrd. USD hoch


US-Präsident Trump brüstet sich mit Microns 200-Milliarden-USD-Investment in den USA. Neu sind davon aber letztlich nur 15 Prozent, in den letzten Jahren hat Micron in jedem zweiten Quartal weitere Ausbaupläne vermeldet, dafür auch schon Geld vom US Chips Act eingesteckt. Die Zeitpläne für die Umsetzung liegen bei 20+ Jahren.

150 Milliarden US-Dollar will Micron in die Speicherfertigung in den USA investieren, weitere 50 Milliarden US-Dollar in Forschung und Entwicklung. Dies soll in 90.000 Arbeitsplätzen resultieren, in direktem aber vor allem indirekten Umfeld. Mit den insgesamt 200 Milliarden US-Dollar brüstet sich natürlich die neue Regierung gern, wenngleich 170 Milliarden US-Dollar davon bereits unter dem Vorgänger auf den Weg gebracht wurden. Neu sind letztlich „nur“ 30 Milliarden US-Dollar zusätzlich.

Das zusätzliche Geld soll in einen zweiten Fabrikbau in Boise, Idaho, fließen, zudem soll die bestehende Einrichtung in Manassas, Virginia, modernisiert und ausgebaut werden, sodass dort auch HBM gestapelt werden kann. Genau diesen Punkt hatte Micron bisher in den USA vernachlässigt, solche Dinge werden fast ausschließlich in Asien erledigt. Das meiste Geld ist nach wie vor für den Fabrikbau in der Nähe von New York vorgesehen.

Gestaffelte Ausgaben über Jahrzehnte

200 Milliarden US-Dollar selbst in über 20 Jahren zu investieren ist nach wie vor viel Geld. Allerdings würde die Botschaft anders klingen, wenn schlicht nur jetzt eine Fab für 25 Milliarden angekündigt würde, die dann in drei Jahren auch fertig gestellt ist – so sieht es in den Plänen im Detail letztlich oft auch aus.

Syracuse.com berichtet als lokales Blatt direkt von dem Standort, an dem vier Fabriken und ein lebendiges Drumherum entstehen werden. Diese zeigt ganz klar, wann die eigentlichen Fabs gebaut werden: Jetzt und 2028, dann erst wieder eine 2033 und noch eine 2039. Fertigstellung: laut aktuellem Plan eventuell 2041. Die peak production, also volle Auslastung des Komplexes, wird dann für 2045 angestrebt.

Microns Fabrikpläne ziehen sich über 20 Jahre
Microns Fabrikpläne ziehen sich über 20 Jahre (Bild: Syracuse.com)

Ein Selbstläufer sind aber auch Großprojekte in den USA nicht. Selbst fast drei Jahre nach der Ankündigung ist in New York noch nicht viel passiert, es laufen aktuell weiterhin Anhörungen. Denn solch ein Großprojekt ruft auch in den USA Anwohner auf den Plan, die sich Sorgen um die Umwelt, Infrastruktur, Lebenshaltungskosten und die alltäglichen Dinge machen, die ein Campus mit vier Fabriken vor ihrer Tür macht. Selbst Micron erklärt in der aktuellen Pressemeldung, dass vor Ende dieses Jahres kein Land in Clay, New York, bewegt wird.



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DDR5 vs. DDR5-CUDIMM im Test


Clocked UDIMM (CUDIMM) wird erstmals von Intel Core Ultra 200, aber auch bald von AMD Ryzen unterstützt. Ihm gehört die Zukunft. Was schon heute möglich ist, zeigt der Test mit Speicher von klassischem DDR5-5600 (UDIMM) bis hin zu DDR5-CU-8800 (CUDIMM). Und weil es dazu passt, wird auch Intels „200S Boost“ noch mit vermessen.

Was ist eigentlich CUDIMM?

Ziel von CUDIMM ist es, höhere Taktraten möglich zu machen – von der JEDEC offiziell abgesegnet, aber dann auch als OC-RAM. CUDIMM gibt es als UDIMMs für den Desktop-PC und als CSODIMM für das Notebook. CSODIMM kann natürlich auch im Desktop-Umfeld vorkommen, ITX-Mainboards oder noch kleinere Formfaktoren für Mini-PCs setzen ab und an auf SODIMM als Speicherstandard, kommt dabei Arrow Lake (Core Ultra 200) zum Einsatz, wird auch CSODIMM unterstützt.

Das „C“ steht für „clocked“

Das „C“ in CUDIMM und auch CSODIMM steht für „Clocked“. Das wiederum ist letztlich die Vereinfachung des namensgebenden Zusatzchips auf dem Speicherriegel, dem CKD alias „Clock Driver Chip“. Dieser CKD (aktuell „DDR5CKD01“) hat seine ganz eigene JEDEC-Spezifikation und ist nicht nur für CUDIMM und CSODIMM gedacht, sondern auch für CAMM, jenem angepassten Speichermodul, welches sich jedoch ohnehin nur dem Formfaktor widmet und dafür auf bestehende Speicherspezifikationen aufbaut.

Der CKD-Chip macht den Unterschied
Der CKD-Chip macht den Unterschied

Höhere Signalqualität (bei hohem Takt)

„Clocked“, also getakted, ist also das namensgebende Stichwort. Der Clock Driver Chip ist ein Puffer für die Taktsignale, die aus dem Speichercontroller des Prozessors in Richtung Arbeitsspeicher gesendet werden. Der zusätzliche Chip optimiert nun nicht nur die Spannungsamplituden, sondern auch die Timings, indem er ein synchronisiertes Timing auf jedem Speicherchip auf dem Modul gewährleistet. Das ist besonders im Grenzbereich bei hohem Takt entscheidend, schon kleinere Timing-Unterschiede können schneller Fehler hervorrufen und so Instabilitäten für das gesamte System hervorrufen. Unterm Strich liefert der CKD so eine erhöhte Signalqualität, insbesondere bei höherem Takt.

Die Kommunikation zwischen CPU und DRAM mit CKD
Die Kommunikation zwischen CPU und DRAM mit CKD (Bild: Corsair)

Wie viel mehr Takt ist möglich?

Wie weit die Taktraten durch den Einsatz von CUDIMM im ansonsten selben Setup steigen können, ist nicht ganz klar. Geworben wird durchaus mit einem Plus von rund 1.000 MT/s, realistisch ist aber etwas weniger. Mainboardhersteller sprechen tendenziell von 400 bis 600 zusätzliche MT/s, wenn es gut läuft und vor allem das Mainboard passt, geht aber auch mehr.

Apropos Mainboards. Offiziell ist der abgesegnete Zusatznutzen von CUDIMM noch auf die Boards, die lediglich zwei Speicherslots besitzen, beschränkt: Hier darf mit CUDIMM offiziell DDR5-6400 gefahren werden, mit UDIMM nur DDR5-5600. Hat das Board vier Slots, ist bei beiden Standards bei DDR5-5600 Schluss.

  • DDR5-6400 gibts nur mit CUDIMMs und einem DIMM-Slot pro Kanal, also z.B. mit Boards, die nur zwei Slots generell haben
  • Mit UDIMMs und CUDIMMs gibts bei zwei Slots pro Kanal bis zu DDR5-5600, egal ob Single- oder Dual-Rank
  • Wenn vier Slots belegt sind, sinkt der offiziell Speichertakt auf DDR5-4800 bei Single-Rank, DDR5-4400 bei Dual-Rank

Intel-Angaben zum Speichersupport von Arrow Lake-S

Inoffiziell geht aber schon immer mehr und dieses „mehr“ geht auch über das, was mit RAM-OC bei UDIMM möglich war, hinaus.

G.Skill Trident Z5 CK 8200 MT/s
G.Skill Trident Z5 CK 8200 MT/s

Neue RAM-OC-Rekorde vs. Realität

10.000, 11.000, 12.000 und nun schon fast 13.000 MT/s: Die Overclocking-Rekorde zeigen ein extrem gutes Taktbild von CUDIMM. Wie so oft haben die Einzelergebnisse und die Werbung durch die Speicher- und auch Mainboardhersteller aber wenig mit der Realität zu tun.

Wie ComputerBase im Rahmen dieses Tests und auch auf der Computex 2025 in Gesprächen in Erfahrung bringen konnte, ist das mit dem Takt dann eben doch nicht so leicht. Viele der hoch taktenden Modelle mit offiziell 9.400 oder 9.600 MT/s werden beispielsweise gar nicht, oder nur in extrem geringer Stückzahl in ausgewählten Märkten – darunter oft nicht Deutschland – verfügbar gemacht.

An die symbolisch Marke von DDR5-10000 traut sich ebenfalls noch kein Hersteller heran – und das nach fast einem Jahr, nachdem die ersten CUDIMM-Module mit 9.600 MT/s vorgestellt wurden. Der Tenor auf der Computex 2025 war einhellig: Ab 9.000 MT/s wird es extrem herausfordernd, die Module für einen Alltagsbetrieb über Jahre hinweg als dauerhaft stabil einzustufen.

Der Blick in die Spezifikationen des CKD liefert einen Erklärungsansatz: Er soll in einem Frequenzbereich zwischen 1.000 und 4.600 MHz (ganz genau betrachtet sind es bis zu 4.669 MHz) arbeiten, im Bypass-Modus auf Systemen ohne CUDIMM-Support (der CKD-Chip wird dann umgangen) auf 990 bis 3.000 MHz zurückfallen. Dabei gibt es bestimmte Frequenzbereiche, die noch einmal abgetrennt sind, beispielsweise bis 3.200 MHz und darüber hinaus. Umgelegt auf DDR entspricht das letztlich deshalb den in den Basisspezifikationen abgesegneten DDR5-6400, am oberen Ende DDR5-9200 und DDR5-6000 im Bypass-Modus, in dem AMD-Prozessoren auf aktuellen Boards arbeiten.

Die aktuellen Limitierungen an der Spitze der Taktraten bei CUDIMM liegen zum Teil letztlich also schlicht am CKD und dessen Spezifikationen, die nicht für einen Dauerbetrieb mit noch höheren Taktraten ausgelegt sind. Und das, obwohl die CUDIMMs in der Regel schon auf ein verbessertes Shielding und auch stärkere PCBs setzen: Zehn Lagen geben einige Hersteller an.

Realität vs. JEDEC

Die Spezifikationen der JEDEC sehen aktuell den Einsatz von DDR5-6400 vor, sprechen aber auch bereits von DDR5-7200 und darüber hinaus. Das könnte demnach der nächste markante Schritt beim Arbeitsspeicher sein, den Prozessoren offiziell unterstützen, während es bei UDIMM bei DDR5-5600 bleiben dürfte – obwohl die JEDEC den schon bis DDR5-8800 abgenickt hat.

Die JEDEC-Spezifikationen decken dabei auch stets nur die Standardspannung von 1,1 Volt ab, nahezu jedes OC-Modul liegt hier weit darüber, 1,4 oder gar 1,45 Volt sind die Regel. Als Modulgröße für CUDIMM sind aktuell 8 bis 128 GByte vorgesehen. Die Micron/Crucial-Riegel im Testumfeld sind exakt solch ein JEDEC-Kit.

Crucial (by Micron) DDR5-6400 CL 52 CUDIMM nach JEDEC-Spec
Crucial (by Micron) DDR5-6400 CL 52 CUDIMM nach JEDEC-Spec

200S Boost: CUDIMM + Takt + Garantie für Arrow Lake-S

Im April dieses Jahres hatte Intel ein halbes Jahr nach der Vorstellung von Arrow Lake-S ein Overclocking-Profil mit Garantie vorgestellt: den 200S Boost. Dieser OC-Modus soll das Potenzial der Prozessoren im Desktop freigeben, denn bereits zum Start war klar, dass beispielsweise schneller Speicher ein Muss für die CPUs ist. Siehe den initialen Arrow-Lake-Test:

  • Intel Core Ultra 200S im Test: Core Ultra 9 285K, 7 265K & 5 245K enttäuschen effizient

Und so hebt der 200S Boost beispielsweise den Speichertakt auf DDR5-8000 an, UDIMM oder CUDIMM kann dafür zum Einsatz kommen. Parallel dazu werden aber auch noch zwei interne Taktdomains erhöht.

Intels Änderungen im Boost-Profil
Intels Änderungen im Boost-Profil (Bild: Intel)

Geladen ist das Profil ganz einfach. Bei vielen Mainboards mit Z890-Chipsatz (das ist der einzige, der unterstützt wird) ist die Option direkt auf der ersten Seite zu finden, eine Bestätigung dort aktiviert das Profil.

Intel 200S Boost – mehr Takt für gewisse Bereiche und DRAM
Intel 200S Boost – mehr Takt für gewisse Bereiche und DRAM

Voraussetzung für all das ist jedoch, dass sowohl Mainboard als auch Arbeitsspeicher in der Support-Liste hinterlegt sind. Natürlich wird diese mit der Zeit erweitert, sodass am Ende pauschal wohl beinahe jedes Z890-Mainboard als auch viele Overclocking-Module nach CU-DIMM-Standard mit dabei sein dürften.

Core Boost mit diesen Boards und RAM zum Start
Core Boost mit diesen Boards und RAM zum Start (Bild: Intel)

Im vorliegenden Test-Fall war dies ein Asus ROG Maximus Z890 Hero und das Speicherkit Corsair Vengeance RGB 48 GB DDR5 CUDIMM 8000 MT/s CL38. Die nicht immer ganz stabilen Erfahrungen gibt es im Detail auf den kommenden Seiten.

Corsair Vengeance RGB DDR5-8000 CUDIMM für Intel 200S Boost
Corsair Vengeance RGB DDR5-8000 CUDIMM für Intel 200S Boost

Die Preisfrage: sinnvoll oberhalb 8.400 MT/s

CUDIMMs sind teuer, lautet der allgemeine Tenor. Das stimmt aber nicht immer und überall, das Thema muss differenziert betrachtet werden.

Geht es um den Mainstream-Bereich und beispielsweise DDR5-6400, welche die Basisspezifikation von CUDIMM darstellt, dann stimmt dies durchaus. Das liegt aber primär daran, dass es hier hunderte UDIMM-Module verschiedenster Hersteller gibt, die zudem seit langer Zeit im Markt und damit auch breit verfügbar sind. In dem Fall ist dies primär ein Thema von Angebot und Nachfrage. Hier hat CUDIMM aktuell keine Chance, weshalb es die bekanntesten RAM-Hersteller bei diesem Takt auch gar nicht erst probieren. Bei DDR5-6400 ist CUDIMM vor allem durch große OEM-Hersteller und -Lieferanten wie Micron, Kingston und Samsung anzutreffen.

Wird der Fokus auf den Bereich übertakteter Module verlegt, ändert sich das Bild. Denn im Bereich von DDR5-8200 und darüber wird die Auswahl von Speicher sehr schnell sehr klein, das verknappte Angebot sorgt zusätzlich für einen höheren Preis. Hier nähern sich die CUDIMM-Riegel bereits dem Preis von klassischen UDIMM an, ab 8.400 MT/s übernehmen CUDIMMs dann sogar preislich die Führung. Und geht es noch höher hinaus, verschwindet klassische UDIMM einfach komplett, es gibt dann nur noch CUDIMM. Hier offenbart sich dann der Vorteil des CKDs direkt auf den Speichermodulen.

TeamGroup T-Force Xtreem DDR5-8800 CUDIMM
TeamGroup T-Force Xtreem DDR5-8800 CUDIMM

Die Testkandidaten im Überblick

Im Test haben sich vier neue CUDIMM-Modulpaare eingefunden. Den bisher höchsten abgesegneten CUDIMM-Standard stellt Crucial/Micron mit DDR5-6400 CL52 – die JEDEC-Vorgaben. Solche Module sind gern in OEM-Systemen verbaut.

Es folgen drei weitere CUDIMM-Paare: Corsair Vengeance CUDIMM mit 8.000 MT/s CL38 (auch als 9200 MT/s CL44), G.Skill Trident Z5 CK mit 8.200 MT/s CL40 (als als 9600 MT/s CL46) und TeamGroup T-Force Xtreem DDR5-8800 CL42 (schnellste Spec). Das erwähnte G.Skill-Kit war bereits seit dem Start das Referenzkit in CPU-Tests, es wurde bei DDR5-6400 mit CL36 betrieben.

Corsair Vengeance RGB DDR5-8000 CUDIMM für Intel 200S Boost
Corsair Vengeance RGB DDR5-8000 CUDIMM für Intel 200S Boost
Crucial (by Micron) DDR5-6400 CL 52 CUDIMM nach JEDEC-Spec
Crucial (by Micron) DDR5-6400 CL 52 CUDIMM nach JEDEC-Spec
Klassischer DDR5-5600 von G.Skill mit CL26
Klassischer DDR5-5600 von G.Skill mit CL26

Der Probelauf von DDR5-5600 vs. CUDIMM-6400, -8000 und -8800 erfolgte in AIDA64. DDR5-5600 bildet die Einstiegsbasis mit gutem Durchsatz bei geringer Latenz, CUDIMM-6400 gewinnt mit JEDEC-Specs beim Durchsatz hinzu, büßt aber deutlich bei der Latenz ein.

Klassischer DDR5-5600 von G.Skill mit CL26
Klassischer DDR5-5600 von G.Skill mit CL26
Crucial (by Micron) DDR5-6400 CL 52 CUDIMM nach JEDEC-Spec
Crucial (by Micron) DDR5-6400 CL 52 CUDIMM nach JEDEC-Spec

CUDIMM-8000 nach den Vorgaben von Intel 200S Boost und damit de facto dem hinterlegten XMP-Profil weist unterm Strich zwar mehr Durchsatz als DDR5-5600, aber eine ziemlich ähnlich Latenz auf. Bei CUDIMM-8800 steigt der Durchsatz weiter an, dank optimierter Timings sinkt zugleich die Latenz.

Corsair Vengeance RGB DDR5-8000 CUDIMM für Intel 200S Boost
Corsair Vengeance RGB DDR5-8000 CUDIMM für Intel 200S Boost
TeamGroup T-Force Xtreem DDR5-8800 CUDIMM
TeamGroup T-Force Xtreem DDR5-8800 CUDIMM

Neben den CUDIMM-Modulen findet sich als „Baseline“ auch UDIMM im Test: DDR5 von G.Skill mit DDR5-5600 CL26, also der von Arrow Lake offiziell abgenickten Spec.



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Konzernumbau: Intel ernennt neue Manager für Sales, AI und auch (AI-)GPUs


Konzernumbau: Intel ernennt neue Manager für Sales, AI und auch (AI-)GPUs

Bild: Intel

Intel baut nicht nur Stellen ab, sondern auch die Konzernführung um. Neue Chefs in den Bereichen Verkauf, AI, aber auch GPUs wurden ernannt. Die beiden letztgenannten Positionen sollen dabei an einem Strang ziehen, um im AI-Markt überhaupt noch einmal eine Rolle spielen zu können. Aktuell ist das Angebot fast bei Null angelangt.

Die bisherige Adaption des AI-Beschleunigers Gaudi 3 beschränkt sich fast auf das eigene Marketing. Das überrascht nicht, denn der HPC-Beschleuniger ist letztlich nicht konkurrenzfähig, Intel muss wie bei Gaudi 2 die Preiskarte ziehen. Damals ging das noch gut. Angesichts des nun aber guten Angebots bei Nvidia im Bereich älterer Lösungen und Alternativen wie auch denen von AMD ist das für viele Kunden aber auch kein Argument mehr. Die Hoffnung auf eine solide nächste Generation ist zuletzt zudem ebenfalls eher kleiner statt größer geworden.

Ex-Mitarbeiter von Apple und Google für mehr AI

Neues Führungspersonal soll bei AI jetzt das Ruder herumreißen, unter anderem Jean-Didier Allegrucci und Shailendra Desai. Allegrucci kommt vom AI-Startup Rain AI, war zuvor aber 17 Jahre bei Apple und an der Entwicklung von rund 30 (Flaggschiff-)SoCs beteiligt. Er übernimmt den Posten VP of AI System on Chip (SoC) Engineering. Desai wird VP of AI Fabric and Networking, Fokus ist die Entwicklung von innovativen „SoC Architectures for Intel’s AI GPUs and Forward-Looking Roadmap“. Er kommt von Google.

Mit Srinivasan Iyengar holt Intel-CEO Tan zudem einen alten Gefährten von Cadence ins Boot. Er leitet das neue „Customer Engineering Center of Excellence“, bei Cadence war er in der Führung des „Global Silicon Engineering“ tätig. Er soll bei Intels Neuausrichtung zu mehr Kundenorientiertheit helfen.

Neuer Aufsichtsrat und Chief Revenue Officer

Dazu passte auch die Meldung von Reuters von Ende März, dass Intel im Aufsichtsrat umbaut. Drei Mitglieder stehen in diesem Jahr nicht mehr zur Wahl, ihnen sollen Personen mit technischem Verständnis folgen. Die Kritik an diesem Board of Directors war im letzten Jahr übergekocht, als es hieß, viel zu viele Finanz- und reine Wirtschaftsvertreter seien vertreten, aber nur noch zwei mit technischem Verständnis – zu wenig für ein Unternehmen in der Halbleiterbranche.

Zu guter Letzt wurde Greg Ernst als neuer Chief Revenue Officer bereits im Mai ernannt, er übernimmt die Führung von Intels Sales and Marketing Group (SMG). Dort gab es, wie so oft in Entlassungsrunden, einen sehr großen Kahlschlag beim Personal. Meldungen sprechen von zum Teil über 30 Prozent in bestimmten Bereichen, die seit dem letzten Jahr weggefallen sind.



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Dieses Handy ist weder gut noch patriotisch


Manchmal bekommen wir Smartphones präsentiert, die scheinen zu gut, um wahr zu sein. Ich will jetzt über genau so ein Handy reden. Und ja, es ist wirklich nur der Schein eines tollen Geräts. Wieso es in Wirklichkeit technisch und preislich eine Katastrophe ist und niemand dafür Geld ausgeben sollte? Das verrate ich Euch hier.

Wenn wir zuletzt Smartphone-Präsentationen beigewohnt haben, dann waren die meistens irgendwas zwischen erwartbar und unterwältigend. Und das geht gar nicht mal gegen die Hersteller. Wenn beispielsweise Samsung sein neues Galaxy S25+ (Test) aus dem Hut zaubert, ist die Begeisterung bei der Vorstellung überschaubar. Nicht, weil das Smartphone nichts taugt – das ist toll. Aber meistens ist vieles eh vorab geleakt, und außerdem kann man nicht jedes Jahr das Rad neu erfinden. Also sind die Neuerungen oft eher marginal, was die Aufregung der Präsentation spürbar im Zaum hält. 

Was aber, wenn etwas komplett Unerwartetes passiert? Zum Beispiel, weil ein ganz neuer Player den Markt betritt, der einen großen Namen trägt. Oder weil das Gerät viel besser sein soll als alles, was wir bislang gesehen haben? Klar, dann lehnt man sich natürlich interessiert nach vorne. Wenn dieser große Name aber zufällig „Trump“ lautet, sollten alle Alarmglocken klingeln.

Trump Mobile T1 Phone: Dieses Smartphone braucht kein Mensch!

Ich will Euch das Smartphone gar nicht mal wirklich vorstellen, das die Trump-Söhne Donald Jr. und Eric da präsentiert haben. 6,8-Zoll-Display, 5.000-mAh-Akku, Kamera-Setup mit 50-MP-Cam sowie zwei nutzlosen 2-MP-Knipsen, 12 GB RAM und 256 GB erweiterbarer Speicher. Ein Allerwelts-Handy, wie es in China tausende gibt. Hört man den beiden Trump-Sprösslingen aber zu, könnte man meinen, uns steht eine Tech-Revolution ins Haus. 

Nachdem der ebenso bodenlose Trump-Mobile-Tarif für die USA angepriesen wurde, tischte man uns also das sagenumwobene T1 Phone auf. Es gab aber keine tatsächliche Vorführung des Geräts. Stattdessen gab es eine eiligst zusammengedengelte Render-Katastrophe zu sehen, für die sich selbst Photoshop-Philipp beschämt selbst ins Gesicht boxen würde. Seht selbst: 

Ein goldenes Smartphone, das 'TRUMP MOBILE' und 'Make America Great Again' auf dem Bildschirm anzeigt.
Das ist übrigens auch das einzige Bild, das Ihr auf der Produktseite seht. / © Trump

Ein Handy, viele Lügen

Das Smartphone ist für echte Patrioten gedacht, weil komplett in den USA gefertigt. Also sagen die Trump-Jungs. Das ist natürlich Bullshit. Außerdem soll es höchsten Ansprüchen genügen und das bei einem Preis von lediglich 499 US-Dollar. Ihr könnt direkt vorbestellen, müsst dafür auch nur 100 US-Dollar anzahlen. 

Ganz ehrlich: Fallt doch bitte nicht auf diesen Unfug rein. Das ist wieder so ein typischer Trump-Scam und das meiste einfach auch glatt gelogen, was über dieses Handy gesagt wurde. Zunächst mal ist es ganz sicher nicht in den USA gefertigt. Viele der Komponenten gibt es nun mal nur in Asien, außerdem wäre ein komplett in den Staaten gefertigtes Mobiltelefon viel teurer. 

Dazu kommt, dass es die Fertigungsstraßen in den USA so gar nicht gibt und selbst die erst noch aus dem Boden gestampft werden müssten. Selbst das Wall Street Journal schreibt, dass dieses Gerät so zu dem Preis derzeit nicht in den USA produzierbar ist. Zum Vergleich: Das „Liberty Phone“ von Purism wird tatsächlich in den USA in sehr kleinen Stückzahlen gefertigt und kostet schlanke 2.000 Dollar! Und ja, das ist nochmal schlechter ausgestattet als das, was Trump anbietet. Statt in die USA führt die Spur uns somit eher nach China. 

Das Trump-Phone für echte Patrioten – made in China!

Die technischen Daten wurden bei der Vorstellung nicht mal genannt, die tauchten erst später auf der Seite auf. Aber auch ohne Specs war zu erahnen, dass der 6,8-Zoll-Klopper wohl niemals seine 499 Peitschen wert ist. Das bestätigte sich übrigens schnell, denn findige Kolleg:innen machten sich auf die Suche nach dem Original für dieses Handy. Sehr schnell stieß man auf das Wingtech REVVL 7 Pro 5G, welches mit T-Mobile-Label beim US-Amazon für etwa 170 Dollar angeboten wird. Das entspricht von den Specs ziemlich exakt dem T1 Phone von Trump, kostet aber halt nur ein Drittel. 

The Verge hat selbst auch nochmal im Netz gestöbert und kam gleich auf vier Modelle, die diesem „Lie“-Phone recht nahekommen. Neben dem erwähnten Wingtech-Modell sind das noch Geräte von Blu, Ulefone und Doogee. Das sind allesamt äußerst günstige White-Label-Handys von ODMs (Original Design Manufacturer). Bedeutet also, die fertigen die Teile in China, dann malt die vermutlich in den USA jemand Gold an und macht ein dickes T für Trump auf den Hobel, und fertig ist die Laube. Echte Patrioten-Technik, was? 

Gleichzeitig hab ich noch einen anderen üblen Verdacht, aber das ist nur ein Schuss ins Blaue: Wie viele Handys kennt Ihr, die zwar schon über Android 15 und 5G verfügen, dennoch einen Speicherkarten-Slot und eine Kopfhörerbuchse an Bord haben? Das ist eine echt schräge Kombination und zusammen mit dem wirklich mies zusammengepfuschten Photoshop-Bildchen drängt sich mir der Verdacht auf, dass dieses Gerät überhaupt nicht existiert. 

Richtet Euch also auf ein Smartphone ein, welches bestenfalls andere Spezifikationen vorweist und im Spätsommer überteuert in den USA angeboten wird. Wenn es nicht so gut läuft, haben wir es hier mit einem Scam zu tun – also einem Handy, das so niemals erscheint. Trump-Fans in den USA dürfen also gespannt sein: Zu viel Geld für zu wenig Smartphone investieren, nur um dann zu erfahren, dass die Kiste aus China stammt. DAS ist der Stoff, aus dem Patrioten-Träume geschnitzt werden, oder? 



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