Z-Angle Memory: ZAM soll besser als HBM werden

Die Softbank-Tochter SAIMEMORY will in Kooperation mit Intel einen neuen Speicher auf Basis von DRAM entwickeln. Der sogenannte Z-Angle Memory (ZAM) wird schon als HBM-Konkurrent gehandelt, soll aber mehr Speicherplatz bieten und weniger Strom verbrauchen. Wie es um die Leistung bestellt ist, bleibt unklar.

Sowohl Softbank als auch Intel haben die Zusammenarbeit beim Z-Angle Memory (ZAM) Anfang Februar öffentlich bekannt gegeben. Die erst im Dezember 2024 gegründete SAIMEMORY Corp., eine Tochtergesellschaft von Softbank mit Sitz in Japan, soll die Kommerzialisierung des neuen Speichers übernehmen.

Technik aus Intels NGDB-Initiative

Dabei kommt technische Expertise aus der Intel-Initiative Next Generation DRAM Bonding (NGDB) zum Zuge, die sich dazu verschrieben hat, neue DRAM-Speicherprodukte mit mehr Leistung und Energieeffizienz zu entwickeln.

Der Name Z-Angle (Z-Achse) und Abbildungen verraten, dass im Gegensatz zum HBM, bei dem der DRAM horizontal in bis zu 16 Schichten übereinander gestapelt wird, die Speicherchips vertikal (praktisch hochkant) nebeneinander liegen. Sie werden also in Richtung der Z-Achse gestapelt. Das soll Leitungswege verkürzen und mehr DRAM-Schichten für mehr Speicherkapazität ermöglichen.

Auf der Veranstaltung Intel Connection Japan 2026 wurden einige Folien gezeigt, die verraten, dass SAIMEMORY im Juli 2025 mit den Arbeiten begonnen hat. „Redifining AI Memory“ lautet das Motto. Schnell wird also klar, dass primär KI-Rechenzentren mit dem Speicher bedacht werden sollen, die sich als treibende Kraft bei der Speicherforschung entpuppen, da sie nicht zuletzt für globale Engpässe und hohe Preise bei DRAM sorgen.

Mehr Speichervolumen, weniger Energie

Bisher setzen KI-Server vor allem auf High Bandwidth Memory (HBM), wobei es sich vereinfacht gesagt um in mehreren Schichten übereinander gestapelten DRAM handelt. Doch kommen so langsam Zweifel auf, wie sich diese Speicherform noch weiter skalieren lässt, da er insbesondere bei Energiebedarf und Wärmeabfuhr bald an seine Grenzen stoßen könnte.

SAIMEMORY verspricht mit dem ZAM eine geringere Leistungsaufnahme, höhere Speicherkapazitäten und noch mehr Durchsatz („wider bandwidth“), ohne das konkrete Zahlen vorliegen. Diese liefert vorerst unbestätigt ein Bericht von Nikkei, demzufolge die Speicherkapazität gegenüber HBM um das Zwei- bis Dreifache steigen soll, während die Leistungsaufnahme in etwa halbiert werde. Bei den Kosten soll ZAM zumindest ähnlich teuer wie HBM ausfallen, im besten Fall günstiger sein. Prognosen zur Leistung gibt es aber bisher nicht.

Zur Entwicklung trage auch die University of Tokyo einen Teil bei und mit Fujitsu gibt es einen weiteren großen Namen als Partner aus der Branche.

Prototypen frühestens 2027

Im Fiskaljahr 2027, das vom 1. April 2027 bis zum 31. März 2028 läuft, sollen nach aktuellen Plänen die ersten Prototypen des ZAM fertiggestellt werden. Bereits im Fiskaljahr 2029 (1. April 2029 bis 31. März 2030) soll der kommerzielle Start erfolgen. Mit Stand Ende Dezember 2025 seien 8 Milliarden Japanische Yen (rund 51 Millionen USD) von Investoren in das Unterfangen geflossen.