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Nicht mehr wirtschaftlich: TSMC stellt Produktion auf 6-Zoll-Wafern binnen 2 Jahren ein

TSMC ist berühmt für Gigafabs für Millionen Wafer im Jahr in der Größe 12 Zoll, doch betreibt auch ältere Fabs. Die kleinste Fabrik, in der noch 150-mm-Wafer genutzt werden, schließt in den kommenden zwei Jahren. Zuletzt hatte TSMC auch an anderer Stelle den Rotstift angesetzt.
150-mm-Wafer sind nicht mehr wirtschaftlich für TSMC
Neben der Fabrik für die sechs Zoll großen Wafer hat TSMC auch noch vier Anlagen, in denen 8 Zoll, also 200 mm große Wafer belichtet werden. Das Unternehmen hatte Anfang Juli bekannt gegeben, aus der GaN-Fertigung auszusteigen, die auf diese 8-Zoll-Wafer setzt. Die Fabriken sollten dann je nach Größe und bisherigem Ausrüstungsstand für andere Dinge genutzt werden.
Dass 150-mm-Wafer für einen Auftragsfertiger wie TSMC letztlich nicht wirtschaftlich genug sind, ist nachvollziehbar. Deshalb wurde der Wechsel erst auf 200 mm und später 300 mm vollzogen, da hier viel mehr Chips pro Durchgang von einem Wafer bezogen werden können. Erst bei 450 mm großen Scheiben ging die Rechnung nicht mehr auf; es hätte zu viel in die Zulieferindustrie investiert werden müssen, TSMC stieg aus und das Projekt brach zusammen.
Fab 2 und Fab 5 vor der Umgestaltung / Schließung
Mit dem Wegfall der 150-mm-Waferproduktion dürfte es für einige Einrichtungen in zwei Jahren wirklich eng werden. Laut Liberty Times werden deshalb wohl Fab 2 und Fab 5 am Ende die Produktion komplett einstellen und sollen 2027 heruntergefahren werden. Fab 2 mit dem ikonischen Logo vor dem Gebäude (siehe Titelfoto) und Fab 5 stehen auf einem Gelände mitten in Hsinchu und sind vergleichsweise klein, wie ein Blick aus der Vogelperspektive auf Google Maps verrät. Die drei weiteren 200-mm-Wafer-Fabriken, die TSMC noch in Betrieb hat, sollen demnach bestehen bleiben und die Kundschaft der Fab 2 und Fab 5 übernehmen – Fab 3 liegt beispielsweise nicht nur sprichwörtlich direkt um die Ecke, auch Fab 8 ist nicht weit.
Gleichzeitig sollen Kunden aber auch ermutigt werden, direkt auf die größeren 300-mm-Wafer umzusteigen. Nur einige Kilometer weiter steht TSMCs erste Gigafab, Fab 12, gegenüber wird aktuell die Fab 20 weitergebaut, in der dieser Tage die Produktion von N2-Chips in Serie anläuft und später zusammen mit dem gegenüberliegenden Forschungs- und Entwicklungszentrum A14-Chips entwickelt und zur Serienproduktion vorbereitet werden sollen.
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Intel 8250 im Benchmark: Neuer Arc-Treiber für Anno 117 und Call of Duty: BO7 getestet

Intel hat mit dem 32.0.101.8250 einen neuen Non-WQHL-Treiber zum Download bereitgestellt, der für Anno 117: Pax Romana (Test) und COD: BO 7 optimiert ist. ComputerBase hat Benchmarks mit dem neuen Treiber und der Arc B580 sowie Arc A770 in Anno 117 durchgeführt, um zu überprüfen, ob sich bei der Performance etwas getan hat.
Beim Treiber hakt es noch
So richtig ist der neue Treiber allerdings noch nicht verfügbar. Wer auf Intels Treiber-Webseite nach der neuesten Arc-Software sucht, bekommt zwar den 32.0.101.8250 mit dem 12. November als Erscheinungsdatum gemeldet, doch wenn man den entsprechenden Link anklickt, leitet die Seite zum älteren 32.0.101.8247 weiter. Das Verhalten zeigt sich bereits seit einigen Stunden und wurde bis jetzt noch nicht geändert.
Mittels direktem Link ist es dennoch möglich, den neuen Treiber inklusive Release Notes herunterzuladen.
Optimiert für Anno 117 und Call of Duty: Black Ops 7
Der Blick in die Release Notes verrät, worum es beim 32.0.101.8250 geht. Der Treiber ist „Game On“ für Anno 117: Pax Romana sowie Call of Duty: Black Ops 7. Ob es Performanceverbesserungen für die beiden Spiele mit der neuen Software gibt oder nur die Kompatibilität gewährleistet wird, ist unklar. Darüber hinaus spricht Intel von Fehlerbeseitigungen in COD: Black Ops 7, die Grafikfehler in manchen Lichtquellen, Wasseroberflächen sowie Rauch-Effekten betreffen. Die Grafikfehler betreffen die Serien Intel Arc B (Battlemage), Arc A (Alchemist) sowie die CPUs Core Ultra Series 2 mit integrierter Arc-GPU. Das neue Call of Duty erscheint am Freitag, Anno 117 ist seit heute verfügbar.
Ein Benchmark in Anno 117 auf Intel Arc B580
ComputerBase hat einen Grafikkarten-Benchmark in Anno 117: Pax Romana zwischen dem neuen Treiber 32.0.101.8250 und dem älteren 32.0.101.8247 auf einer Arc B580 durchgeführt. Dabei kam die finale Launch-Version des Spiels inklusive Day-1-Patch zum Einsatz, als Auflösung wurde 1.920 × 1.080 mitsamt XeSS Ultra Quality gewählt. Die Ultrahoch-Details (maximale Details) waren ausgewählt, darüber hinaus wurde Raytracing in separaten Durchläufen an- sowie abgeschaltet.
In der Tat läuft der 8250 geringfügig schneller als der 8247 in Anno 117: Pax Romana, die Unterschiede sind aber minimal. Der neue Treiber verbessert die Performance um genau 2 Prozent, ob Raytracing dabei an- oder abgeschaltet ist, spielt keine Rolle.
Intel Arc hat auch mit dem neuen Treiber Grafikfehler in Anno 117
Im Benchmark-Test unbemerkt geblieben ist, dass Intel-Grafikkarten aktuell noch mit Grafikfehlern in Anno 117 zu kämpfen haben. Bei schlechtem, regnerischem Wetter zeigen sich merkwürdige Wolken-Effekte in Form von recht hellen Flecken, die mal mehr, mal weniger intensiv, aber immer sichtbar ihre Helligkeit und Position wechseln.
Das ist ein Grafikfehler, der mit beiden Intel-Treibern auftritt. Auch Raytracing hat darauf keinen Einfluss, dasselbe gilt für XeSS. Auf GeForce- und Radeon-Grafikkarten gibt es diesen Fehler nicht, was darauf schließen lässt, dass es sich um einen Treiber- und keinen Spielfehler handelt. Entsprechend ist zur Behebung ein weiterer Arc-Treiber notwendig.
Downloads
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4,2 Sterne
Grafiktreiber für Intel-CPUs, dedizierte Grafikkarten und ältere Mainboards mit integrierter Grafik.
- Version 32.0.101.8250 Deutsch
- Version 32.0.101.7080 WHQL Deutsch
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Solarenergie ist günstiger, als viele denken
Viele Menschen glauben, Solarstrom mit Speicher sei teuer. Doch aktuelle Zahlen zeigen: Die Sonne liefert längst den günstigsten Strom – und das sogar mit Batteriespeichern. Was das für Euch, das Stromnetz und die Zukunft bedeutet, ist erstaunlich.
Wenn Ihr bisher dachtet, Solarstrom mit Speicher lohne sich nicht, ist jetzt der Moment, das zu überdenken. Denn die Zeiten, in denen Stromspeicher Luxus waren, sind vorbei. Ihre Preise sind dramatisch gefallen – und mit ihnen auch die Gestehungskosten von Solarstrom, der längst günstiger ist als jede fossile Energiequelle.
Solarstrom ist längst die günstigste Energiequelle
Schon heute zählt Solarstrom zu den günstigsten Energieformen weltweit. Seit den 1970ern sind die Preise für Photovoltaikanlagen um rund 99 Prozent gefallen – eine Entwicklung, die sich inzwischen bei Batteriespeichern wiederholt. Was vor wenigen Jahren noch teuer war, kostet heute nur noch einen Bruchteil.
Eine Analyse des Fraunhofer ISE zeigt, dass große Batteriespeicher Strom bereits für 2,5 bis 4 Cent pro Kilowattstunde (kWh) speichern können. Damit liegt selbst gespeicherter Solarstrom unter dem Preis fossiler Energien. Die Gestehungskosten für PV-Freiflächenanlagen mit Speicher betragen aktuell zwischen 6,0 und 10,8 Cent/kWh – während fossile Backup-Kraftwerke 12,9 Cent/kWh bis 132,7 Cent/kWh liegen. Teurer kann Energie kaum werden.
Warum das auch für das Stromnetz ein Gamechanger ist
Mit der richtigen Strategie könnten Stromspeicher unser Energiesystem nicht nur stabilisieren, sondern auch Stromkosten für alle senken. Großspeicher puffern Überschüsse und geben Energie dann zurück, wenn der Verbrauch steigt – ein Prinzip, das in der Industrie längst funktioniert und im Netzbetrieb bares Geld spart.
Je mehr Speicher integriert werden, desto weniger schwanken die Preise. Statt teure Reservekraftwerke anzuwerfen, könnten Batterien kurzfristig aushelfen – effizient, leise und ohne CO₂. Das senkt nicht nur die Kosten, sondern auch den Druck auf Netzausbau und fossile Energieversorgung.

Die Grenzen von Solarstrom – und warum sie lösbar sind
Natürlich gibt es ein „Aber“: Solarstrom kann nicht dauerhaft gespeichert werden – zumindest noch nicht über Wochen oder Monate. Das liegt weniger an der Technologie, sondern an der fehlenden Infrastruktur. Pumpspeicherwerke und Großbatterien sind bislang zu selten, um lange Dunkelflauten zu überbrücken.
Doch genau hier liegt das Potenzial: Statt Dutzende neue Gaskraftwerke zu planen, könnten Speicher schneller und günstiger bereitgestellt werden. Selbst ohne staatliche Förderung lohnt sich der Bau großer Batteriespeicher längst – einfach, weil sie Schwankungen im Strompreis ausnutzen können. Und das macht sie wirtschaftlich attraktiv für Netzbetreiber, Industrie und auch private Haushalte.
Warum es sich lohnt, jetzt umzudenken
Während die Politik noch über Kraftwerksstrategien diskutiert, liefert die Technik längst Antworten. Solarstrom mit Speicher ist keine Zukunftsvision mehr, sondern gelebte Realität – bezahlbar, verfügbar und effizient. Die Sonne produziert den günstigsten Strom, den wir haben. Und jedes zusätzliche Speichersystem sorgt dafür, dass dieser Strom dort landet, wo er gebraucht wird – wann immer Ihr ihn braucht.
Wenn Ihr also dachtet, dass Solarstrom mit Speicher zu teuer ist, schaut Euch die Zahlen genauer an. Sie sprechen eine klare Sprache: Die Sonne schlägt das Gas – und das mit Zins und Speicher.
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Micron G9: Schneller TLC-NAND kommt als UFS 4.1 ins Auto

Der Universal Flash Storage (UFS) schreitet nicht nur im Smartphone voran. Auch in Autos wird der Flash-Speicher vermehrt genutzt und immer schneller. Micron stellt jetzt UFS 4.1 mit Zertifizierung nach Automobil-Standards vor. Der Speicher basiert auf dem TLC-NAND der Generation G9 und erreicht 4,2 GB/s.
UFS 4.1 kommt ins Auto
Autos werden immer mehr zu rollenden Computern, das hat die Chipkrise bei manchem großen Autohersteller jüngst bewiesen, denn ohne Computerchips geht es nicht mehr weiter. Den Universal Flash Storage (UFS), der NAND-Flash und Controller in einem platzsparenden Package vereint, findet man vor allem in Smartphones. Doch auch manches Automobil wird auf diese Weise mit Massenspeicher versorgt. Mit jeder UFS-Generation steigt die Leistung und Micron erhöht jetzt auf UFS 4.1 fürs Auto, während die Verbraucherprodukte schon im Frühjahr bedient wurden.
Doppelt so schnell wie der Vorgänger
Der „Automotive UFS 4.1“ von Micron soll Daten mit bis zu 4,2 GB/s lesen, was eine Verdoppelung gegenüber dem Vorgänger mit UFS 3.1 bedeutet. Wie beim Mobile-Pendant kommt TLC-NAND-Flash der aktuellen Generation G9 mit einem 276-Layer-Design zum Einsatz. Die Auto-Variante ist aber nochmals für ein größeres Temperaturspektrum von -40 °C bis 115 °C ausgelegt. Zudem wurden die Chips nach Auto-Standards wie AEC-Q104 zertifiziert.
Natürlich steht auch bei diesem Speicherprodukt das Thema „KI“ im Mittelpunkt, denn die mit immer mehr Sensoren ausgestatteten Fahrzeuge können reichlich Daten sammeln und KI mit diesen füttern, um dem Fahrer wiederum das Leben leichter zu machen. Doch dafür braucht es viel und auch schnellen Speicherplatz, den Microns UFS 4.1 für Automotive jetzt bieten soll.
Im SLC-Modus extrem haltbar
Im TLC-Modus mit 3 Bit pro Zelle soll der Speicher etwa 3.000 Lösch-/Schreib-Zyklen überstehen. Alternativ kann aber der SLC-Modus mit 1 Bit pro Zelle genutzt werden. Dann reduziert sich der Speicherplatz zwar auf ein Drittel, doch die Haltbarkeit steigt auf satte 100.000 P/E-Zyklen. Für den jahrelangen Dauereinsatz im Fahrzeug könne das auch nötig sein, wenn Systeme wie Lidar, Radar und Kameras kontinuierlich Daten schreiben.
Zur Speicherkapazität macht Micron an dieser Stelle keine konkreten Angaben. Doch bisher wird der UFS 4.1 mit bis zu 1 TB angeboten, was auch für die Auto-Chips gelten dürfte. Von diesen werden jetzt zunächst Muster (Samples) an Geschäftspartner zur Qualifizierung versandt. In welchen Autos die neuen Micron-Chips letztlich landen werden, bleibt abzuwarten. Primär verlangen Fahrzeuge mit autonomen Funktionen und Advanced Driver Assistance Systems (ADAS) nach besonders potentem Speicher.
ComputerBase hat Informationen in diesem Artikel von Micron vorab unter NDA erhalten. Die einzige Vorgabe war der frühestmögliche Veröffentlichungstermin.
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