Destiny 2 musste eingestellt werden, weil seine Entwicklung zu teuer war. Epic-CEO Tim Sweeney hat dafür eine Lösung: KI. In einer Branche, die von Kreativität lebt und deren Kunden tendenziell noch negativ auf den Einsatz der LLMs reagieren, haben die Aussagen Brandpotential.

Für das Ende von Destiny 2 waren hohe Kosten verantwortlich, hieß es schon vor Wochen von Insidern. Forbes geht noch etwas mehr ins Detail und destilliert die Gründe für das Scheitern auf eine einfache Formel: „hohe Kosten, schlechte Entscheidungen“.

Destiny 2 habe eine Menge neuer Inhalte benötigt um Spieler bei der Stange zu halten und sei deshalb während seiner Lebensdauer nur selten profitabel gewesen. Gewinne habe die Studioleitung zudem nicht sinnvoll verwendet, etwa für zu viele Konzeptideen oder ein unnötiges neues Unternehmensgebäude. Auch deshalb seien Erweiterungen hinter den Erwartungen geblieben: Selbst The Final Shape habe sie trotz Rekordverkäufen nicht erfüllt, weil die Erwartungen nicht von den Möglichkeiten, sondern den Kosten diktiert worden seien.

KI als Spaßmaßnahme

In diesem Kontext steht die ironische Anmerkung von Tim Sweeney, es möge doch irgendeine neumodische Technologie geben, die bei der Erstellung vieler neuer Inhalte helfe. Gemeint ist natürlich Künstliche Intelligenz. Sweeney vertritt damit eine Position, die im Mainstream großer Konzerne liegt. Dort wird KI als Möglichkeit gesehen, die explodierenden Kosten der Spieleentwicklung im Zaum zu halten oder, am Rande, auch neue Spielerlebnisse zu ermöglichen. Aufgrund der kritischen Haltung von Konsumenten wird aktuell aber noch eingeschränkt: KI soll unterstützen, prüfen und Ideen liefern, nicht ausführen.

Kosten sparen, schneller mehr Inhalte erstellen: Sweeney geht mit seinen Äußerungen in die aktuell extremere Vision von Spieleentwicklung, bei der KI einen aktiven Teil übernimmt. Zynisch mag man anmerken, dass sich das Genre dafür tatsächlich hervorragend eignet: Generische Slop-Service-Shooter lösen dann generische Live-Service-Shooter ab, die eben häufig viel Austauschbares und Ähnliches bieten – was mitunter keinen großen Unterschied machen darf. Das wirft ein Schlaglicht auf die Problemzone des Genres und von KI: Fehlender Kreativität, einer Perspektive, die gleichwohl aus der Sicht von Bilanzen und Gewinnkalkulationen nur bedingt berücksichtigt wird.

Asus hat den Verkaufsstart des NUC 16 Pro mit Core Ultra 300 „Panther Lake“ bekanntgegeben. Als Barebone ohne RAM, SSD und Betriebssystem geht es mit kleinem Core Ultra 5 325 bei 631 Euro los. Das Topmodell mit Core Ultra X9 388H inklusive Arc B390, RAM, SSD und Windows 11 Pro kostet als „Kit“ 2.542 Euro.

Endlich ist der Marktstart erfolgt

Asus hat den NUC 16 Pro auf Basis der Intel Core Ultra 300-Prozessoren mit Panther-Lake-Architektur erstmals auf der CES 2026 im Januar dieses Jahres vorgestellt. Nach Beilegung des Patentrechtsstreits mit Nokia vor einer Woche kommen die Systeme jetzt auch in der DACH-Region auf den Markt.

Diese Modelle gibt es hierzulande

Asus verspricht für die neue NUC-16-Pro-Reihe einen bis zu 50 Prozent niedrigeren Stromverbrauch bis 20 Prozent mehr Leistung und eine bis zu anderthalb Mal schnellere 3D-Grafikbearbeitung verglichen mit den Vorgänger-Modellen. Auf die Modelle mit Arc B390 wird das zweifelsohne zutreffen, wie unzählige Tests dieser iGPU bereits gezeigt haben:

• iGPU vs. dGPU 2026 im Test: Intel Arc B390 vs. RTX 5060 Laptop GPU in Spiele-Benchmarks

Als Kit oder Barebone

Es gibt den NUC Pro 16 als Kit mit RAM, SSD und Windows 11 Pro, aber auch als Barebone. Bei den Modellen mit Arc B390 ist auch dann aber der RAM schon mit im Paket, da er als LPDDR5X-9600 fest verlötet werden muss.

Das Topmodell ist die Konfiguration mit Intel Core Ultra X9 388H mit Arc B390, 32 GB LPDDR5X-9600 und einer 1 TB großen PCIe-Gen4-SSD zum empfohlenen Verkaufspreis von 2.542 Euro. Der günstigste Einstiegt gelingt wiederum mit dem Barebone mit Core Ultra 5 325, hier werden 631 Euro aufgerufen.

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Weitere technische Spezifikationen

Der Asus NUC 16 Pro bietet immer WiFi 7 und Bluetooth 6.0 für die drahtlose Konnektivität und ist darüber hinaus mit zwei 2,5G-LAN-Anschlüssen ausgestattet. Dank zwei HDMI-2.1-Ports und auf Wunsch verfügbarem DisplayPort kann Asus neuer Mini-PC auch in Multi-Monitor-Setups integriert werden. Ferner sind zwei USB-3.2-Gen2-Anschlüsse mit 10 Gbit/s und zwei Thunderbolt-4-Ports an der Rückseite verbaut, während sich an der Vorderseite drei weitere USB-3.2-Gen2-10-Gbit/s-Ports befinden.

Aufgrund einer Zertifizierung nach dem US-Teststandard MIL-STD-810H soll der Asus NUC 16 Pro auch unter widrigen Bedingungen mit niedrigen Ausfallzeiten aufwarten. Zudem kann das vom Format 4 × 4 auf 5 × 4 (Zoll) veränderte Gehäuse ohne Werkzeuge geöffnet werden, wodurch ein leichter Austausch von M.2-SSDs möglich ist. Hierbei misst das Gehäuse 144 × 122 × 44 mm bei einem Volumen von 0,7 Litern. Dabei sorgen drei Heatpipes, spezielle Kühlrippen und zwei Lüfter für die Wärmeableitung.

Im Tandem verkünden die Flash-Partner Kioxia und Sandisk den Beginn der Auslieferung von Testmustern der neuen Speichergeneration BiCS10. Der Name steht für die zehnte Generation 3D-NAND der beiden Hersteller. Gegenüber BiCS8 steigen Bitdichte und Durchsatz deutlich. Parallel wird BiCS9 ein günstigeres Produkt.

Höchste Flächendichte für TLC-NAND

Nicht weniger als die höchste Flächendichte für den Speichertyp 3D-TLC-NAND verspricht der neue BiCS10-NAND von Kioxia und Sandisk. Mehr als 29 Gbit/mm² werden jetzt konkret von Sandisk genannt. Bei 1 Tbit Speicherkapazität der Muster misst ein Die umgerechnet also rund 35 mm².

Die Redaktion ist aufgrund früherer Hinweise bisher von 29,1 Gbit/mm² ausgegangen, was also ziemlich genau hinkommt. Damit würde BiCS10 Samsungs kommenden V-NAND V10 bei der Flächendichte knapp schlagen, denn dieser kommt nach bisheriger Kenntnis auf 28 Gbit/mm². Das ist vor allem bemerkenswert, da Kioxia und Sandisk auf nur 332 Zellschichten (Layer) setzen, während es bei Samsung über 400 (vermutlich ~430) sind.

Samsungs Interface ist schneller

An anderer Stelle wird Samsungs V10 aber überlegen sein, nämlich beim NAND-Interface: Hier hat Samsung sehr hohe 5,6 Gbit/s in Aussicht gestellt, während es beim BiCS10 „nur“ 4,8 Gbit/s sind. Gegenüber dem BiCS8 bedeutet das aber dennoch eine Steigerung um 33 Prozent. Bei der Flächendichte ist BiCS10 dem BiCS8 sogar um 59 Prozent überlegen. Die Zahl der Layer steigt allerdings auch von 218 auf 332 und somit bereits um 52 Prozent.

Der BiCS10 TLC soll beim Lesen eine um 30 Prozent höhere Energieeffizienz aufweisen als BiCS8 TLC. Beim Schreibvorgang wird eine Verbesserung in diese Richtung um 18 Prozent versprochen.

Bei Sandisk klingen die Angaben zum BiCS10 wie folgt:

• Up to 4.8Gb/s** NAND interface speed, a 33 percent improvement.*
• 332 memory layers with optimized floor plan efficiency, improving bit density by 59 percent.*
• Enhanced data input/output power efficiency, reducing power consumption by 10 percent for input and 34 percent for output.*
• Support for Toggle DDR6.0, SCA protocol1 and PI-LTT technology2 to enable high-speed, low-power operation.

*Compared with 8th-generation 3D flash memory currently in mass production (BiCS8).

BiCS10 überholt offenbar BiCS9

Dass an dieser Stelle stets Generation 8 (BiCS8) mit Generation 10 (BiCS10) verglichen wird, liegt daran, dass die Generation 9 (BiCS9) ein Abzweigung von der eigentlich Roadmap nimmt. Das sorgte im vergangenen Jahr bereits für viel Verwirrung (auch beim Autor dieser Zeilen), sodass erst später klar wurde, dass BiCS9 ein Hybrid aus alter und neuer Technik werden wird.

• NAND-Flash von Kioxia/SanDisk: BiCS9 ist ein Hybrid aus alter und neuer Technik

Jetzt deutet sich sogar an, dass BiCS10 der 9. Generation zuvorkommen wird. Zumindest haben Sandisk und Kioxia noch keine Bemusterung für BiCS9 verkündet. Mit BiCS10 samt höchster Speicherdichte und Performance soll primär der Enterprise-Markt (Data-Center-SSDs) bedient werden. BiCS9 TLC soll dank älterer Prozesse günstiger zu fertigen sein, dürfte aber auch langsamer arbeiten und bietet mit 512 Gbit nur halb so viel Speicherkapazität pro Chip.

Wann kommt die Massenfertigung?

Am Ende stellt sich bei solchen Ankündigungen immer die Frage nach der Verfügbarkeit der neuen Speicherchips im Handel. Das kann an dieser Stelle aber nicht beantwortet werden, da weder Kioxia noch Sandisk den Termin für den Start der Massenfertigung in der Kitakami Fab2 (Japan) nennen. Branchenquellen gehen zumindest von einem Start im laufenden Geschäftsjahr von Kioxia aus, das mit dem April 2026 begann und mit dem März 2027 endet.