Z-NAND: Samsungs High-Speed-Flash soll für KI zurückkehren

Um Samsungs Z-NAND ist es ruhig geworden. Doch laut einem Bericht aus Asien wird der auf Höchstleistung getrimmte NAND-Flash-Speicher zurückkehren. Samsung plane den Einsatz für KI-Anwendungen. Der Speicher soll in der Spitze 15 Mal schneller als herkömmlicher NAND-Flash arbeiten und dabei noch viel Energie sparen.

Steht der Z-NAND vor dem Comeback?

Vom taiwanischen Branchenmagazin DigiTimes stammt der Bericht (Paywall), den unter anderem Tom’s Hardware zitiert. Demnach habe der Vizepräsident von Samsungs Speichersparte angekündigt, mit dem neu aufgelegten Z-NAND die Leistung von herkömmlichem NAND-Flash um den Faktor 15 zu übertreffen und dabei die Leistungsaufnahme um satte 80 Prozent zu reduzieren.

Ohne konkrete Werte sind diese Aussagen aber fast nicht zu gebrauchen. So bleibt etwa offen, was hier mit „Performance“ gemeint ist. Am wahrscheinlichsten sind Leistungssteigerungen bei den Zugriffszeiten, das war auch die Stärke der früheren Z-SSD mit Z-NAND.

GPU soll direkt auf Z-NAND zugreifen

Ferner ist von einer neuen Technik die Rede, die einer GPU den direkten Zugriff auf Z-NAND-SSDs erlaube, ähnlich wie es die DirectStorage-API bei Spielen ermöglicht. Hier ist aber eher eine direkte Kommunikation zwischen einem GPU-basierten KI-Beschleuniger und dem Z-NAND gemeint.

An anderer Stelle fällt der Name GPU-Initiated Direct Storage Access (GIDS) für die angeblich neue Technik im Z-NAND. Dazu finden sich auch einige wissenschaftliche Artikel (PDF), die zeigen, dass unter anderem Nvidia daran arbeitet.

Z-NAND setzte sich bisher nicht durch

Samsungs Hochgeschwindigkeits-NAND konnte sich vor Jahren nicht wirklich durchsetzen, was vor allem an den Kosten gelegen haben dürfte. Bei der Speicherdichte war der Z-NAND nämlich kaum besser als der noch schnellere 3D-XPoint-Speicher von Intel, der zwischenzeitlich eingestellt worden war.

Kioxia plant viel mit XL-Flash

Kioxia hat mit dem XL-Flash einen ähnlichen Weg eingeschlagen, dabei aber weitaus höhere Speicherdichten erzielt. Während es um Samsungs Z-NAND ruhig geworden ist, plant Kioxia konkret mit einer 10-Millionen-IOPS-SSD auf Basis des XL-Flash für das zweite Halbjahr 2026.

Zwischen RAM und Storage ist noch viel Platz

Für den Bedarf an immer schnelleren Massenspeichern respektive RAM-Alternativen mit weitaus höheren Speicherkapazitäten dürfte Samsung also die Rückkehr des Z-NAND einplanen. Ein ganz neuer Markt könnte entstehen, denn nun arbeiten die Konkurrenten SanDisk und SK Hynix auch noch gemeinsam am High Bandwidth Flash (HBF). Dieser wird allerdings wohl eher beim Durchsatz als bei den Zugriffszeiten neue Maßstäbe für NAND-Flash-Speicher liefern.

Bei all diesen neuen Ansätzen, die einzig und allein durch den globalen KI-Boom befeuert werden, stellt sich die Frage, ob Intels 3D XPoint nicht nur einfach zur falschen Zeit auf den Markt gekommen ist. Womöglich wäre heute die Nachfrage sogar gegeben, um die Entwicklung weiter voranzutreiben.