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Reader’s Choice Awards: Bester Desktop-CPU-Hersteller 2026


ComputerBase ruft erneut die Reader’s Choice Awards aus. Dieses Jahr wird nicht nur der beste Desktop-, sondern auch Notebook-CPU-Hersteller gekürt. Denn euer Favorit am Desktop muss nicht auch der Favorit am mobilen Notebook sein, bei dem es zudem mehr Auswahl bei den Herstellern gibt.

Welcher Hersteller konnte euch mit seinen Prozessoren am meisten überzeugen? Ihr entscheidet, wer den Preis erhält und sich mit eurer Auszeichnung schmücken darf.

An die erweiterte Auswahl anknüpfend wird in der nächsten Abstimmung übrigens nach eurem Favoriten im Smartphone gefragt!

ComputerBase hat eine Stimme. Die Testberichte werden nicht nur von Lesern, sondern auch von Herstellern geschätzt und tragen dazu bei, künftige Produkte zu verbessern. Doch nicht nur ComputerBase hat eine Stimme, sondern auch unsere Leser haben eine Stimme. Denn Hersteller schätzen auch die enorme Interaktion unserer Leser mit den Inhalten auf ComputerBase. Das Feedback unserer Community wird von den Herstellern wahr- und ernst genommen.

ComputerBase gibt der Community bei der Auszeichnung der besten Desktop- und Notebook-Prozessoren-Hersteller wieder eine Stimme – ihr vergebt die „ComputerBase Reader’s Choice Awards“. Mit AMD, Intel, Apple (Mac), Qualcomm (Snapdragon X) und Nvidia (DGX Spark) stehen bei den Desktop-Prozessoren mehrere Hersteller zur Wahl. Bei den Notebooks, bei denen ohnehin andere Werte entscheidend sind und die Auswahl deutlich unterschiedlicher ausfällt, sind ebenfalls Apple mit ihren M-Prozessoren (MacBook), Qualcomm mit den ersten beiden Generationen der Snapdragon-X-Serie, aber auch MediaTek vertreten. Nvidia kommt mit „RTX Spark“ dann im nächsten Jahr dazu.

Unsere Leser wählen in den nächsten Wochen wieder ihren Favoriten in zahlreichen Hardware-Kategorien – ohne Vorauswahl, ohne Einschränkung, ohne Werbebudget der zur Wahl stehenden Unternehmen. Bereits über den besten Hersteller abgestimmt werden kann in den folgenden Kategorien:

  • Bester Grafikkarten-Hersteller 2026
  • Bester Monitor-Hersteller 2026

Die in Deutschland relevanten und verfügbaren Hersteller der jeweiligen Kategorie stehen zur Wahl, um für ihre Produkte und ihren Support, die euch ganz persönlich überzeugt haben, ausgezeichnet zu werden.

Bester Desktop-Prozessoren-Hersteller 2026

Bester Desktop-CPU-Hersteller 2026
  • AMD

    Historie: 89,0 % 93,6 %

  • Intel

    Historie: 11,0 % 6,4 %

  • Apple

  • Qualcomm

  • Nvidia

Bester Notebook-Prozessoren-Hersteller 2026

Bester Notebook-CPU-Hersteller 2026
  • AMD

  • Apple

  • Intel

  • MediaTek

  • Qualcomm

Und damit die Hersteller wissen, warum ihr gerade sie gewählt habt oder auch warum ihr ausgerechnet sie nicht gewählt habt, ist euer Feedback in den Kommentaren wie immer sehr gern gesehen: Denn ihr habt eine Stimme, die gehört wird!

Die Umfrage läuft 14 Tage und an ihr können nur bereits registrierte ComputerBase-Leser teilnehmen, da es sich um eine Auszeichnung der ComputerBase-Community handelt. In den darauffolgenden Tagen wird der Gewinner gekürt.

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Höchste Flächendichte: Kioxia und Sandisk lassen BiCS10-NAND bemustern


Höchste Flächendichte: Kioxia und Sandisk lassen BiCS10-NAND bemustern

Bild: SanDisk

Im Tandem verkünden die Flash-Partner Kioxia und Sandisk den Beginn der Auslieferung von Testmustern der neuen Speichergeneration BiCS10. Der Name steht für die zehnte Generation 3D-NAND der beiden Hersteller. Gegenüber BiCS8 steigen Bitdichte und Durchsatz deutlich. Parallel wird BiCS9 ein günstigeres Produkt.

Höchste Flächendichte für TLC-NAND

Nicht weniger als die höchste Flächendichte für den Speichertyp 3D-TLC-NAND verspricht der neue BiCS10-NAND von Kioxia und Sandisk. Mehr als 29 Gbit/mm² werden jetzt konkret von Sandisk genannt. Bei 1 Tbit Speicherkapazität der Muster misst ein Die umgerechnet also rund 35 mm².

Die Redaktion ist aufgrund früherer Hinweise bisher von 29,1 Gbit/mm² ausgegangen, was also ziemlich genau hinkommt. Damit würde BiCS10 Samsungs kommenden V-NAND V10 bei der Flächendichte knapp schlagen, denn dieser kommt nach bisheriger Kenntnis auf 28 Gbit/mm². Das ist vor allem bemerkenswert, da Kioxia und Sandisk auf nur 332 Zellschichten (Layer) setzen, während es bei Samsung über 400 (vermutlich ~430) sind.

Speicherdichte von 3D-NAND (grün: TLC, orange: QLC, rot: PLC, blau: SLC)

    • Kioxia/Sandisk BiCS10 332L (QLC, 2 Tb)

    • Kioxia/Sandisk BiCS10 332L (TLC, 1 Tb)

    • Samsung V9 286L (QLC, 1 Tb)

    • Samsung V10 4xxL (TLC, 1 Tb)

    • Intel 192L (PLC, 1,67 Tb)

    • SK Hynix V9 321L (TLC, 1 Tb)

    • YMTC 232L (QLC, 1 Tb)

    • Micron 232L (QLC, 1 Tb)

    • Kioxia/WD BiCS8 218L (TLC, 1 Tb)

    • Samsung V9 286L (TLC, 1 Tb)

    • Kioxia/WD BiCS6 162L (QLC, 1 Tb)

    • YMTC 232L (TLC, 1 Tb)

    • Micron 176L (QLC, 1 Tb)

    • SK Hynix V7 176L (QLC, 1 Tb)

    • Micron 232L (TLC, 1 Tb)

    • Intel 144L (QLC, 1 Tb)

    • Samsung V8 238L (TLC, 1 Tb)

    • SK Hynix V8 238L (TLC, 1 Tb)

    • SK Hynix V7 176L (TLC, 512 Gb)

    • Kioxia/WD BiCS6 162L (TLC, 1 Tb)

    • Intel/Micron 96L (QLC, 1 Tb)

    • Kioxia/WD BiCS4 96L (QLC, 1,33 Tb)

    • Samsung V7 176L (TLC, 512 Gb)

    • YMTC 128L (TLC, 512 Gb)

    • SK Hynix V5 96L (QLC, 1 Tb)

    • Kioxia/WD BiCS5 128L (TLC, 512 Gb)

    • SK Hynix V6 128L (TLC, 512 Gb)

    • Samsung V5 92L (QLC, 1 Tb)

    • Intel/Micron 96L (TLC, 512 Gb)

    • Kioxia/WD BiCS4 96L (TLC, 512 Gb)

    • Samsung V6 128L (TLC, 512 Gb)

    • Samsung Z-NAND 48L (SLC, 64 Gb)

    • Intel/Micron 3D XPoint (SLC, 128 Gb)

Einheit: Gigabit pro mm²

SanDisk gibt kleine Vorschau auf BiCS10
SanDisk gibt kleine Vorschau auf BiCS10 (Bild: SanDisk)

Samsungs Interface ist schneller

An anderer Stelle wird Samsungs V10 aber überlegen sein, nämlich beim NAND-Interface: Hier hat Samsung sehr hohe 5,6 Gbit/s in Aussicht gestellt, während es beim BiCS10 „nur“ 4,8 Gbit/s sind. Gegenüber dem BiCS8 bedeutet das aber dennoch eine Steigerung um 33 Prozent. Bei der Flächendichte ist BiCS10 dem BiCS8 sogar um 59 Prozent überlegen. Die Zahl der Layer steigt allerdings auch von 218 auf 332 und somit bereits um 52 Prozent.

Der BiCS10 TLC soll beim Lesen eine um 30 Prozent höhere Energieeffizienz aufweisen als BiCS8 TLC. Beim Schreibvorgang wird eine Verbesserung in diese Richtung um 18 Prozent versprochen.

Bei Sandisk klingen die Angaben zum BiCS10 wie folgt:

  • Up to 4.8Gb/s** NAND interface speed, a 33 percent improvement.*
  • 332 memory layers with optimized floor plan efficiency, improving bit density by 59 percent.*
  • Enhanced data input/output power efficiency, reducing power consumption by 10 percent for input and 34 percent for output.*
  • Support for Toggle DDR6.0, SCA protocol1 and PI-LTT technology2 to enable high-speed, low-power operation.

*Compared with 8th-generation 3D flash memory currently in mass production (BiCS8).

BiCS10 überholt offenbar BiCS9

Dass an dieser Stelle stets Generation 8 (BiCS8) mit Generation 10 (BiCS10) verglichen wird, liegt daran, dass die Generation 9 (BiCS9) ein Abzweigung von der eigentlich Roadmap nimmt. Das sorgte im vergangenen Jahr bereits für viel Verwirrung (auch beim Autor dieser Zeilen), sodass erst später klar wurde, dass BiCS9 ein Hybrid aus alter und neuer Technik werden wird.

BiCS9 und Next-Gen (BiCS10) auf Roadmap
BiCS9 und Next-Gen (BiCS10) auf Roadmap (Bild: SanDisk)
  • NAND-Flash von Kioxia/SanDisk: BiCS9 ist ein Hybrid aus alter und neuer Technik

Jetzt deutet sich sogar an, dass BiCS10 der 9. Generation zuvorkommen wird. Zumindest haben Sandisk und Kioxia noch keine Bemusterung für BiCS9 verkündet. Mit BiCS10 samt höchster Speicherdichte und Performance soll primär der Enterprise-Markt (Data-Center-SSDs) bedient werden. BiCS9 TLC soll dank älterer Prozesse günstiger zu fertigen sein, dürfte aber auch langsamer arbeiten und bietet mit 512 Gbit nur halb so viel Speicherkapazität pro Chip.

Wann kommt die Massenfertigung?

Am Ende stellt sich bei solchen Ankündigungen immer die Frage nach der Verfügbarkeit der neuen Speicherchips im Handel. Das kann an dieser Stelle aber nicht beantwortet werden, da weder Kioxia noch Sandisk den Termin für den Start der Massenfertigung in der Kitakami Fab2 (Japan) nennen. Branchenquellen gehen zumindest von einem Start im laufenden Geschäftsjahr von Kioxia aus, das mit dem April 2026 begann und mit dem März 2027 endet.



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Capcom: Onimusha: Way of the Sword startet 3 Wochen früher


Mit Onimusha: Way of the Sword holt Capcom eine lange ruhende Reihe zurück. Der neue Teil setzt auf Schwertkämpfe in einem von dunkler Fantasy geprägten Japan und soll nun früher erscheinen als bislang geplant: Der Start ist jetzt für den 4. September 2026 angesetzt.

Der neue Termin liegt vor dem alten

Bislang hatte Capcom den 25. September 2026 als Veröffentlichungstermin genannt. Die Verschiebung fällt damit ungewöhnlich aus, denn statt einer späteren Veröffentlichung rückt das Spiel um drei Wochen nach vorne. Einen Grund für die Änderung nennt der Publisher in der knappen Mitteilung nicht. Möglicherweise soll der Abstand zum Mitte-November erscheinenden GTA 6 vergrößert werden, bestätigt ist dies aber nicht.

Veröffentlicht wird Onimusha: Way of the Sword für PC (Steam, Epic), PlayStation 5, Xbox Series X|S und Nintendo Switch 2. Damit ist der Titel nicht nur auf den großen stationären Plattformen vertreten, sondern auch für Nintendos neue Konsole eingeplant.

Rückkehr nach mehr als 20 Jahren

Onimusha: Way of the Sword ist der erste neue Teil der Reihe seit mehr als zwei Jahrzehnten. Schauplatz der Dark-Fantasy-Produktion ist ein verfremdetes Kyoto der Edo-Zeit, das von bösartigen Wolken namens Malice verändert wurde.

Im Mittelpunkt steht Miyamoto Musashi. Allzu viel zur Handlung nennt Capcom bisher nicht, der Publisher spricht aber von Schwert-Action und einer Geschichte, die von mehreren Figuren getragen wird. Die Onimusha-Reihe selbst startete 2001 und kommt laut Capcom bis Ende März 2026 auf mehr als 9,1 Millionen verkaufte Einheiten.

Demo ist bereits verfügbar

Schon Anfang Juni hatte Capcom eine spielbare Demo zu Onimusha: Way of the Sword veröffentlicht. Darin können Spieler einen Abschnitt des Kampfsystems ausprobieren, einschließlich eines Bosskampfs.



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Nintendo Switch 2: Mario Kart World erhält 2 neue Strecken in der K.o.-Tour


Nintendo Switch 2: Mario Kart World erhält 2 neue Strecken in der K.o.-Tour

Bild: Nintendo – hochskaliert

Mario Kart World wird im Rahmen des kostenlosen Updates 1.7.0 um zwei neue Routen in der K.-o.-Tour sowie Sticker für den Fotomodus erweitert. Zudem soll die K.-o.-Tour in Zukunft um weitere Strecken erweitert werden. Das Update ist für den Online-Modus zwingend erforderlich.

In der K.o.-Tour müssen Spieler beim Erreichen von insgesamt 5 Checkpoints jeweils eine Mindestplatzierung erreichen, um nicht aus dem Rennen zu fliegen. Dank des neuen Gratis-Updates 1.7.0 für das Nintendo-Switch-2-exklusive Mario Kart World gibt es nun zwei neue Strecken in der K.o.-Tour, Bohrer-Rallye und Bumerang-Rallye. Außerdem können jetzt zuvor in der offenen Welt gesammelte Sticker im Fotomodus platziert werden.

Zwei neue Strecken in der K.o.-Tour

Die zwei neuen Strecken in der K.o.-Tour sind erst zugänglich, wenn bereits an einer K.o.-Tour teilgenommen wurde, was die meisten Mario-Kart-World-Spieler aber sicherlich bereits gemacht haben. Dabei verbindet die Bohrer-Rallye die Strecken Warios Galeonenwrack und Bowsers Festung. Die neue Bumerang Rallye dient hingegen der Verbindung von Salzwasser-Serpentinen und Dampflok-Gipfel.

Im Fotomodus können zudem nun bereits gesammelte Sticker platziert werden. Dafür kann wahlweise der Maus-Modus der Joy-Con-2-Controller oder der Touchscreen der Nintendo Switch 2 genutzt werden. Dadurch lassen sich die eigenen Schnappschüsse auf kreative Art und Weise gestalten, was dem Fotomodus von Mario Kart World noch mehr Optionen und Möglichkeiten verleiht.

Update 1.7.0 mit Balancing-Anpassungen und Bugfixes

Darüber hinaus bietet das Update 1.7.0 für Mario Kart World eine ganze Reihe an Optimierungen und Fehlerkorrekturen. So hat Nintendo die Beschleunigung sowie Gleitergeschwindigkeit von einigen Charakteren angepasst und nach einem Treffer von Kugelwilli oder Kameks Zaubern kann direkt wieder gesprungen werden. Außerdem ist jetzt die Superhupe in der Hand von anderen Spielern sichtbar und die Sprache kann in den Systemeinstellungen des Fun-Racers umgestellt werden.

Zu den behobenen Fehlern von Update 1.7.0 gehören unter anderem falsche Zeiten nach dem Erreichen der Ziellinie im Zeitfahren und einer zu weit vorne liegenden Zurücksetzung nach dem Abkommen von der Strecke. Darüber hinaus konnten verschiedene Probleme mit Abkürzungen auf diversen Strecken behoben werden. Eine vollständige Übersicht der behobenen Probleme findet sich in den englischsprachigen Patchnotes von Update 1.7.0.



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