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Im Dezember hat SK Hynix auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) über Forschungsprojekte im Bereich NAND-Flash referiert. Dazu zählt die Multi-Site-Cell-Technik mit Potenzial für 5 Bit...
Forscher von Samsungs Halbleitersparte arbeiten an einer neuen Form von NAND-Flash-Speicher. Mit Hilfe sogenannter Ferroelectric Field-Effect Transistors (FeFETs) soll sich die Leistungsaufnahme drastisch reduzieren lassen. Dennoch...