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Die Architektur des Snapdragon X2 Elite im Detail


In der ersten Jahreshälfte 2026 sollen erste Notebooks mit dem Snapdragon X2 Elite (Extreme) auf den Markt kommen. Was den neuen Chip in Bereichen wie CPU, GPU, KI, Speicher oder SoC-Design auszeichnet und was ihn schnell und sparsam macht, konnte sich die Redaktion jüngst am Hauptsitz von Qualcomm im Detail erklären lassen.

Mit dem Snapdragon X2 Elite und Snapdragon X2 Elite Extreme setzt Qualcomm die vor zwei Jahren vorgestellte Entwicklung eigener Notebook-Prozessoren fort und tritt damit erneut gegen AMD und Intel im x86-Umfeld und gegen Apple im Arm-Ökosystem an.

Marktstart im ersten Halbjahr 2026

Nachdem Qualcomm die erste Generation Snapdragon X im Herbst 2023 vorgestellt hatte, bevor die ersten Geräte im Sommer 2024 auf den Markt kamen, sollen erste Notebooks mit dem Snapdragon X2 im Laufe des ersten Halbjahres marktreif sein. Weder zum Snapdragon Summit vor acht Wochen noch zum aktuellen Besuch des Hauptsitzes in San Diego konnte Qualcomm allerdings die ersten Abnehmer des Chips verraten. Es gebe laut Qualcomm aber „Design Wins“, also feste Zusagen für die Prozessoren, nur öffentlich genannt werden dürfen die Hersteller noch nicht. Potenziell wird sich das zur CES im Januar ändern.

Launch im ersten Halbjahr 2026 anvisiert
Launch im ersten Halbjahr 2026 anvisiert (Bild: Qualcomm)

Qualcomm dürfte nicht ohne Grund vom „ersten Halbjahr 2026“ statt vom ersten Quartal sprechen, wenn der Konzern nicht doch früher liefern könnte. Eine Ankündigung durch Partner zur CES im Januar wäre früh, aber sinnvoll und vielleicht sogar notwendig, damit das Thema nicht zum Erliegen kommt. Acht Monate von der Chip-Ankündigung bis zu den Produkten kann sich Qualcomm nicht erneut leisten.

Bis dieses selbst gesteckte Ziel auf der Roadmap erreicht ist, müssen weitere technische Details zur Plattform und Architektur überbrücken, für die es dieses Mal sogar ein eigenes Event gab. Und die Details zur Plattform sind vielversprechend, zeichnen sie doch das Bild eines schnellen und zugleich effizienten Chips, der es mit der etablierten x86- und Arm-Konkurrenz aufnehmen kann.

Technische Daten des Snapdragon X2 Elite (Extreme)

Ein kurzer Rückblick: Den Snapdragon X2 hat Qualcomm Ende September in drei Varianten vorgestellt: X2E‑96‑100, X2E‑88‑100 und X2E‑80‑100. Hinter den kryptischen Bezeichnungen verbergen sich zwei 18-Core- und eine 12-Core-Variante des Chips, beim größten „Extreme“ mit bis zu 5,0 GHz, stärkerer GPU und Triple-Channel-Speicher auf dem Package. Die drei Ableger des Chips eint die mit 80 TOPS (INT8) ausgesprochen leistungsfähige NPU.

Einblick in Architektur der neuen Plattform

Am Hauptsitz von Qualcomm in San Diego hat das Unternehmen jüngst die technischen Details der neuen Plattform offengelegt, die einen Einblick in die Architektur ermöglichen und die Fortschritte bei Leistung und Effizienz erklären. Die meisten Angaben auf den Präsentationsfolien beziehen sich auf den Snapdragon X2 Elite Extreme, die technischen Daten treffen in reduziertem Umfang aber auch auf den Snapdragon X2 Elite zu.

31+ Milliarden Transistoren aus 3-nm-Fertigung

Der Snapdragon X2 Elite Extreme ist ein SoC mit Die und Speicher auf dem Package. Für den Snapdragon X2 Elite mit 12 oder 18 Kernen wird der Speicher auf das Board ausgelagert. Der Die des Extreme zählt mehr als 31 Milliarden Transistoren aus der 3-nm-Fertigung von TSMC (N3). Dabei setzt Qualcomm auf eine Mischung aus primär N3P und für einzelne Bereiche N3X für höhere Spannungen und Taktfrequenzen. Qualcomm nennt üblicherweise nicht die Anzahl der Transistoren oder die Die-Größe, beim Snapdragon X2 Elite Extreme ist dies nun aber der Fall. Zum Vergleich: Der Apple M4 kommt auf 28 Milliarden Transistoren, beim M3 waren es 25 Milliarden. Für den M5 liegt keine offizielle Zahl vor, bekannt ist aber, dass auch dort auf TSMC N3P gesetzt wird.

Snapdragon X Series Architecture Deep Dive – Platform (Bild: Qualcomm)

Ein SoC ist mehr als nur eine CPU

Das System-on-a-Chip für Notebooks setzt sich wie Qualcomms Smartphone-Chips aus mehreren Funktionsblöcken zusammen. Dazu gehören unter anderem CPU und GPU, NPU, Memory Controller, SLC, Bildprozessor (ISP), Display und Video Processing Unit (DPU/VPU), Sensing Hub oder Secure Processing Unit (SPU). Die meiste Fläche auf dem Die nimmt dann aber doch die CPU ein, sofern die beiden Prime- und der Performance-Cluster addiert werden. Den größten einzelnen Block bildet die Adreno-GPU.

Im Randbereich des Chips sind Interfaces für den DRAM, PCIe 5.0 und 4.0, UFS 4.0, MIPI-Kameras und USB4 zu finden. Zwischen den beiden Prime-Clustern des Snapdragon X2 Elite Extreme sitzen Speicher-Controller und SLC. Für externe Geräte und Storage stehen dreimal USB4 mit 40 Gbit/s, 12 Lanes PCIe 5.0, 4 Lanes PCIe 4.0, UFS 4.0, SDUC mit SD Express und SDXC mit UHS-I zur Verfügung.

Snapdragon X2 Elite Extreme
Snapdragon X2 Elite Extreme

Triple- und Dual-Channel LPDDR5X-9523

Für das Topmodell X2E-96-100 wechselt Qualcomm von einem Dual-Channel-RAM-Interface mit 8 Lanes für LPDDR5X-8448 mit 135 GB/s zu einem Interface mit drei Kanälen verteilt auf 12 Lanes für LPDDR5X-9523 mit 228 GB/s. Der kleinere X2E-88-100 mit ebenfalls 18 CPU-Kernen, aber weniger Takt, und der X2E-80-100 mit 12 CPU-Kernen verfügen über ein Dual-Channel-Interface mit 8 Lanes für LPDDR5X-9523 mit 152 GB/s.

Der SLC wächst auf 9 MB

Für alle Funktionsblöcke des Chips steht ein Shared Last Level Cache (SLC) von jetzt 9 MB zur Verfügung. Der SLC fällt damit 50 Prozent größer als beim Snapdragon X Elite aus. Welchem Funktionsblock wie viel SLC zur Verfügung steht, wird dynamisch je nach Anforderung zugewiesen. Für den Snapdragon X Elite hatte Chefarchitekt Gerard Williams allerdings erklärt, dass die CPU aufgrund großer L2-Caches tendenziell am wenigsten Gebrauch davon macht. Mit 16 MB L2 pro Prime-Cluster, 12 MB für das Performance-Cluster und 9 MB SLC kommt man auf den von Qualcomm angegebenen „Total Cache“ von 53 MB. Das bedeutet auch, dass der SLC in der 12-Kern-Variante die zuvor bekannten 6 MB aufweist.

Detailansicht mit Die und Triple-Channel-LPDDR5X
Detailansicht mit Die und Triple-Channel-LPDDR5X

Power Delivery Network mit vier Vorreglern

Neben Veränderungen an der Mikroarchitektur, die Leistung und Verbrauch beeinflussen, spielt für die Effizienz auch das PDN (Power Delivery Network) eine wichtige Rolle. Der Chip verfügt über vier Vorregler, die dafür sorgen, dass die auf Batterie oder Ladegerät (5 bis 20 Volt) nachfolgende eigentliche Spannungsregelung für die vier PMICs (Power Management Integrated Circuit) unter stabilen und günstigen Bedingungen mit 3,3 Volt arbeiten kann. Damit lassen sich individuelle Stromschienen erstellen, die laut Qualcomm schnell und dynamisch angepasst werden können und für die einzelnen Funktionsblöcke optimiert seien, um diese möglichst effizient anzusteuern und möglichst schnell wieder in den Ruhezustand versetzen zu können.

Snapdragon X Series Architecture Deep Dive – Platform
Snapdragon X Series Architecture Deep Dive – Platform (Bild: Qualcomm)



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Microns Megafab in New York: Baubeginn der größten US-Chip-Fabrik steht kurz bevor


Microns Megafab in New York: Baubeginn der größten US-Chip-Fabrik steht kurz bevor

Bild: Micron

Micron hat den Baubeginn für die bisher größte Halbleiterfabrik in den USA angekündigt. Am 16. Januar geht es los. Das Projekt „Megafab“ soll insgesamt 100 Milliarden US-Dollar verschlingen. Die ganze Anlage soll bis zu vier Fabriken in sich vereinen. Die Vollendung wird aber noch Jahrzehnte dauern.

Die Umweltaspekte sind geprüft und die Genehmigungen liegen vor, erklärt Micron heute und gibt bekannt, dass der Spatenstich für die Megafabrik in Onondaga County, New York am 16. Januar 2026 erfolgt.

Erste Chips frühestens 2030

Das Projekt wird als „größte private Investition in der Geschichte des Bundesstaates New York“ bezeichnet und soll die „modernste Speicherfertigung der Welt beherbergen“. Vor allem Chips für KI-Rechenzentren sollen dann vom Band laufen, doch das wird noch viele Jahre dauern. Zuletzt hatte sich angedeutet, dass die Produktion der ersten von insgesamt vier geplanten Fabs, erst Ende 2030 beginnt. Die letzte Produktionsstätte könne sogar bis nach 2040 auf sich warten lassen. Diese Termine sind allerdings nicht ganz offiziell und auch heute wagt Micron keine öffentliche Prognose.

Teil einer 200 Mrd. USD schweren Großoffensive

Die Megafab ist Teil eines 200 Milliarden US-Dollar schweren Investitionsplans des Speicherherstellers Micron, der 150 Milliarden US-Dollar in die Speicherfertigung in den USA investieren will. Weitere 50 Milliarden US-Dollar sollen in Forschung und Entwicklung fließen. Dies soll in 90.000 neue Arbeitsplätzen resultieren, in direktem aber vor allem indirekten Umfeld.

Die Summe stemmt Micron aber nicht im Alleingang, denn Subventionen der US-Regierung kommen unter anderem im Rahmen des Chips Act hinzu.

Daher werden zum Spatenstich auch Vertreter der Trump-Administration, des Kongresses und der Regierung des Bundesstaates New York geladen.

Der Spatenstich für Microns Megafabrik in New York ist ein entscheidender Moment für Micron und die Vereinigten Staaten“, wird Sanjay Mehrotra, Vorstandsvorsitzender und CEO von Micron Technology, in der Ankündigung zitiert. Zudem dankt er Präsident Trump, obgleich ein Großteil der Subventionen schon unter der vorherigen Regierung auf den Weg gebracht wurde.

Da die Weltwirtschaft in das Zeitalter der künstlichen Intelligenz eintritt, wird die führende Rolle bei fortschrittlichen Halbleitern der Grundstein für Innovation und wirtschaftlichen Wohlstand sein. Unsere Investitionen und Fortschritte festigen unsere Position als einziger US-amerikanischer Speicherhersteller“, mit diesen Worten vom Micron-CEO endet die kurze Mitteilung. Dass das Ganze auch eine geopolitische Entscheidung war, um die USA unabhängiger von Taiwan und Südkorea aufzustellen, ist kein Geheimnis.



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Retro-Handhelds: Ayns Thor Lite ab sofort vorbestellbar


Retro-Handhelds: Ayns Thor Lite ab sofort vorbestellbar

Bild: Ayn

Bereits vor einiger Zeit hatte Retro-Spezialist Ayn eine günstigere Variante seines Thor-Handhelds angekündigt, die ab sofort vorbestellt werden kann. Die Unterschiede zum großen Bruder fallen dabei gering aus, ebenso wie der Preis.

Länger bekannt

Eigentlich sollte der Thor Lite schon vor einigen Monaten in die Vorbestellung gehen, war im hauseigenen Ayn-Shop jedoch stets als nicht lieferbar gekennzeichnet. Nun scheint erneut Bewegung in die Sache zu kommen, denn mit der bevorstehenden zweiten Charge des Thor kann jetzt auch die Lite-Variante geordert werden.

Von Unterschieden und Gemeinsamkeiten

Das Gehäuse entspricht nach wie vor dem des großen Bruders und beherbergt ebenfalls das Dual-Display, bestehend aus einem 6 Zoll und einem 3,92 Zoll großen AMOLED-Panel, die ebenso mit 1.920 × 1.080 beziehungsweise 1.240 × 1.080 Pixeln auflösen. Während das Hauptdisplay Inhalte mit einer Bildwiederholrate von bis zu 120 Hz darstellt, arbeitet das kleinere Panel mit lediglich 60 Hz.

Der Ayn Thor in Transparent Purple
Der Ayn Thor in Transparent Purple (Bild: Ayn)

Die größten Unterschiede zeigen sich beim verbauten Prozessor: Statt des leistungsstärkeren Snapdragon 8 Gen 2 von Qualcomm mit der Grafikeinheit Adreno 740 kommt im Thor Lite ein Snapdragon 865 mit Adreno 650 zum Einsatz. Der Arbeitsspeicher und der interne Speicher für eigene Inhalte entsprechen mit 8 GB RAM und 128 GB dem der Basisversion des Thor. Bei den kabellosen Verbindungen müssen Nutzer wiederum leichte Abstriche machen, hier stehen lediglich Wi-Fi 6 und Bluetooth 5.1 statt des moderneren Wi-Fi 7 und Bluetooth 5.3 zur Verfügung. Der Akku bietet mit 6.000 mAh wiederum die gleiche Kapazität.

Geringer Preisunterschied

Die überschaubaren technischen Unterschiede schlagen sich auch im Preis nieder: Während Ayn im eigenen Onlineshop für die Basisversion des Thor aktuell 299 US-Dollar verlangt, kostet die Lite-Variante mit 249 US-Dollar nur geringfügig weniger. Diese kann ab sofort vorbestellt werden. Wann die Auslieferung beginnen soll, hat der chinesische Hersteller bislang jedoch noch nicht bekannt gegeben.



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be quiet! Netzteil-Boost: 1.200 W für Power Zone 2 und Pure Power 13 M


be quiet! Netzteil-Boost: 1.200 W für Power Zone 2 und Pure Power 13 M

Bild: be quiet!

Für die zwei nach dem Preisvergleich beliebtesten Netzteil-Serien (von be quiet!), Pure Power 13 M und Power Zone 2, werden zur CES 2026 eine leistungsstärkere Variante mit 1.200 Watt vorgestellt, die sich jeweils für Grafikkarten der nächsten Generation eignen sollen.

be quiet! Power Zone 2 1200W (Bild: be quiet!)

Der Wirkungsgrad bei bis zu 94,3 Prozent des Power Zone 2 soll zu bestehenden Modellen mit einer Zertifizierung nach 80Plus Platinum und Cybenetics Platinum vergleichbar sein, wohingegen sich das Pure-Power-13-M mit 93,5 Prozent auf 80Plus-Gold-Niveau bewegt.

be quiet! Pure Power 13 M 1200W (Bild: be quiet!)

Beide Netzteile verfügen weiterhin über den Semi-Passiv-Modus, eine Kompatibilität zu ATX 3.1 sowie PCIe 5.1 und können so Lastspitzen in Höhe der doppelten Nennleistung puffern. Das Power Zone 2 1200W ist mit gleich zwei 12V-2×6-Anschlüssen mit 600 W ausgestattet, wobei deren Kabel mit 90 Grad an einem Stecker gewinkelt sind. Das Pure Power 13 M kommt jedoch nur mit einem dieser in einer geraden Variante aus – bei beiden Netzteilen gibt es aber auch weiterhin die PCIe-8-Pin-Anschlüsse.



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