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Im Test vor 15 Jahren: AMDs Radeon HD 6990 mit doppelter GPU und Jet-Lüftern


Im Test vor 15 Jahren: AMDs Radeon HD 6990 mit doppelter GPU und Jet-Lüftern

Die Radeon HD 6990 (Test) war AMDs Versuch, die Nvidia GeForce GTX 580 zu überholen. Dafür setzte der Hersteller auf die Holzhammermethode und brachte zwei Cayman-GPUs im Vollausbau auf dem PCB unter. Mit dem optionalen OC-BIOS mit angehobenen Taktraten stieg die Leistungsaufnahme aus bis zu 450 Watt an.

Doppelte Cayman-GPU im Vollausbau

Die Radeon HD 6990 setzte zweimal auf die gleiche Cayman-GPU im Vollausbau, die auch auf der Radeon HD 6970 zum Einsatz kam. In der Praxis bedeutete das, dass die vollen 384 Shader-Einheiten pro GPU genutzt wurden. Die Taktraten waren in den Standardeinstellungen mit 830 MHz gegenüber den 880 MHz der Radeon HD 6970 etwas geringer.

Pro GPU standen zwei GByte GDDR5-Speicher zur Verfügung, die mit 2.500 MHz betrieben wurden. Über das zweite BIOS ließen sich die Taktraten der GPUs auf 880 MHz und die maximale Leistungsaufnahme von 375 auf 450 Watt anheben.

Für die Energiezufuhr waren zwei 8-Pin-PCIe-Anschlüsse verbaut – nach PCIe-Spezifikationen sollte das für 375 Watt ausreichen, wobei AMD die Grafikkarte für maximal 450 Watt Leistungsaufnahme spezifizierte. Die Stromversorgung saß dabei mittig zwischen den beiden GPUs auf dem 30 cm langen PCB. Darüber saß der mittig platzierte 75-mm-Radiallüfter des Dual-Slot-Kühlers, der zuerst die Komponenten der Stromversorgung und dann die beiden GPUs mit Frischluft versorgte.

In puncto Anschlüsse hatte die Radeon HD 6990 dank der zwei verbauten GPUs viel zu bieten. So gab es neben einem DVI- gleich vier Mini-DisplayPort-Anschlüsse nach dem 1.2a-Standard zur Auswahl. Preislich lag die Radeon HD 6990 bei 629 Euro und somit etwas über dem Marktpreis von 552 Euro für zwei Radeon HD 6970.

Zur Leistungskrone mit viel Krawall

In den Benchmarks ließ die Radeon HD 6990 keine Fragen offen und beanspruchte unangefochten die Leistungskrone. Dabei war die Dual-GPU-Grafikkarte so schnell, dass selbst in 2.560 × 1.600 Bildpunkten oft die CPU in Form eines übertakteten Core i7-965 Extreme Edition limitierte. Trotzdem ergaben sich zwischen 61 und 73 Prozent mehr Leistung gegenüber einer einzelnen Radeon HD 6970. Zu einer GeForce GTX 580 betrug der Vorsprung zwischen 37 und 63 Prozent.

Erkauft wurde diese enorm hohe Leistung zum einen durch typische Dual-GPU-Probleme wie Mikroruckler, zum anderen durch eine ohrenbetäubende Lautstärke. Während die Leistungsaufnahme des Gesamtsystems um lediglich 41 Prozent (Standard-BIOS) beziehungsweise 53 Prozent (OC-BIOS) gegenüber einer Radeon HD 6970 anstieg, hielt die Radeon HD 6990 bei dem Schalldruckpegel den unangefochtenen Negativrekord. Mit 66,5 dB(A) bei Nutzung des Standard-BIOS war die Grafikkarte bereits abseits jeder Vernunft, toppte diesen Wert bei Nutzung des OC-BIOS jedoch noch mal mit unglaublichen 73 dB(A). Mit knapp 88 °C GPU-Temperatur war auch nicht viel Spielraum für niedrigere Drehzahlen vorhanden. Wem das alles egal war, der konnte mittels zusätzlicher Übertaktung weitere 5 bis 9 Prozent Leistung herausholen.

Fazit

Zu empfehlen war die Radeon HD 6990 – wie alle Dual-GPU-Grafikkarten – keinem normalen Anwender. Wer wirklich die maximale Leistung in einer einzelnen Grafikkarte wollte, für den war die Radeon HD 6990 genau richtig. Für alle anderen war sie zu laut, energiehungrig, heiß und teuer. Selbst wer mit einem Dual-GPU-System liebäugelte, der fuhr mit zwei Radeon HD 6970 günstiger und theoretisch schneller.

In der Kategorie „Im Test vor 15 Jahren“ wirft die Redaktion seit Juli 2017 jeden Samstag einen Blick in das Test-Archiv. Die letzten 20 Artikel, die in dieser Reihe erschienen sind, führen wir nachfolgend auf:

Noch mehr Inhalte dieser Art und viele weitere Berichte und Anekdoten finden sich in der Retro-Ecke im Forum von ComputerBase.



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V10 3D-NAND: SK Hynix erhöht auf 375 Layer und setzt auf Molybdän


V10 3D-NAND: SK Hynix erhöht auf 375 Layer und setzt auf Molybdän

Bild: SK Hynix

Aus Südkorea wird berichtet, dass SK Hynix bei der nächsten Generation 3D-NAND auf 375 Layer setzen wird. Die Hürde von 400 Layern wird damit vorerst nur Samsung nehmen. Es wird gemunkelt, dass es bei SK Hynix Schwierigkeiten gab und daher von 400 auf 375 Layer umgeschwenkt wurde.

SK Hynix 3D-NAND V10 mit 375 Layern

Wie bei Samsung steht auch bei SK Hynix die inzwischen zehnte Generation 3D-NAND an. Diese wird daher auch als SK Hynix V10 bezeichnet. Während Samsung einen sehr großen Schritt von der V9 mit 286 Layern auf die V10 mit 4xx Layern (vermutlich 430) vollzieht, war SK Hynix bereits bei der V9 bei 321 Layern angekommen. Das ist die bisher höchste Zahl an Speicherebenen für NAND-Flash in Serienfertigung.

Dafür fällt der nächste Sprung bei SK Hynix relativ gering aus. Von 321 Layern geht es auf 375 Layer hinauf, das berichtet The Elec unter Berufung auf Branchenquellen. Zuvor sei auch bei SK Hynix die Marke von 400 Layern anvisiert worden, doch sei dieses Ziel „aufgrund von Fertigungsschwierigkeiten“ angeblich „reduziert“ worden, heißt es weiter.

Mit immer mehr übereinander liegenden Schichten von Speicherzellen wird deren elektrische Verbindung immer komplexer. Für die Erhöhung auf 375 Layer habe SK Hynix nun einen Materialwechsel vollzogen: Ein Teil des Wolfram-Films in den Metal-Gate-Elektroden (Word Lines) sei durch Molybdän ersetzt worden. Bei immer schmaleren Leiterbahnen steige der elektrische Widerstand von Wolfram derart, dass die Signalübertragung ausgebremst wird. Bei Molybdän sei der Widerstand geringer, was letztlich der Geschwindigkeit zugute kommt.

Ein weiterer Vorteil sei, dass bei Molybdän im Gegensatz zu Wolfram keine zusätzliche Sperrschicht mehr nötig sei. Es könne direkt abgeschieden werden und ermögliche dadurch Strukturen mit höherer Dichte, wie dem maschinell übersetzten Artikel aus Korea zu entnehmen ist. Das neue Verfahren sei allerdings technisch anspruchsvoll.

Danach seien 480 Layer und 608 Layer geplant

Eine direkt zitierte Quelle spricht davon, dass auf der Roadmap von SK Hynix für die kommenden Generationen (mutmaßlich V11 und V12) eine weitere Erhöhung der Ebenen auf 480 Layer und danach 608 Layer geplant sei.

Zumindest in ersten Versuchen ist es Samsung kürzlich gelungen bereits 900 Layer umzusetzen, allerdings ist dieses Experiment noch weit von einem Serienprodukt entfernt.

Die nächsten NAND-Generationen im Überblick

TrendForce hat die jüngsten Berichte zum kommenden 3D-NAND von Samsung, SK Hynix und Kioxia in einer Grafik zusammengefasst. Der 375-Layer-NAND von SK Hynix soll nun doch bereits Ende 2026 in die Serienfertigung gehen. Für Samsungs 4xx-Layer-NAND ist das zweite Halbjahr 2026 gesetzt. Bei Kioxia könnte es mit der Serienfertigung des BiCS10 mit 332 Layern noch bis Anfang 2027 dauern oder ebenfalls noch 2026 erfolgen. Der Termin wurde bisher lediglich auf das Fiskaljahr 2026 eingegrenzt.

Die 10. Generationen NAND-Flash von Samsung, SK Hynix und Kioxia
Die 10. Generationen NAND-Flash von Samsung, SK Hynix und Kioxia (Bild: Trendforce)

Trotz der deutlich geringeren Layer-Anzahl könnte Kioxia bei der Speicherdichte aber sogar die Führung übernehmen. Auf der ISSCC hatte Kioxia gemeinsam mit Partner Sandisk die zu diesem Zeitpunkt höchste Speicherdichte für den BiCS10 präsentiert.

  • Fast 5 GB pro mm²: Sandisk und Kioxia kommen mit höchster Bitdichte zum ISSCC

Und was ist mit Micron?

Während die Pläne zur 10. NAND-Generation der genannten Wettbewerber mehr und mehr Form annehmen, bleibt ein Konkurrent außen vor: Micron. Nach der Generation G9 mit 276 Layern soll bei Micron die G10 folgen, zu der es allerdings so gut wie keine öffentlichen Informationen zu finden gibt.

Es wird der Einsatz der sogenannten „Confined SN“-Technologie erwartet, die Inferenzen zwischen den Zellen verringern soll. Davon soll unter anderem die Lebensdauer der Speicherzellen profitieren, während eine um 10 Prozent reduzierte Dauer zum Beschreiben einer Zelle erwartet wird. So heißt es zumindest in einem Artikel von EE World.



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Unrailed 2: Back on Track: Koop-Roguelike auf Schienen verlässt den Early Access


Das im Herbst 2020 erschienene kooperative Roguelike-Partyspiel Unrailed! hat mit Unrailed 2: Back on Track einen Nachfolger erhalten. Jetzt hat das in Zürich entwickelte Spiel rund um einen entgleisenden Zug den Early Access verlassen und ist auf Steam, für die PlayStation 5 und die Nintendo Switch in Version 1.0 erschienen.

Mit Bossgegnern, neuen Waggons und Map Editor

Unrailed 2: Back on Track will auf dem Erfolg des ersten Unrailed aufbauen und das bewährte Gameplay um neue Funktionen und Inhalte ergänzen. Auch in Teil 2 geht es darum, gemeinsam im Koop-Team vor einem unaufhaltbaren und immer schneller werdenden Zug rechtzeitig neue Schienen zu verlegen, um sein Entgleisen und damit das Game Over möglichst lange hinauszuzögern. Die chaotische Zugfahrt führt dabei durch verschiedene, prozedural generierte Biome, darunter Wüsten, Dschungel und neuerdings auch Höhlen. Im Gegensatz zum ersten Teil gibt es außerdem Verzweigungen, Nebenquests und Bosskämpfe gegen monströse Widersacher – Screenshots zeigen eine riesige Spinne und einen Sandwurm.

Unrailed 2: Back on Track (Bild: Indoor Astronaut)

Darüber hinaus gibt es eine verbesserte Grafik, Metaprogression, neue Waggons zum Aufrüsten des Zuges je Durchgang, neue Fähigkeiten und neue Spieler­charaktere. Außerdem ist von neuen Spielmodi die Rede, darunter der Terrain­baumodus, in dem Spieler erstmals eigene Karten entwerfen und mit der Community teilen können sollen. Im 4-vs.-4-Modus dürfen hingegen erstmals – der Name sagt es bereits – vier gegen vier Spieler wetteifern. Im ersten Teil waren Teams im Versus-Modus auf zwei Spieler beschränkt. Der klassische Endlosmodus für lokalen oder Online-Mehrspieler, Steam Remote Play und Einzelspieler werden ebenfalls geboten.

Eineinhalb Jahre Early Access

Auf dem PC ging Unrailed 2 bereits im November 2024 in den Early Access. Seitdem haben die Entwickler die erwähnten neuen Features des Nachfolgers sukzessive weiter ausgebaut. Hinzu kamen Verbesserungen und Ergänzungen bei den feindlichen Bots, dem User Interface, der allgemeinen Leistung des Spiels und beim Soundtrack. Details liefert der Changelog zur Version 1.0.

Übersicht über die Updates in eineinhalb Jahren Early Access
Übersicht über die Updates in eineinhalb Jahren Early Access (Bild: Indoor Astronaut)

Der reguläre Preis für Unrailed 2: Back on Track liegt bei rund 20 Euro. Zum Release gibt es via Steam einen Rabatt in Höhe von 25 Prozent, sodass das Spiel bis zum 18. Juni 2026 auf dem PC nur 14,99 Euro kostet. Ein Supporter Pack mit zusätzlichen kosmetischen Inhalten schlägt mit 4,99 Euro zu Buche. Im PlayStation Store und im Nintendo eShop kostet Unrailed 2: Back on Track regulär 19,99 Euro. Das Spiel bietet Crossplay über alle Plattformen.

Überraschungshit in der Pandemie

Mit Unrailed! gelang dem Schweizer Indie-Entwickler Indoor Astronaut im Jahr 2020 ein kleiner Überraschungshit. Das kooperative Schienenbauspiel entstand ursprünglich als Studienprojekt von fünf Master-Studenten der ETH Zürich im Rahmen des Game Programming Laboratory. Später gründeten vier Teammitglieder das Indie-Studio Indoor Astronaut, um die Entwicklung fortzuführen.

Im September 2019 erschien Unrailed! zunächst im Early Access auf Steam, wo sich das von Daedalic Entertainment vertriebene Debüt rasch eine treue Fangemeinde aufbaute. Bis heute verzeichnet das Koop-Spiel mehr als 13.000 Rezensionen mit einer Gesamt­wertung von „sehr positiv“. Es folgten Umsetzungen für Switch, PlayStation und Xbox.



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Teure Beschaffung: Biwin kauft für mehr als Jahresumsatz NAND-Chips ein


Teure Beschaffung: Biwin kauft für mehr als Jahresumsatz NAND-Chips ein

SSD-Anbieter ohne eigene Fertigung müssen aktuell viel Geld für Speicherchips ausgeben. Bei Biwin übersteigt der nächste Einkauf sogar den vorherigen Jahresumsatz. Ganze 1,86 Milliarden US-Dollar sollen binnen zwei Jahren fließen. Das ist mehr als im Jahr 2025 umgesetzt wurde. Doch es gibt noch einen weiteren Deal.

Aus einer bei der Shanghaier Börse eingereichten Mitteilung geht hervor, dass Biwin einen Zweijahres­vertrag zur Sicherung von NAND-Flash im Wert von 1,86 Milliarden US-Dollar unterzeichnet hat. Mit welchem NAND-Hersteller man sich darauf geeinigt hat, ist allerdings unbekannt. Darüber berichtet die South China Morning Post und merkt an, dass diese Summe den gesamten Umsatz des Jahres 2025 von Biwin übersteigt. Im Jahr 2025 hat Biwin nämlich umgerechnet 1,65 Milliarden US-Dollar umgesetzt.

Das verdeutlicht, wie sehr sich die gestiegenen Speicherpreise in den Anschaffungs­kosten für Hersteller niederschlagen. Biwin zählt zu den sogenannten „Branded SSD Makers“, also jenen, die Speicherchips nicht selbst herstellen, diese aber in Produkten mit eigenem Logo anbieten. Im Jahr 2024 war Biwin mit 10 Prozent Marktanteil in diesem Segment der fünftgrößte Hersteller. Marktführer ist Kingston mit seinerzeit 36 Prozent Marktanteil.

Riesensummen für wenig Flash

Noch eindrucksvoller ist der Umstand, dass das diesjährige Volumen der vereinbarten Chips lediglich 4,45 Prozent der im Gesamtjahr 2025 von Biwin erworbenen Chips umfasse. Demnach gibt es für sehr viel Geld also sehr wenig der im Zuge des AI-Booms knapp gewordenen Speicherchips. Allerdings soll das Volumen im Jahr 2027 auf 14,88 Prozent des Jahreswerts aus 2025 ansteigen. Der beschlossene Deal läuft vom dritten Quartal 2026 bis zum zweiten Quartal 2028. Wie hoch die Abnahmemenge im Jahr 2028 ausfallen soll, wurde nicht bekannt gegeben.

Ein zweiter Deal umfasst 1,5 Milliarden Dollar

Wie das Portal BigGo Finance berichtet, gab es bereits im März einen weiteren Deal. Die Rede ist von einem „storage wafer procurement contract“ mit einem weiteren Hersteller, der einen Wert von 1,5 Milliarden US-Dollar besitzen soll. Auch dieser Vertrag soll über 24 Monate laufen und mit dem März 2028 enden. Das jährliche Beschaffungsvolumen wird hier auf 11,1 Prozent des gesamten NAND-Einkaufs von 2025 beziffert.

Biwin wächst in der Krise

Während Biwin im Gesamtjahr 2025 jene 1,65 Milliarden US-Dollar umsetzte, betrugen die Einnahmen allein im ersten Quartal 2026 bereits umgerechnet rund 1 Milliarde US-Dollar; das sind über 340 Prozent mehr als ein Jahr zuvor. Während Biwin im entsprechenden Vorjahres­zeitraum einen Verlust verbuchen musste, konnte nun ein Nettogewinn von knapp 500 Millionen US-Dollar eingefahren werden.

Die Tendenz zeigt, dass Biwin während der Speicherkrise bisher nicht nur deutlich mehr Geld eingenommen hat, sondern auch einiges davon übrig bleibt. Doch angesichts der hohen Ausgaben bleibt abzuwarten, wie sich Umsatz und Gewinn in den kommenden Monaten entwickeln werden.

Taiwaner nahmen bereits Kredite auf

Während Biwin aus China stammt und Kingston in den USA sitzt, kommen einige andere Hersteller der Branche aus Taiwan. Dazu zählen unter anderem Adata, Team Group oder Transcend. Zusammen mit anderen Vertretern aus der gleichen Region sollen diese jüngst über Kredite und Anleihen umgerechnet fast 890 Millionen US-Dollar beschafft haben, um damit die wachsenden Kosten für Speicherchips zu decken.



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