Patent-Trolle haben es auf TSMC in den USA abgesehen. Zwei irische Firmen nutzen dafür unter anderem Know-How von UMC, welches vor vielen Jahren einmal erworben wurde. Wie üblich sind hunderte Millionen an Forderungen oder Blockaden im Spiel, die U.S. International Trade Commission (ITC) untersucht noch, Taiwan unterstützt TSMC.

Longitude Licensing und Marlin Semiconductor haben die Untersuchungen angestrengt, die ITC geht den Anschuldigungen nun nach. Sowohl Longitude als auch Marlin operieren unter IPValue Management, im Mai dieses Jahres hat wiederum das darüberstehende Unternehmen Vector Capital IPValue an die Fortress Investment Group verkauft. Fortress wiederum ist ein richtig alter bekannter „Patent-Troll“, mit dem nahezu jede große Firma bereits zu tun hatte.

Vor allem scheint sich dabei mit den erworbenen Patenten von UMC im Jahr 2021 Geld machen zu lassen, hoffen die Firmen. Schon in den letzten Jahren verklagten Longitude Licensing und Marlin Semiconductor unzählige Firmen in loser Reihenfolge. Nun ist TSMC an der Reihe. Auch TSMC soll in modernen Fertigungsprozessen auf die Entwicklungen von UMC zurückgegriffen haben, heißt es in den Anschuldigungen.

In den USA bekommen sie dabei Unterstützung von einigen Senatoren, die eine harte Linie gegenüber TSMC fahren wollen. Sollten US-Patente verletzt worden sein, sollen Chips aus Übersee nicht mehr in die USA kommen, heißt es dort. Nur weil Firmen strategisch wichtig sind, sollen sie keine spezielle Behandlung erhalten, führen sie ihre Argumentation fort. Dass die republikanischen Senatoren gern medial wirksam harte Linien fahren ist nicht Neues, zudem stehen am 3. November die Midterms in den USA an.

TSMC hat bisher nicht offiziell auf die Anschuldigungen reagiert, Taiwans Economic Ministry hat bereits Unterstützung zugesagt. Die ITC soll noch im Juni eine erste Einschätzung abgeben, im Oktober dann ein finales Urteil fällen. Erst dann könnte es zu einer echten Klage und einem Gerichtstermin kommen.

Die Bundesnetzagentur hat Ermittlungen gegen Steam eingeleitet. Geprüft wird, ob die Spieleplattform Meldungen und Beschwerden zum umstrittenen „Plantation Simulator“ entsprechend den Vorgaben des Digital Services Act bearbeitet hat. Am Ende des Verfahrens könnte ein Bußgeld stehen.

Zuständig für die Untersuchung ist der bei der Bundesnetzagentur angesiedelte Digital Services Coordinator, kurz DSC. Die Behörde geht der Frage nach, ob Steam ein ausreichend zugängliches Verfahren zur Meldung möglicherweise rechtswidriger Inhalte bereitgestellt und eingegangene Hinweise unverzüglich sowie sorgfältig geprüft hat.

Den Ermittlungen vorausgegangen waren Erkenntnisse der französischen Regulierungsbehörde Arcom. Diese wurden an den deutschen DSC weitergeleitet. Deutschland ist für das Verfahren zuständig, weil Steam seinen gesetzlichen Vertreter innerhalb der Europäischen Union hierzulande benannt hat.

Spiel löste internationale Proteste aus

Auslöser des Verfahrens ist der „Plantation Simulator“. In seiner ursprünglichen Fassung simulierte das Spiel den Betrieb einer historischen Plantage. Dabei konnten Spieler die Produktivität steigern, indem sie die als Arbeitskräfte eingesetzten schwarzen Sklaven auspeitschen ließen. Nach der Veröffentlichung kam es international zu Protesten und öffentlicher Kritik.

Steam ließ nach Angaben der Bundesnetzagentur jedoch nicht erkennen, ob das Unternehmen den Inhalt des Spiels geprüft, eine Entscheidung getroffen und die Nutzer über diese Entscheidung informiert hatte. Der Entwickler veränderte das Spiel im weiteren Verlauf zunächst und ließ es später vollständig von Steam entfernen.

Damit ist das Verfahren für die Behörde allerdings nicht erledigt. Im Mittelpunkt steht nicht die Frage, ob ein bestimmtes Spiel weiterhin angeboten wird. Stattdessen soll geklärt werden, ob Steam grundsätzlich die im Digital Services Act festgelegten Sorgfaltspflichten erfüllt.

Ob die Inhalte des Spiels tatsächlich rechtswidrig waren, ist ebenfalls nicht Gegenstand einer abschließenden Bewertung durch die Bundesnetzagentur. Eine solche Entscheidung könnten nur die zuständigen Gerichte treffen. Plattformen müssen Meldungen über möglicherweise rechtswidrige Inhalte jedoch unabhängig davon entgegennehmen, prüfen und über das Ergebnis informieren.

Steam kann zu den Vorwürfen Stellung nehmen

Steam erhält nun Gelegenheit, auf die Vorwürfe zu reagieren. Stellt die Bundesnetzagentur Verstöße gegen den Digital Services Act fest, kann sie das Unternehmen dazu verpflichten, diese abzustellen und konkrete Maßnahmen anordnen. Daneben ist die Verhängung eines Bußgeldes möglich.

Der Digital Services Coordinator überwacht in Deutschland die Einhaltung des Digital Services Act durch Online-Plattformen und andere Vermittlungsdienste. Zugleich dient er Nutzern als zentrale Beschwerdestelle und koordiniert die Zusammenarbeit mit deutschen sowie europäischen Behörden.

Aus Südkorea wird berichtet, dass SK Hynix bei der nächsten Generation 3D-NAND auf 375 Layer setzen wird. Die Hürde von 400 Layern wird damit vorerst nur Samsung nehmen. Es wird gemunkelt, dass es bei SK Hynix Schwierigkeiten gab und daher von 400 auf 375 Layer umgeschwenkt wurde.

SK Hynix 3D-NAND V10 mit 375 Layern

Wie bei Samsung steht auch bei SK Hynix die inzwischen zehnte Generation 3D-NAND an. Diese wird daher auch als SK Hynix V10 bezeichnet. Während Samsung einen sehr großen Schritt von der V9 mit 286 Layern auf die V10 mit 4xx Layern (vermutlich 430) vollzieht, war SK Hynix bereits bei der V9 bei 321 Layern angekommen. Das ist die bisher höchste Zahl an Speicherebenen für NAND-Flash in Serienfertigung.

Dafür fällt der nächste Sprung bei SK Hynix relativ gering aus. Von 321 Layern geht es auf 375 Layer hinauf, das berichtet The Elec unter Berufung auf Branchenquellen. Zuvor sei auch bei SK Hynix die Marke von 400 Layern anvisiert worden, doch sei dieses Ziel „aufgrund von Fertigungsschwierigkeiten“ angeblich „reduziert“ worden, heißt es weiter.

Mit immer mehr übereinander liegenden Schichten von Speicherzellen wird deren elektrische Verbindung immer komplexer. Für die Erhöhung auf 375 Layer habe SK Hynix nun einen Materialwechsel vollzogen: Ein Teil des Wolfram-Films in den Metal-Gate-Elektroden (Word Lines) sei durch Molybdän ersetzt worden. Bei immer schmaleren Leiterbahnen steige der elektrische Widerstand von Wolfram derart, dass die Signalübertragung ausgebremst wird. Bei Molybdän sei der Widerstand geringer, was letztlich der Geschwindigkeit zugute kommt.

Ein weiterer Vorteil sei, dass bei Molybdän im Gegensatz zu Wolfram keine zusätzliche Sperrschicht mehr nötig sei. Es könne direkt abgeschieden werden und ermögliche dadurch Strukturen mit höherer Dichte, wie dem maschinell übersetzten Artikel aus Korea zu entnehmen ist. Das neue Verfahren sei allerdings technisch anspruchsvoll.

Danach seien 480 Layer und 608 Layer geplant

Eine direkt zitierte Quelle spricht davon, dass auf der Roadmap von SK Hynix für die kommenden Generationen (mutmaßlich V11 und V12) eine weitere Erhöhung der Ebenen auf 480 Layer und danach 608 Layer geplant sei.

Zumindest in ersten Versuchen ist es Samsung kürzlich gelungen bereits 900 Layer umzusetzen, allerdings ist dieses Experiment noch weit von einem Serienprodukt entfernt.

Die nächsten NAND-Generationen im Überblick

TrendForce hat die jüngsten Berichte zum kommenden 3D-NAND von Samsung, SK Hynix und Kioxia in einer Grafik zusammengefasst. Der 375-Layer-NAND von SK Hynix soll nun doch bereits Ende 2026 in die Serienfertigung gehen. Für Samsungs 4xx-Layer-NAND ist das zweite Halbjahr 2026 gesetzt. Bei Kioxia könnte es mit der Serienfertigung des BiCS10 mit 332 Layern noch bis Anfang 2027 dauern oder ebenfalls noch 2026 erfolgen. Der Termin wurde bisher lediglich auf das Fiskaljahr 2026 eingegrenzt.

Trotz der deutlich geringeren Layer-Anzahl könnte Kioxia bei der Speicherdichte aber sogar die Führung übernehmen. Auf der ISSCC hatte Kioxia gemeinsam mit Partner Sandisk die zu diesem Zeitpunkt höchste Speicherdichte für den BiCS10 präsentiert.

• Fast 5 GB pro mm²: Sandisk und Kioxia kommen mit höchster Bitdichte zum ISSCC

Und was ist mit Micron?

Während die Pläne zur 10. NAND-Generation der genannten Wettbewerber mehr und mehr Form annehmen, bleibt ein Konkurrent außen vor: Micron. Nach der Generation G9 mit 276 Layern soll bei Micron die G10 folgen, zu der es allerdings so gut wie keine öffentlichen Informationen zu finden gibt.

Es wird der Einsatz der sogenannten „Confined SN“-Technologie erwartet, die Inferenzen zwischen den Zellen verringern soll. Davon soll unter anderem die Lebensdauer der Speicherzellen profitieren, während eine um 10 Prozent reduzierte Dauer zum Beschreiben einer Zelle erwartet wird. So heißt es zumindest in einem Artikel von EE World.