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Japan Display (JDI): USA sollen moderne Display-Fabrik für 13 Mrd. Dollar erhalten

Quellen von Reuters bestätigen einen Bericht aus Asien vom Wochenende. Demnach planen Japan und die USA gemeinsam mit dem Hersteller Japan Display die Errichtung einer großen Display-Fabrik in den USA. Das gesamte Projekt soll 13 Milliarden US-Dollar Investitionen umfassen.
Einstimmige Berichte über neue Display-Fabrik
Zunächst hatte Nikkei Asia am Sonntag darüber berichtet, dass die japanische Regierung an Japan Display herangetreten sei, um mit diesem Hersteller gemeinsam eine moderne Display-Fabrik in den USA zu errichten. Das genannte Volumen von 13 Milliarden US-Dollar für die Fabrik würde dann aus einem 550 Milliarden US-Dollar schweren Investitionspaket des Landes Japan kommen, heißt es weiter.
Am heutigen Montag bestätigte die Nachrichtenagentur Reuters die mutmaßlichen Pläne unter Berufung auf zwei anonyme Quellen. Der Aktienkurs von Japan Display Inc. (JDI) hat sich gegenüber dem vergangenen Freitag mehr als verdoppelt.
USA wollen unabhängiger von China werden
Mit der neuen Display-Fabrik wollen die USA die heimische Fertigung stärken, um künftig unabhängiger von China zu sein. Beim Einsatz der chinesischen Displays beim US-Militär sei man besorgt.
Laut dem Marktforschungsunternehmen Counterpoint besaß China im Jahr 2023 bereits einen Anteil von 68 Prozent am weltweiten Display-Markt. Die Prognose lautet, dass dieser Anteil bis 2028 auf 75 Prozent ansteigen könne.
Neue Chance für JDI
Japan Display war 2012 aus dem Zusammenschluss der ehemaligen Display-Sparten von Hitachi, Sony und Toshiba entstanden und zählte einst zu den führenden Anbietern von LCDs. Unter anderem belieferte JDI den Großkunden Apple mit LC-Displays für iPhones. Doch nachdem Apple von LCD- zu OLED-Technik gewechselt hatte und zusätzlich die chinesischen LCD-Hersteller dank niedrigerer Preise immer stärker wurden, geriet JDI ins Straucheln. Seitdem kämpfte das Unternehmen mit Verlusten und musste 2023 sogar Insolvenz anmelden.
Zuletzt habe sich JDI auf Fahrzeug-Displays konzentriert und die Produktion von OLED-Panels für die Apple Watch eingestellt. Die japanische Regierung habe zwischenzeitlich mehr als 460 Milliarden Yen (rund 2,9 Mrd. US-Dollar) in JDI investiert, sei im vergangenen Jahr aber mit einem Verlust von einem Drittel der Summer ausgestiegen.
Letztlich könnte JDI mit der erneuten Hilfe von Japan und nun den USA wieder einen Aufwind erfahren.
eLEAP für Auto-Displays
Auf technischer Seite hatte JDI in den letzten Jahren mit seiner effizienten OLED-Technik eLEAP für Aufsehen gesorgt. Sowohl LG als auch Samsung sollen diese Technik in Augenschein genommen haben. Bisher ist aber nichts über etwaige Lizenzgeschäfte bekannt. JDI selbst hatte im Dezember 2024 ein 80 cm breites eLEAP-Display für Fahrzeuge vorgestellt (PDF), das mit 6.480 × 880 Pixeln auflöst und eine Leuchtkraft von 1.000 cd/m² bei nur 14 Watt Leistungsaufnahme erreichen soll.
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TSMC COUPE: Silicon Photonics im Substrat/Interposer setzt Konkurrenz zu

Eine größere Baustelle bei TSMC ist Silicon Photonics. Hier gibt es vielfältige Anbieter, die man mit kompletter Integration toppen will. Vor allem die Thematik rund um Co-Packaged Optics (CPO) hat das Unternehmen auf dem Schirm und könnte mit kompletter Integration via COUPE die Mitbewerber übertreffen.
COUPE steht bei TSMC für Compact Universal Photonic Engine. Das Ziel ist es, ein echtes Co-Packaged-Optics-Paket zu schnüren und keine halben Lösungen, die es auf dem Weg dorthin aber definitiv geben wird. Denn in kleinen Schritten geht es bei CPO bisher voran, von der komplett losgelösten Lösung mit optischen Verbindungen im gleichen System, angeschlossen aber noch über ein Kupferkabel, über Silicon Photonics auf dem gleichen PCB, dann dem Substrat und Package bis schließlich zum Finale direkt im Interposer.
Die vom Konzern genannten Boni insbesondere für die komplette Integration am Ende, die laut eigener Aussage nur TSMC umsetzen könne, sind durchaus gewaltig. Die Latenzen sollen bereits bei der Lösung direkt im Substrat effektiv um den Faktor 10 gegenüber einer aktuellen Version „mit Kabel zum Board“ reduziert und die Effizienz verdoppelt werden. Die Basis dafür ist ein 200Gbps micro-ring modulator (MRM), die Serienproduktion hierfür beginnt im zweiten Halbjahr, erklärte TSMC auf Nachfrage. In der nächsten Generation direkt im Interposer sollen die weiteren Vorteile riesig ausfallen, sowohl beim Thema Latenz als auch bei der Effizienz.
TSMC war eher spät dran, was die gesamte Thematik angeht, und startete 2021 auf kleinem Niveau. Aber durch die fortschrittlichsten Technologien dürfte das Unternehmen in den kommenden Jahren den Mitbewerbern durchaus den Rang ablaufen. Erste ehemalige Partner bei Globalfoundries wie Ayar Labs sind nach zwei Generation zu TSMC gewechselt. Voran geht aber einmal mehr Nvidia, die groß auf COUPE schwenken werden. Die allererste Generation bei Nvidia kommt jedoch wohl nur zum Teil von TSMC, SPIL übernimmt hier Restarbeiten. Ähnlich ist es bei Broadcom, auch sie werden von SPIL zu TSMC wechseln.
AMD nutzt die Enosemi-Globalfoundries-Connection
Medial machte zuletzt die Rückkehr von AMD zu Globalfoundries die Runde, um Chips für Silicon Photonics zu beziehen. Was als Neuheit verkauft wurde, entspricht aber nur der halben Wahrheit. Denn im letzten Jahr hatte AMD das Unternehmen Enosemi übernommen, das wiederum Silicon-Photonics-Produkte auf Basis von Globalfoundries‘ IP entwickelt hat bei Globalfoundries ließ. Entsprechend kommen nun auch die darauf basierenden Lösungen von AMD von Globalfoundries.
Wie lange das so bleiben wird, ist jedoch abzuwarten. Da die Riesen Broadcom und Nvidia zu TSMC COUPE wechseln, könnte dies auch bei AMD in Zukunft der Fall sein. Denn vor allem des Gesamtpaket bei TSMC, fast alles aus einer Hand zu bekommen, dürfte neben den besten Fertigungstechnologien durchaus eine Rolle spielen.
Weitere Meldungen und Neuheiten von der Auftaktveranstaltung für dieses Jahr gibt es auf der Themenseite:
- TSMC Technology Symposium 2026
ComputerBase hat Informationen zu diesem Artikel von TSMC vorab unter NDA erhalten. Die einzige Vorgabe war der frühestmögliche Veröffentlichungszeitpunkt.
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TSMC A13/A12-Fertigungsprozess: „1,2 nm“ mit Super Power Rail (ohne High-NA-EUV) ab 2029

Mit den Fertigungsprozessen A13 und A12 geht TSMC in die nächste Dekade. Kombiniert mit Super Power Rail wird A12 die Flaggschiffserie. Realisiert werden soll das alles weiterhin ohne High-NA-EUV, wie TSMC auf Rückfrage verdeutlicht. Die modernsten Low-NA-EUV-Belichter geben das alles problemlos her, erklärt der Hersteller.
Dr. Kevin Zhang, Senior Vice President und Deputy Co-COO bei TSMC (und zuvor auch mal 12 Jahre bei Intel), erläuterte am Vorabend des Symposiums in den USA gegenüber der Presse die kommenden Entwicklungsschritte – mit extrem hohem technischen Verständnis. Auf dem Papier sieht es dabei so aus, als würden die Schritte kleiner werden. Dies ist aber der Zweigleisigkeit geschuldet, die TSMC derzeit fährt: Es gibt einen Standardprozess, und dann eine Linie, die auf BSPD, also die rückseitige Stromversorgung der Chips setzt.
Diese Zweigleisigkeit wird aktuell beim N2-Prozess eingeführt. Denn der kommende Fertigungsschritt A16 ist eigentlich N2 im Herzen, jedoch mit Backside Power Delivery (BSPN) ausgestattet. Der Nachfolger von N2 ohne BSPD wird der A14-Prozess, der Nachfolger von A16 mit BSPD letztlich deshalb A12. Die Basis dafür ist entsprechend der A14-Prozess mit Optimierungen. Auch hier setzt TSMC auf das sogenannte Super Power Rail (SPR), der besten Adaption von BSPD mit direktem rückseitigem Kontakt (die ganz rechte Lösung im Bild). Intel nutzt seit Panther Lake in Intel 18A die mittlere Variante mit Power VIAs.
A14-Prozess bekommt Shrink auf A13
Auf den A14-Prozess folgt im Standardverfahren binnen eines Jahres der A13-Prozess. Dies wiederum ist heutzutage vergleichbar mit dem Schritt von N3E auf N3P oder zukünftig N2 auf N2P. Mit einem optischen Shrink kann etwas Fläche von rund sechs Prozent eingespart werden, hier und da gibt es zudem minimale Vorteile durch den zeitlichen Versatz des Prozesses, sodass zusätzliche design-technology co-optimizations (DTCO) greifen und eine verbesserte Leistung und Effizienz versprechen. Da die Design-Tools und –Regeln identisch bleiben, können A14-Kunden schnell und direkt auf den angepassten Prozess schwenken.
High-NA-EUV bei TSMC weiterhin kein Thema
Stolz erklärte Zhang, dass TSMC auch bei den Prozessen für das Jahr 2029 auf High-NA werde verzichten können. Bisher hat das Unternehmen stets eine Möglichkeit gefunden, es wirtschaftlich mit den bestehenden Belichtern zu realisieren – auch heute monierte TSMC den sehr hohen Preis des rund 400 Millionen Euro teuren Systems. Die Entscheidung, wann High-NA bei TSMC zum Einsatz kommt, ist damit erneut vertagt worden, nachdem es im letzten Jahr bereits hieß, dass es vor 2029 nicht gebraucht wird.
Bei Intel könnten die ersten High-NA-Systeme eventuell ab 2027/2028 in der Produktion genutzt werden, aber auch hier klang es zuletzt danach, dass es eher später als früher wird. Ab dem Jahr 2030 dürften die High-NA-EUV-Systeme zudem einen deutlich höheren Reifegrad erreicht haben und so bestehende Low-NA-EUV-Systeme besser ergänzen können. Vermutlich tendiert TSMC erst dann zu einer Integration.
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Mega-GPUs für Nvidia, AMD & Co: TSMC zeigt CoWoS-Package mit >11.600 mm² & 24 × HBM5E

TSMC hat CoWoS als den Standard für das Packaging der kommenden Jahre zum „Technology Symposium“ erneut massiv erweitert. Riesige Chips werden daraus resultieren, vom aktuellen Stand mit einer Größe von ungefähr 5,5 Reticles mit 12 × HBM4 können dann Produkte wachsen, die die Größe von über 14 Reticles mit 24 × HBM5E einnehmen.
CoWoS wächst und gedeiht
Seit 2021 bereits in Produktion, hat sich CoWoS (Chips on Wafer on Substrate) zum Kassenschlager entwickelt. Kein moderner größerer Chip ist ohne diese Technologie verfügbar. In diesem Jahr werden so primär gepackte Chips in der Größe von 5,5 Reticles gefertigt, laut TSMC mit einer Yield-Rate (Ausbeute) von über 98 Prozent. Als Reticle-Size-Limit in der Branche gilt die Maximalgröße eines einzelnen Chips, der mit gängigen (EUV-)Belichtungsmaschinen Kantenlängen von bis zu 26 × 33 mm beziehungsweise 858 mm² haben kann. TSMC nutzt als Berechnungsgrundlage vereinfacht in der Regel 830 mm² als Maximum.
Hatte TSMC im letzten Jahr an gleicher Stelle beim Technology Symposium die Grenze auf 9,5 Reticles verschoben, wird sie in diesem Jahr noch einmal deutlich weiter nach oben gesetzt. Nicht nur werden Größen von 14 Reticles bereits ab 2028 anvisiert, im Jahr darauf soll das ganze Konstrukt noch einmal größer werden können. Ohne exakte Angaben steht hier deshalb ein wenig als Platzhalter nur „>14 Reticles“, Platz für 20 Prozent mehr Speicher gegenüber dem vorangegangenen Maximalausbau ist aber ebenso gegeben.
Umgerechnet sind das über 11.600 mm² Fläche nur für die Chips, das 9,5x große CoWoS-Verfahren brachte es auf 7.900 mm². Der darunter liegende Interposer ist noch größer, TSMC bestätigte ihn letztes Jahr mit bis zu 18.000 mm² für das 9,5x große Reticle, bei >14x dürfte wohl eine nochmals deutlich größere Fläche in Beschlag genommen werden.
SoW-X für 40 Reticles und 64 × HBM
Über all dem wird weiterhin „System on Wafer“ (SoW-X) stehen. Bekanntestes Beispiel dafür sind die aktuellen Wafer-Scale-Produkte von Cerebras. Die Weiterentwicklung dieser Variante wird ab 2029 HBM und Logic direkt auf dem Wafer vereinen können. Und dass die Lösungen dann die Größe von über 40 Reticles erreichen, ist für 2029 ebenso geplant.
Intel Foundry vs. TSMC: Meins ist größer als deins!
TSMC begegnet mit der überraschend aggressiven Roadmap auch zuletzt aufkommenden Gerüchten, Intel könnte die Kundschaft streitig machen. Intel Foundry hatte im letzten Jahr nämlich ein Package gezeigt, welches mit bis zu 12 Reticles bereits größer war, als das, was TSMC bis dato geplant hatte. Intel legte daraufhin im März dieses Jahres nach und bestätigte die Produktionsbereitschaft ab dem Jahr 2028. Der Gegenschlag von TSMC ist deshalb heute umfassend ausgefallen.
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