AOC bringt mit dem Agon Pro AG326UZD2 einen 32″-Monitor mit einem QD-OLED-Panel der 4. Generation von Samsung auf den Markt. Für 3.840 × 2.160 Pixel und 240 Hz, DisplayPort 2.1 und HDMI 2.1 sowie DisplayHDR True Black 500 werden knapp 1.000 Euro fällig.

AOC Agon Pro AG326UZD2 im Detail

Den nach eigenen Angaben fortschrittlichsten 32″-Monitor mit 4K UHD in der Marke Agon Pro für Spieler bringt AOC jetzt auf den Markt. Das QD-OLED-Display zählt zur 4. Generation. Das bedeutet ein 5-Layer-Tandem-OLED-Design, das Samsung inzwischen „QD-OLED Penta Tandem“ nennt. Zusammen mit der verbesserten Elektrolumineszenz (EL Gen 3) steigt die Leuchtkraft gegenüber der 3. Generation. AOC gibt an, dass die Helligkeit punktuell in der Spitze 1.000 cd/m² (APL 3 %) erreichen soll. Laut Zertifizierung nach VESA-Standard DisplayHDR True Black 500 muss die Helligkeit auf 10 Prozent der Bildfläche im Zentrum (APL 10 %) mindestens 500 cd/m² erreichen. Dass im Datenblatt (PDF) zum AOC-Monitor aber lediglich 450 cd/m² stehen, dürfte ein Fehler sein. Ebenso sollte die Leuchtkraft im SDR-Modus auf ganzer Fläche nicht nur 250 cd/m², sondern 300 cd/m² erreichen.

Da Samsung für alle neuen QD-OLED-Monitore im Jahr 2026 „QuantumBlack“ versprochen hat, dürfte das auch für den Agon Pro AG326UZD2 gelten. QuantumBlack ist Samsungs Markenname für eine neue Schutzfolie auf dem Display, die einerseits Reflexionen verringern und so auch den Lilastich reduzieren soll und andererseits die Kratzfestigkeit erhöht. In der Ankündigung für den deutschen Markt spricht AOC lediglich von einer „Anti-Reflection-3.0-Beschichtung“.

Der Monitor verfügt über zwei HDMI-2.1-Ports sowie einen DisplayPort 2.1 mit maximaler Anbindung (UHBR 20). Ein USB-Hub samt KVM-Funktion ist integriert. Dafür gibt es einen USB-C-Port mit 65 Watt sowie drei USB-A-Buchsen. Der Ständer bietet alle gängigen Optionen zur Ausrichtung des Displays inklusive Höhenverstellung und Pivot.

Preis und Verfügbarkeit

Der AOC Agon Pro AG326UZD2 ist ab sofort für 999 Euro* erhältlich.

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Schicke Charaktere, karge Landschaft: So lässt sich grob die Grafik des inzwischen rund 8 Jahre alten Survival-Actionspiels Conan Exiles von Funcom beschreiben. In Kürze gibt es aber ein technisches Upgrade im Zuge der Portierung auf die Unreal Engine 5. Im Trailer zu Conan Exiles Enhanced ist das Spiel kaum wiederzuerkennen.

Pünktlich zum 8. Geburtstag von Conan Exiles, am 5. Mai 2026, soll das kostenlose „Visual Upgrade“ erscheinen und den Titel zu „Conan Exiles Enhanced“ erheben. Gemeinsam mit Inflexion Games hat Funcom das komplette Spiel auf die Unreal Engine 5 portiert. Versprochen wird dadurch vor allem eine erheblich verbesserte Grafik und mehr Leistung.

„Flüssiges Gameplay mit über 60 FPS“ soll „auf den meisten PCs“ möglich sein. Dass das Spiel angeblich besser läuft als zuvor, hängt aber sicherlich auch davon ab, ob der eigene PC nicht auch schon 8 Jahre auf dem Buckel hat. Die Entwickler prognostizieren allerdings ebenfalls eine „starke Performance auf Steam Deck“, sodass auch leistungsschwache Systeme mit etwaigen Abstrichen bei Auflösung und Details, den Titel flüssig wiedergeben dürften.

Karten vereint

Waren bisher die Karte des Hauptspiels, die Exiled Lands, sowie die per DLC nachgereichte Insel Siptah lediglich getrennt voneinander spielbar, werden sie in Conan Exiles Enhanced vereint und lassen sich so in derselben Spielsession bereisen. Das bedeutet allerdings nicht, dass nun jeder die Insel Siptah kostenlos nachgereicht bekommt. Für den Zugriff auf die Insel wird nämlich sowohl im Einzel- als auch Mehrspielermodus weiterhin der DLC Isle of Siptah benötigt, der aktuell knapp 20 Euro kostet.

Neue Features

Neben einem überarbeitetem User-Interface bringt das Update weitere neue Features. So können fortan drei Charaktere pro Account angelegt und beliebig gewechselt werden. In Richtung „Quality of Life“ geht die Änderung, dass beim Bauen und Crafting Ressourcen automatisch von in der Nähe liegenden Lagerbehältern und NPC-Begleitern bezogen werden sollen. Dass auch der Regler für die Größe der Geschlechtsorgane der Spielfiguren verbessert werden soll, ist ein pikantes Detail, das nur in einer Übersichtsgrafik erwähnt wird.

Installation schrumpft auf 40 GB

In Zeiten teuren Massenspeichers ist sicherlich begrüßenswert, dass die Spieldateien nach dem Update deutlich weniger Speicherplatz benötigen sollen. Funcom verspricht eine Reduzierung der Größe des Spielclients von derzeit rund 120 GB auf nur noch 40 GB.

Spielstände können übernommen werden

Eigentlich selbstverständlich sollte sein, dass der in der alten Version womöglich über Jahre angelegte Spielfortschritt ebenso auf die neue Fassung umzieht.

Vorerst nur auf Steam

Das kostenlose UE5-Upgrade für Conan Exiles gibt es ab dem 5. Mai allerdings nur auf dem PC und nur für die Steam-Version. Die Entwickler ziehen zwar nach eigenen Angaben die Option in Betracht, das Update später auch im Epic Games Store und Microsoft Store sowie für die Spielkonsolen PlayStation und Xbox anzubieten, doch gebe es dafür „derzeit keine konkreten Pläne“.

UE4-Version bleibt erhalten

Für den Fall der Fälle, dass die neue Version zum Beispiel doch nicht so gut spielbar ist wie erhofft, gibt es ein Backup. Die frühere UE4-Version soll nämlich erhalten bleiben und stehe nach dem Update über das Eigenschaftenmenü zu Conan Exiles Enhanced in der Steambibliothek zur Auswahl. Dafür müsse unter „Eigenschaften“ im Tab „Spielversionen & Betas“ die Option „Conan Exiles Legacy“ aktiviert werden.

Auf dem Papier klang das Konzept des sogenannten 3D X-DRAM von NEO Semiconductor schon immer gut. Jetzt wurde bewiesen, dass sich das neue Speicherchipdesign auch herstellen lässt und die erforderte Leistung erbringt. Unterstützt wird die Entwicklung vom Acer-Gründer Stan Shih.

Als „World’s First 3D NAND-Like DRAM“ versprach NEO Semiconductor bereits im Jahr 2023 eine Lösung zur weiteren Skalierung von DRAM. Wie beim 3D-NAND-Flash sind die Speicherzellen in mehreren Ebenen übereinander gestapelt. Damals war dies noch reine Theorie, doch jetzt hat NEO Semiconductor den Machbarkeitsbeleg, den sogenannten Proof-Of-Concept (POC), in der Hand.

In Kooperation mit Wissenschaftlern der National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU) in Taiwan wurden erste Chips auf Basis der neuen Architektur hergestellt und erfolgreich auf ihre Funktion geprüft. Produktion und Tests erfolgten an den National Institutes of Applied Research (NIAR) in Taiwan. Durch umfangreiche Prüfungen sei „die Robustheit und Stabilität der vorgeschlagenen Speicherarchitektur bestätigt“ worden, heißt es in einer öffentlichen Mitteilung.

Das sei nun gleichzeitig der Beleg dafür, dass sich 3D X-DRAM mit den etablierten Anlagen, Materialien und kosteneffizienten Prozessen aus der 3D-NAND-Fertigung herstellen lässt. Die angestrebten Ziele zur Leistung der Chips seien ebenso erreicht worden. Die wesentlichen Ergebnisse werden wie folgt aufgelistet:

• Read/write latency: <10 ns
• Data retention: >1 second at 85°C (15× better than the 64 ms JEDEC standard)
• Bit-line disturbance: >1 second at 85°C
• Word-line disturbance: >1 second at 85°C
• Endurance: >10¹⁴ cycles

Damit soll das Design den Weg für 3D DRAM mit hoher Speicherdichte ebnen. Vor knapp einem Jahr hatte NEO Semiconductor von einem Potenzial für 512 Gbit (64 GByte) Speicherkapazität pro Chip gesprochen, was das 16-Fache des 2D DRAMs bedeutet, der bisher maximal erst 32 Bit (4 GByte) erreicht. Allerdings dürfte der 3D DRAM zu Beginn einer möglichen Serienfertigung noch lange nicht sein Maximum erreichen. Wie hoch die Speicherkapazität der ersten Testchips ausfällt, wurde nicht kommuniziert.

Namhafte Unterstützung aus Taiwan

Um ein solches Unterfangen umzusetzen, braucht es Partner bei Technik wie auch Finanzen, denn allein die ersten Versuche im Labor sind kostspielig. NEO Semiconductor verkündet nun parallel, dass es ein strategisches Investment gegeben hat. Die Gruppe der Investoren werde dabei von Stan Shih angeführt, das ist kein geringerer als der Gründer und ehemalige CEO von Acer. Der gelernte Ingenieur der Elektrotechnik ist inzwischen zwar 81 Jahre alt, sitzt aber immer noch im Aufsichtsrat von Acer und TSMC.

Mehr Details Anfang August zum FMS

Im Rahmen der Fachmesse FMS: Future of Memory and Storage, die vom 4. bis zum 6. August in Kalifornien stattfindet, will Andy Hsu, der CEO von NEO Semiconductor, „detaillierte Einblicke in die kürzlich demonstrierten Ergebnisse des Proof-of-Concept“ geben.

Derweil arbeite das Unternehmen „mit führenden globalen Speicher- und Halbleiterunternehmen an potenziellen Kooperationsmöglichkeiten“. Die Architektur eigne sich „hervorragend für ein skalierbares Lizenz- und Partnerschaftsmodell“, „um KI-Speicherlösungen der nächsten Generation auf den Markt zu bringen“, wird argumentiert.