Amazons Abschottungsversuche bei seinen aktuellen Kindle-Readern waren nur kurz von Erfolg gekrönt. Mit Véra steht nun ein neuer Software-Jailbreak für zahlreiche aktuelle E-Reader des Online-Händlers zur Verfügung, für dessen Einrichtung lediglich der Webbrowser des Kindles benötigt wird.

Ausbruch für neuere Kindle-Modelle

Damit ist erstmals wieder ein Jailbreak für aktuellere Kindle-Modelle verfügbar, nachdem die zuletzt zahlreich verfügbaren älteren Methoden lediglich mit veralteter Firmware beziehungsweise älteren Kindle-Generationen funktionierten. Véra soll hingegen die Firmware-Versionen 5.17.1 bis einschließlich 5.19.2 abdecken, für die aktuelle Version 5.19.5 steht derzeit allerdings noch keine Möglichkeit zur Modifikation bereit.

Installation direkt über den Browser

Die Installation erfolgt dabei direkt auf dem Kindle. Statt wie bislang oftmals zunächst Dateien oder Skripte auf einen Computer herunterzuladen und anschließend auf den E-Reader zu übertragen, verwendet Véra den integrierten Internet-Browser des Kindle für die Einrichtung und Installation. Unterstützt werden die zuletzt veröffentlichten Kindle Colorsoft (Test), Kindle Scribe (Test) sowie sämtliche Kindle-E-Reader der 11. und 12. Generation.

KOReader für größere Formatunterstützung

Für viele Nutzer dürfte die Installation von KOReader ein wesentlicher Grund für das Einspielen eines Jailbreaks sein. Bei diesem handelt es sich um einen alternativen Dokumentenbetrachter, der auch für Geräte mit E-Ink-Displays entwickelt wurde und erheblich mehr Dateiformate als die Kindle-Standardsoftware unterstützt. Damit lassen sich nicht nur E-Pubs nativ auf dem Reader lesen, sondern mit PDF, DjVu, XPS, CBT, CBZ, FB2, PDB, TXT, HTML, RTF, CHM, DOC, MOBI und ZIP zahlreiche weitere Formate. KOReader steht neben Kindle auch für Kobo- und PocketBook-E-Reader sowie für Android und Desktop-Linux zur Verfügung.

Alle Funktionen sollen erhalten bleiben

Weitere Informationen über den Jailbreak stellt KindleModding zur Verfügung, Interessierte finden dort auch eine Anleitung. Der Eingriff soll dabei weder die reguläre Kindle-Oberfläche ersetzen noch Funktionen der Original-Software entfernen. Wer KOReader nach der Installation nicht verwenden möchte, kann daher weiterhin die normale Kindle-Software nutzen. Eine vollständige Rückkehr zum unveränderten Zustand ist somit nicht zwingend erforderlich. Der Ausbruch aus dem Gefängnis kann zudem jederzeit rückgängig gemacht werden, was insbesondere vor einer Garantiereparatur oder dem Weiterverkauf eines Geräts sinnvoll sein kann. Dafür ist laut „Good E-Reader die Wiederherstellung der regulären OTA-Updates, ein Werksreset und die anschließende Installation einer offiziellen Firmware-Datei nötig.

Intel-CEO Lip-Bu Tan hat in einem Interview bestätigt, dass das Unternehmen wieder an eigener Speichertechnik interessiert ist. Auch deswegen wurde der ehemalige CEO von SK Hynix angeheuert. Vage Andeutungen gibt es in Richtung einer neuen Speicherarchitektur, die womöglich direkt auf der CPU gestapelt wird.

Intels Rückkehr ins Speichergeschäft steht bevor

Im Deep Tech VC Podcast von TechSurge äußerte sich der amtierende Intel-CEO Lip-Bu Tan jüngst zu allerlei Zukunftsthemen. Gegen Ende (im unten eingebetteten Video ab Minute 30:30) ging es um die Zukunft des Computing. Dabei thematisierte Tan zunächst, dass bei kommenden CPU-Architekturen die Integration von Arbeitsspeicher auf demselben Package (stacking CPU and memory together) eine wichtige Rolle spiele. Dafür müsse aber seiner Ansicht nach eine neue Speicherarchitektur gefunden werden, denn für ihn mangele es in diesem Bereich an Innovation.

Während Lip-Bu Tan einräumt, dass er früher von Investitionen in das Speichergeschäft sogar abgeraten habe, seien neue Speicherarchitekturen inzwischen zu einem seiner „Lieblingsprojekte“ geworden. Dass daran auch der momentane Speicher-Boom nicht unschuldig sein dürfte, liegt auf der Hand.

Ohne wirklich konkret zu werden, bestätigt der CEO also Pläne zu Arbeiten an einer neuen Speicherarchitektur bei Intel. Auch dafür wurde offenbar kürzlich der ehemalige CEO des Speicherherstellers SK Hynix angeheuert, der sich auch dem Thema „Advanced Packaging“ widmen soll.

„Ich habe meinen guten Freund Seok-Hee Lee eingestellt, der früher SK Hynix geleitet hat. Sie ahnen also schon, worüber ich gerade nachdenke. Wir sind aber noch nicht so weit, das zu enthüllen“, gibt sich Tan am Ende geheimnisvoll, obwohl er im Grunde schon viel verraten hat.

SK Hynix ist nach Samsung der zweitgrößte Hersteller von DRAM und NAND-Flash. Beim für den KI-Sektor besonders relevanten High Bandwidth Memory (HBM) gilt SK Hynix noch immer als führend, auch wenn die Konkurrenz aufgeholt hat.

Welche Speicherarchitektur wird es werden?

Darüber, an welcher neuen Speicherarchitektur Intel arbeitet, lässt sich nur spekulieren. Die Website Tom’s Hardware machte auf das Interview aufmerksam und brachte ein früheres Intel-Patent (PDF) zu einem „Cross-Batch Memory“ (XBM) ins Spiel. Dabei soll es sich vereinfacht zusammengefasst um einen HBM ohne Interposer handeln, der stattdessen direkt auf einen Prozessor gesetzt werden kann. Das XBM-Patent passt somit gut zu den anfänglichen Aussagen des Intel-CEOs.

Es gibt allerdings noch ein weiteres Speicherprojekt bei Intel: Gemeinsam mit der Softbank-Tochter SAIMEMORY will Intel den sogenannten Z-Angle Memory (ZAM) entwickeln. Auch diese Technik gilt als potenzieller HBM-Konkurrent der Zukunft. Prototypen werden frühestens für 2027 erwartet.

Samsungs zHBM verfolgt ähnliche Ziele

Das dichtere Zusammenrücken von Prozessor und Arbeitsspeicher ist ohnehin ein Zukunftsprojekt der gesamten Branche. Getrieben wird es vom weltweiten KI-Wettrüsten, denn für die KI-Beschleuniger in Rechenzentren kann es nicht genug schnellen Speicher geben. Kürzere Leitungswege sorgen dabei für geringere Latenzen und mehr Leistung.

Auch Samsung als Marktführer bei Speicherchips forscht schon länger in diese Richtung. Erst kürzlich wurden die Pläne mit dem vorgestellten Konzept des zHBM konkreter. Dabei sitzt der HBM nicht wie bisher neben dem Prozessor, sondern direkt darauf. Samsung verspricht dadurch enorme Steigerungen bei Leistung, Speicherdichte und Energieeffizienz.

Allerdings erfordert ein solches Design enge Absprachen mit dem Hersteller der Prozessoren, da der Chip die passende Schnittstelle für den Speicher bieten muss. Intel müsste sich für das Zusammenspiel von eigener CPU und eigenem Speicher wiederum nicht mit anderen absprechen.

Nachlese von der Speichermesse FMS 2026: Das chinesische Unternehmen DapuStor zeigte eine der ersten SSDs mit 512 TB Speicherkapazität. Das ist noch einmal doppelt so viel wie das aktuelle Maximum im Markt. Wenig überraschend setzt der Datenträger auf QLC-NAND und PCIe 5.0.

Die 512-TB-SSD zählt zur R6060-Serie des Herstellers, die zuvor bereits bei 256 TB (245 TB nutzbar) angekommen war. Selbst­ver­ständlich richtet sich DapuStor damit an Geschäfts­kunden, die damit beispiels­weise ihre KI-Infrastruktur um Speicher mit hoher Datendichte erweitern können. Mit nur zwei dieser SSDs im E2-Format wäre bereits 1 Petabyte Massenspeicher realisiert. Laut DapuStor ist die SSD „für Scale-Out-Speichersysteme und KI-Trainingscluster konzipiert“. Fotos vom Messestand in Kalifornien liefern StorageReview und ServeTheHome.

Unter den modernen SSD-Formfaktoren (EDSFF) ermöglicht bisher nur die E2-Variante mit Abmessungen von 200 × 76 × 9,5 mm den Einsatz einer solchen Speichermenge. Schließlich müssen für 512 TB ganze 64 NAND-Pakete auf der Platine untergebracht werden, denn pro Package liegt man bisher bei maximal 8 TB.

In den Formaten E1.L und E3.L ist die R6060-Serie hingegen auf maximal 256 TB limitiert. Das klassische 2,5″-Format, das als Server-Variante auch 15 mm hoch aufbauen und somit mehrere Platinen unterbringen kann, bietet DapuStor in diesem Fall offenbar nicht an.

Es ist davon auszugehen, dass auch das 512-TB-Modell auf einen oder sogar mehrere Controller der DP800-Serie (PDF) setzt, wie es schon bei den „kleineren“ Modellen der Fall ist. Der größere DP816 mit 16 Speicherkanälen käme dafür in Frage.

Von welchem Hersteller der QLC-NAND-Flash stammt, ist der Redaktion nicht bekannt. Passende 2-Tbit-Chips haben mittlerweile aber fast alle großen NAND-Hersteller im Programm, ausgerechnet der Marktführer Samsung zählt aber noch nicht dazu. Aus dem gleichen Heimatland wie DapuStor würde sich NAND-Flash vom chinesischen Hersteller YMTC anbieten, dessen QLC-Variante X4-6080 ebenfalls 2 Tbit pro Die erreicht.

Samsung und Sandisk planen 512 TB für 2027

DapuStor kommt zumindest bei der Vorstellung einer 512-TB-SSD den Schwergewichten der Branche zuvor. Sandisk hatte zum Beispiel seine erste 512-TB-SSD erst für 2027 angekündigt und auch bei Samsung wird diese Speichermenge für nächstes Jahr erwartet.